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1. 发明专利

TW201704030A 車用顯示裝置审中-公开
简体标题：车用显示设备
公开(公告)号：TW201704030A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105117441
申请日：2016-06-02
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：橋本匡平 , HASHIMOTO, KYOHEI , 井上淳 , INOUE, ATSUSHI , 井上泰宏 , INOUE, YASUHIRO , 加藤保真 , KATO, YASUMASA , 深澤寧司 , FUKASAWA, YASUJI , 小林裕介 , KOBAYASHI, YUSUKE , 小西正哲 , KONISHI, MASAAKI
IPC分类号： B32B33/00 , B32B17/06 , B32B7/12 , G09F9/00
CPC分类号： C03C3/087 , B32B7/12 , B32B17/06 , B60K37/02 , B60K2350/2086 , C03C3/076 , C03C3/093 , G02F1/133308 , G02F2001/133331 , G02F2201/503
摘要：本發明係關於一種配置於車輛之內裝構件之車用顯示裝置。本發明之車用顯示裝置具備顯示面板、覆蓋上述顯示面板之覆蓋玻璃、收納上述顯示面板之殼體、及將上述殼體進行位置保持之保持部，上述覆蓋玻璃係板厚為0.5~2.5mm、壓縮應力層之厚度為10μm以上、壓縮應力層之表面壓縮應力為650MPa以上之強化玻璃，且將上述覆蓋玻璃之板厚(單位：mm)設為x，將上述保持部之能量吸收率(單位：%)設為y時，滿足下式(1)，從而覆蓋玻璃之耐衝擊性優異。 y≧-37.1×1n(x)+53.7‧‧‧(1)
简体摘要：本发明系关于一种配置于车辆之内装构件之车用显示设备。本发明之车用显示设备具备显示皮肤、覆盖上述显示皮肤之覆盖玻璃、收纳上述显示皮肤之壳体、及将上述壳体进行位置保持之保持部，上述覆盖玻璃系板厚为0.5~2.5mm、压缩应力层之厚度为10μm以上、压缩应力层之表面压缩应力为650MPa以上之强化玻璃，且将上述覆盖玻璃之板厚(单位：mm)设为x，将上述保持部之能量吸收率(单位：%)设为y时，满足下式(1)，从而覆盖玻璃之耐冲击性优异。 y≧-37.1×1n(x)+53.7‧‧‧(1)

2. 发明专利

TW201613831A 車載顯示裝置审中-公开
简体标题：车载显示设备
公开(公告)号：TW201613831A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104127366
申请日：2015-08-21
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：井上淳 , INOUE, ATSUSHI , 山本功 , YAMAMOTO, ISAO , 橋本匡平 , HASHIMOTO, KYOHEI , 加藤保真 , KATO, YASUMASA , 深澤寧司 , FUKASAWA, YASUJI , 小林裕介 , KOBAYASHI, YUSUKE
IPC分类号： C03B18/12 , B60K35/00 , B60J1/00
CPC分类号： C03C3/083 , B32B7/12 , B32B17/06 , B32B17/064
摘要：提供蓋玻璃之耐衝擊性優良之車載顯示裝置。一種車載顯示裝置，是以表層之蓋玻璃作為第1層、並將到第n層為止之構件積層而構成之車載顯示裝置；上述蓋玻璃是板厚為0.5~2.5mm且表面壓應力層之厚度為10μm以上之強化玻璃，滿足特定之式(I)。
简体摘要：提供盖玻璃之耐冲击性优良之车载显示设备。一种车载显示设备，是以表层之盖玻璃作为第1层、并将到第n层为止之构件积层而构成之车载显示设备；上述盖玻璃是板厚为0.5~2.5mm且表面压应力层之厚度为10μm以上之强化玻璃，满足特定之式(I)。

