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    • 1. 发明专利
    • 半導體裝置及形成圍繞半導體構件的界柵和屏蔽層之方法
    • 半导体设备及形成围绕半导体构件的界栅和屏蔽层之方法
    • TW201903893A
    • 2019-01-16
    • TW107102625
    • 2018-01-25
    • 新加坡商星科金朋有限公司STATS CHIPPAC PTE. LTD.
    • 李九LEE, GOO金敬文KIM, KYUNGMOON朴壽山PARK, SOOSAN李巨昌LEE, KEOCHANG
    • H01L21/3105H01L21/56H01L23/053H01L23/31H01L23/538H01L23/552H01L25/065H01L25/16
    • 一種半導體裝置係具有一被設置在一基板上的一第一附接區域以及一第二附接區域之間的界柵。一第一電性構件係被設置在該第一附接區域之上。一第二電性構件係被設置在該第二附接區域之上。該界柵係延伸到該第一電性構件及第二電性構件之上,並且沿著該第一電性構件及第二電性構件的一長度來延伸。一密封劑係被沉積在該基板、第一電性構件、第二電性構件、以及界柵之上。該密封劑的一部分係被移除以露出該界柵的一表面,並且平坦化該密封劑。一屏蔽層係被形成在該密封劑之上,並且接觸該界柵的該表面。該界柵以及屏蔽層的組合係用隔板分開該第一電性構件以及第二電性構件以用於物理及電性隔離,以降低EMI、RFI、以及其它裝置間的干擾的影響。
    • 一种半导体设备系具有一被设置在一基板上的一第一附接区域以及一第二附接区域之间的界栅。一第一电性构件系被设置在该第一附接区域之上。一第二电性构件系被设置在该第二附接区域之上。该界栅系延伸到该第一电性构件及第二电性构件之上,并且沿着该第一电性构件及第二电性构件的一长度来延伸。一密封剂系被沉积在该基板、第一电性构件、第二电性构件、以及界栅之上。该密封剂的一部分系被移除以露出该界栅的一表面,并且平坦化该密封剂。一屏蔽层系被形成在该密封剂之上,并且接触该界栅的该表面。该界栅以及屏蔽层的组合系用隔板分开该第一电性构件以及第二电性构件以用于物理及电性隔离,以降低EMI、RFI、以及其它设备间的干扰的影响。