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1. 发明专利

TWI664633B 記憶體裝置的程式化方法有权
简体标题：内存设备的进程化方法
公开(公告)号：TWI664633B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107118290
申请日：2018-05-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：謝志昌 , HSIEH, CHIH-CHANG , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 陳弟文 , CHEN, TI-WEN
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/12

2. 发明专利

TWI578320B 記憶體的操作方法及應用其之記憶體裝置有权
简体标题：内存的操作方法及应用其之内存设备
公开(公告)号：TWI578320B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104123607
申请日：2015-07-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張育銘 , CHANG, YU-MING , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 李祥邦 , LI, HSIANG-PANG , 張原豪 , CHANG, YUAN-HAO , 郭大維 , KUO, TEI-WEI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/00 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641 , G11C2211/5648

3. 发明专利

TWI543170B 記憶裝置的操作方法有权
简体标题：记忆设备的操作方法
公开(公告)号：TWI543170B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103137130
申请日：2014-10-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張育銘 , CHANG, YU-MING , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 謝志昌 , HSIEH, CHIH-CHANG , 黃識夫 , HUANG, SHIH-FU , 李祥邦 , LI, HSIANG-PANG , 張原豪 , CHANG, YUAN-HAO , 郭大維 , KUO, TEI-WEI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C11/56

4. 发明专利

TW201619970A 記憶體的操作方法及應用其之記憶體裝置审中-公开
简体标题：内存的操作方法及应用其之内存设备
公开(公告)号：TW201619970A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104123607
申请日：2015-07-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張育銘 , CHANG, YU-MING , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 李祥邦 , LI, HSIANG-PANG , 張原豪 , CHANG, YUAN-HAO , 郭大維 , KUO, TEI-WEI
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/00 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641 , G11C2211/5648
摘要：一種針對記憶體的操作方法，記憶體包括至少一記憶區塊，此至少一記憶區塊包括多個第一頁以及對應於此些第一頁的多個第二頁，此操作方法包括以下步驟：依據此些第一頁的有效性資訊，判斷此些第一頁中的一目標第一頁是否為有效，其中目標第一頁係對應此些第二頁中的目標第二頁；若目標第一頁為有效，對目標第二頁進行第一類型程式化操作；以及若目標第一頁為無效，對目標第二頁進行第二類型程式化操作。
简体摘要：一种针对内存的操作方法，内存包括至少一记忆区块，此至少一记忆区块包括多个第一页以及对应于此些第一页的多个第二页，此操作方法包括以下步骤：依据此些第一页的有效性信息，判断此些第一页中的一目标第一页是否为有效，其中目标第一页系对应此些第二页中的目标第二页；若目标第一页为有效，对目标第二页进行第一类型进程化操作；以及若目标第一页为无效，对目标第二页进行第二类型进程化操作。

5. 发明专利

TWI639085B 用於多位元記憶體的變型操作次序有权
简体标题：用于多比特内存的变型操作次序
公开(公告)号：TWI639085B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW104138204
申请日：2015-11-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張育銘 , CHANG, YU-MING , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 李祥邦 , LI, HSIANG-PANG , 張原豪 , CHANG, YUAN-HAO , 郭大維 , KUO, TEI-WEI
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08

6. 发明专利

TW201638955A 電子裝置及非揮發性記憶體裝置與編程方法审中-公开
简体标题：电子设备及非挥发性内存设备与编程方法
公开(公告)号：TW201638955A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104112965
申请日：2015-04-23
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：謝志昌 , HSIEH, CHIH-CHANG , 陳弟文 , CHEN, TI-WEN , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 呂函庭 , LUE, HANG-TING
IPC分类号： G11C16/06
摘要：本揭露提供一種記憶體裝置。記憶體裝置包含複數個記憶體單元及耦接至記憶體單元的控制電路。控制電路用以：提供一第一編程電壓至該些記憶體單元；以一中間位準驗證電壓驗證該些記憶體單元，以依據該些記憶體單元是否未到達或已到達該中間位準驗證電壓而分別將該些記憶體單元分為一第一組記憶體單元及一第二組記憶體單元；提供一第二編程電壓至該第一組記憶體單元，並禁止該第二組記憶體單元接收該第二編程電壓，該第二編程電壓大於或等於該第一編程電壓；及以一期望位準電壓驗證該第一組記憶體單元及該第二組記憶體單元。
简体摘要：本揭露提供一种内存设备。内存设备包含复数个内存单元及耦接至内存单元的控制电路。控制电路用以：提供一第一编程电压至该些内存单元；以一中间位准验证电压验证该些内存单元，以依据该些内存单元是否未到达或已到达该中间位准验证电压而分别将该些内存单元分为一第一组内存单元及一第二组内存单元；提供一第二编程电压至该第一组内存单元，并禁止该第二组内存单元接收该第二编程电压，该第二编程电压大于或等于该第一编程电压；及以一期望位准电压验证该第一组内存单元及该第二组内存单元。