3. 发明专利

TW201603107A 蝕刻裝置、蝕刻方法、基板之製造方法、及基板审中-公开
简体标题：蚀刻设备、蚀刻方法、基板之制造方法、及基板
公开(公告)号：TW201603107A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104112245
申请日：2015-04-16
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：富永龍 , TOMINAGA, RYU , 佐藤啓史 , SATO, HIROSHI , 似內佑輔 , NITANAI, YUSUKE , 深澤寧司 , FUKASAWA, YASUJI , 城山厚 , KIYAMA, ATSUSHI , 中谷嘉孝 , NAKATANI, YOSHITAKA , 若林沙枝 , WAKABAYASHI, SAE
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/6776 , H01L21/67086 , H01L21/67173
摘要：本發明之蝕刻裝置(100)包含：蝕刻槽(110)，其具有基板搬入口(111)及基板搬出口(112)；搬送裝置(120)，其自基板搬入口(111)朝向基板搬出口(112)搬送基板(500)；噴嘴(130)，其設置於蝕刻槽(110)內部，將反應氣體吹送至藉由搬送裝置(120)搬送之基板500之背面(510)；及氣流控制裝置(140)，其設置於蝕刻槽(110)內部，抑制自基板搬入口(111)及基板搬出口(112)流入蝕刻槽(110)內部之外部空氣流入基板(500)之背面(510)與噴嘴(130)間之間隙(131)。
简体摘要：本发明之蚀刻设备(100)包含：蚀刻槽(110)，其具有基板搬入口(111)及基板搬出口(112)；搬送设备(120)，其自基板搬入口(111)朝向基板搬出口(112)搬送基板(500)；喷嘴(130)，其设置于蚀刻槽(110)内部，将反应气体吹送至借由搬送设备(120)搬送之基板500之背面(510)；及气流控制设备(140)，其设置于蚀刻槽(110)内部，抑制自基板搬入口(111)及基板搬出口(112)流入蚀刻槽(110)内部之外部空气流入基板(500)之背面(510)与喷嘴(130)间之间隙(131)。

4. 发明专利

TW201604005A 複合體审中-公开
简体标题：复合体
公开(公告)号：TW201604005A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104119468
申请日：2015-06-16
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：角田純一 , KAKUTA, JUNICHI , 井手正迪 , IDE, MASAMICHI , 江畑研一 , EBATA, KENICHI , 深澤寧司 , FUKASAWA, YASUJI , 小林大介 , KOBAYASHI, DAISUKE , 鈴木祐一 , SUZUKI, YUICHI
IPC分类号： B32B17/10 , B32B7/04 , H01L23/12
CPC分类号： B32B17/10 , C03C17/32
摘要：本發明之目的在於提供一種於對表面存在微小裂縫之玻璃基板施加拉伸應力時不易產生破裂之複合體。本發明係關於一種複合體，其中樹脂層之樹脂深入至微小裂縫內部之至少一部分，且樹脂距離玻璃基板表面之深入深度df相對於上述微小裂縫之深度d的比、與上述樹脂層之斷裂伸長率TE(%)、及上述樹脂層之降伏應力σS(MPa)的乘積為400MPa‧%以上，並且上述樹脂層之拉伸彈性模數為1.0GPa以上。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种于对表面存在微小裂缝之玻璃基板施加拉伸应力时不易产生破裂之复合体。本发明系关于一种复合体，其中树脂层之树脂深入至微小裂缝内部之至少一部分，且树脂距离玻璃基板表面之深入深度df相对于上述微小裂缝之深度d的比、与上述树脂层之断裂伸长率TE(%)、及上述树脂层之降伏应力σS(MPa)的乘积为400MPa‧%以上，并且上述树脂层之拉伸弹性模数为1.0GPa以上。

5. 发明专利

TWI508208B 半導體製造用治具及其製造方法有权
简体标题：半导体制造用治具及其制造方法
公开(公告)号：TWI508208B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW099135363
申请日：2010-10-14
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：紙透洋一 , KAMISUKI, YOICHI , 近藤新二 , KONDO, SHINJI , 深澤寧司 , FUKASAWA, YASUJI , 川口將德 , KAWAGUCHI, MASANORI , 橋本篤人 , HASHIMOTO, ATSUTO
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/4581 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B29/36 , C30B35/00 , H01L21/67366

6. 发明专利

TWI317667B 玻璃基板之倒角方法及裝置失效
简体标题：玻璃基板之倒角方法及设备
公开(公告)号：TWI317667B
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW096105302
申请日：2007-02-13
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：黑岩裕 , 伊賀元一 , 伊藤節郎 , 深澤寧司 , 渡邊滿
IPC分类号： B23K
CPC分类号： C03B29/08 , Y02P40/57
摘要：本發明之目的在於提供一種可使玻璃基板之端面的彎曲強度及衝擊強度提升，以防止玻璃基板製程中的玻璃基板之破裂或缺陷，並且使生產性提升的新穎的玻璃基板之倒角方法及裝置。
本發明之玻璃基板之倒角方法及裝置是利用雷射光線之倒角方法，其特徵為：對玻璃基板的端面照射雷射光線，同時以冷卻氣體對前述玻璃基板的雷射光線照射部進行送風。【創作特點】本發明是鑒於上述情況而研創者，其目的在於提供一種可使玻璃基板及顯示器用玻璃基板，尤其是平面顯示器用玻璃基板或是被用來作為遮光罩的玻璃基板之端面的彎曲強度及衝擊強度提升，以防止平面顯示器製程當中的玻璃基板之破裂或缺陷，並且使生產性提升的新穎的玻璃基板之倒角方法及裝置。
為了達成前述目的，本發明提供一種玻璃基板之倒角方法，是利用雷射光線之照射的玻璃基板之倒角方法，其特徵為：對玻璃基板的端面照射至少一束雷射光線，同時以冷卻氣體對前述玻璃基板的雷射光線照射部進行送風。
本發明當中，前述雷射光線的照射角度相對於前述玻璃基板之端面的垂直方向，於前述端面的長邊方向最好為70°以內，並且於板厚方向為70°以內。
本發明當中，前述冷卻氣體的送風方向相對於前述玻璃基板之端面的垂直方向，於前述端面的長邊方向最好為70°以內，並且於板厚方向為45°以內。
本發明當中，前述冷卻氣體的風速在雷射光線照射部最好為風速1m/秒~200m/秒。
又，本發明當中，於前述玻璃基板之端面，以連結雷射光線照射部剖面之能量密度分布為最大的1/e 2 (e為自然對數之底。以下相同。)之部分的曲線所包圍的面之前述玻璃基板之端面的長邊方向的寬度為W(mm)，前述雷射光線與前述玻璃基板的相對掃描速度為U(mm/s)時，則以W≦0.15×U＋2為佳，又以0.02≦W≦0.15×U＋2更佳。
又，本發明當中，於前述玻璃基板之端面，以前述雷射光線照射部剖面之總瓦數/照射面積所定義的平均功率密度為P(W/mm 2 )時，則以(0.5×U＋0.2)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7為佳，又以(4×U)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7更佳。
又，本發明當中，在對前述玻璃基板的端面照射前述雷射光線之前，最好先預熱前述玻璃基板的端面。
又，掃描前述雷射光線的速度相對於玻璃基板最好是0.1~200mm/秒。
又，前述雷射光線的波長最好是3~11μm。
又，前述雷射光線相對於玻璃基板最好是朝玻璃基板之端面的厚度方向收斂。
本發明適合在連續性地供應熔融玻璃並利用漂浮法製造玻璃基板的生產線當中，連續性地進行玻璃基板之倒角的情況。
又，本發明提供一種玻璃基板之倒角裝置，是進行一種照射雷射光束之前述記載的玻璃基板之倒角方法的玻璃基板之倒角裝置，其特徵為具備有：對玻璃的端面照射至少一束雷射光線的機構：以及以冷卻氣體對前述玻璃基板的雷射光線照射部進行送風的機構。
根據本發明之方法及裝置，可提供一種玻璃基板及顯示器用玻璃基板，尤其是平面顯示器用玻璃基板或是被用來作為遮光罩之經過倒角處理的玻璃基板，以防止平面顯示器製程當中的玻璃基板之破裂或缺陷，使生產性提升。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可使玻璃基板之端面的弯曲强度及冲击强度提升，以防止玻璃基板制程中的玻璃基板之破裂或缺陷，并且使生产性提升的新颖的玻璃基板之倒角方法及设备。本发明之玻璃基板之倒角方法及设备是利用激光光线之倒角方法，其特征为：对玻璃基板的端面照射激光光线，同时以冷却气体对前述玻璃基板的激光光线照射部进行送风。【创作特点】本发明是鉴于上述情况而研创者，其目的在于提供一种可使玻璃基板及显示器用玻璃基板，尤其是平面显示器用玻璃基板或是被用来作为遮光罩的玻璃基板之端面的弯曲强度及冲击强度提升，以防止平面显示器制程当中的玻璃基板之破裂或缺陷，并且使生产性提升的新颖的玻璃基板之倒角方法及设备。为了达成前述目的，本发明提供一种玻璃基板之倒角方法，是利用激光光线之照射的玻璃基板之倒角方法，其特征为：对玻璃基板的端面照射至少一束激光光线，同时以冷却气体对前述玻璃基板的激光光线照射部进行送风。本发明当中，前述激光光线的照射角度相对于前述玻璃基板之端面的垂直方向，于前述端面的长边方向最好为70°以内，并且于板厚方向为70°以内。本发明当中，前述冷却气体的送风方向相对于前述玻璃基板之端面的垂直方向，于前述端面的长边方向最好为70°以内，并且于板厚方向为45°以内。本发明当中，前述冷却气体的风速在激光光线照射部最好为风速1m/秒~200m/秒。又，本发明当中，于前述玻璃基板之端面，以链接激光光线照射部剖面之能量密度分布为最大的1/e 2 (e为自然对数之底。以下相同。)之部分的曲线所包围的面之前述玻璃基板之端面的长边方向的宽度为W(mm)，前述激光光线与前述玻璃基板的相对扫描速度为U(mm/s)时，则以W≦0.15×U＋2为佳，又以0.02≦W≦0.15×U＋2更佳。又，本发明当中，于前述玻璃基板之端面，以前述激光光线照射部剖面之总瓦数/照射面积所定义的平均功率密度为P(W/mm 2 )时，则以(0.5×U＋0.2)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7为佳，又以(4×U)/0.7/(0.15×U＋2)≦P≦(10×U＋10)/0.005×U×0.7更佳。又，本发明当中，在对前述玻璃基板的端面照射前述激光光线之前，最好先预热前述玻璃基板的端面。又，扫描前述激光光线的速度相对于玻璃基板最好是0.1~200mm/秒。又，前述激光光线的波长最好是3~11μm。又，前述激光光线相对于玻璃基板最好是朝玻璃基板之端面的厚度方向收敛。本发明适合在连续性地供应熔融玻璃并利用漂浮法制造玻璃基板的生产线当中，连续性地进行玻璃基板之倒角的情况。又，本发明提供一种玻璃基板之倒角设备，是进行一种照射激光光束之前述记载的玻璃基板之倒角方法的玻璃基板之倒角设备，其特征为具备有：对玻璃的端面照射至少一束激光光线的机构：以及以冷却气体对前述玻璃基板的激光光线照射部进行送风的机构。根据本发明之方法及设备，可提供一种玻璃基板及显示器用玻璃基板，尤其是平面显示器用玻璃基板或是被用来作为遮光罩之经过倒角处理的玻璃基板，以防止平面显示器制程当中的玻璃基板之破裂或缺陷，使生产性提升。