7. 发明专利

TW201612901A 記憶體裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201612901A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103133821
申请日：2014-09-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：方柏超 , FANG, PO-CHAO , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/22
摘要：一種記憶體裝置及其操作方法。記憶體裝置之操作方法包括：施加一初始化偏壓至複數個記憶胞，使得該些記憶胞具有複數個閥值電壓；以及根據該些閥值電壓分別施加複數個寫入電壓至該些記憶胞，使得該些記憶胞由該些閥值電壓改變為複數個目標閥值電壓，其中該些寫入電壓彼此不同。
简体摘要：一种内存设备及其操作方法。内存设备之操作方法包括：施加一初始化偏压至复数个记忆胞，使得该些记忆胞具有复数个阀值电压；以及根据该些阀值电压分别施加复数个写入电压至该些记忆胞，使得该些记忆胞由该些阀值电压改变为复数个目标阀值电压，其中该些写入电压彼此不同。

8. 发明专利

TW201440071A 記憶體的操作方法审中-公开
简体标题：内存的操作方法
公开(公告)号：TW201440071A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103101683
申请日：2014-01-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：謝志昌 , HSIEH, CHIH CHANG , 陳弟文 , CHEN, TI WEN , 李永駿 , LI, YUNG CHUN , 張國彬 , CHANG, KUO PIN
IPC分类号： G11C7/22 , G11C8/08
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2216/14 , H01L27/11551 , H01L27/11578
摘要：對具有多位元之記憶胞的記憶體，一次施加一個單脈衝序列(或於單通道內)。例如，利用具有對多目標程式化位階之程式化驗證步驟的一遞增脈衝程式化序列，對複數個具有多位元之記憶胞進行程式化。藉由這些技術，所需之程式化脈衝的數量，以及程式化資料所需花費的時間均可減少。連帶的，程式化的速度可獲得改善，且干擾的情形也將改善。針對不同類型的記憶胞、記憶體架構、程式化速度與資料儲存密度，可搭配各種單通道多位階程式化的操作。
简体摘要：对具有多比特之记忆胞的内存，一次施加一个单脉冲串行(或於单信道内)。例如，利用具有对多目标进程化位阶之进程化验证步骤的一递增脉冲进程化串行，对复数个具有多比特之记忆胞进行进程化。借由这些技术，所需之进程化脉冲的数量，以及进程化数据所需花费的时间均可减少。连带的，进程化的速度可获得改善，且干扰的情形也将改善。针对不同类型的记忆胞、内存架构、进程化速度与数据存储密度，可搭配各种单信道多位阶进程化的操作。

9. 发明专利

TWI652680B 記憶體裝置及其編程方法有权
简体标题：内存设备及其编程方法
公开(公告)号：TWI652680B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW107127477
申请日：2018-08-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 林秉賢 , LIN, PING-HSIEN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/34

10. 发明专利

TWI567742B 電子裝置及非揮發性記憶體裝置與編程方法有权
简体标题：电子设备及非挥发性内存设备与编程方法
公开(公告)号：TWI567742B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104112965
申请日：2015-04-23
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：謝志昌 , HSIEH, CHIH-CHANG , 陳弟文 , CHEN, TI-WEN , 李永駿 , LI, YUNG-CHUN , 呂函庭 , LUE, HANG-TING
IPC分类号： G11C16/06

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