7. 发明专利

TWI359797B 除去熔融玻璃之泡的方法及除去裝置、以及玻璃之製造方法有权
简体标题：除去熔融玻璃之泡的方法及除去设备、以及玻璃之制造方法
公开(公告)号：TWI359797B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW096116170
申请日：2007-05-07
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：渡邊滿 , 黑岩裕 , 伊賀元一 , 伊藤節郎 , 深澤寧司
IPC分类号： C03B
CPC分类号： C03B5/225 , Y02P40/57
摘要：本發明係以提供一種解決玻璃基板製造時，其殘存於熔融玻璃表面之泡於成形時捲入內部成為內部泡之問題，提供良好品質之玻璃基板，同時可提昇玻璃基板生產性，有效去除殘留於熔融玻璃表面之泡的除去方法，與泡除去裝置及使用該泡除去方法之玻璃製造方法為目的。
本發明提供一種熔融玻璃表面浮游泡的除去方法，使至少1束雷射光線對熔融玻璃表面的浮游泡，以所定的角度照射之熔融玻璃的泡除去方法及泡除去裝置。
简体摘要：本发明系以提供一种解决玻璃基板制造时，其残存于熔融玻璃表面之泡于成形时卷入内部成为内部泡之问题，提供良好品质之玻璃基板，同时可提升玻璃基板生产性，有效去除残留于熔融玻璃表面之泡的除去方法，与泡除去设备及使用该泡除去方法之玻璃制造方法为目的。本发明提供一种熔融玻璃表面浮游泡的除去方法，使至少1束激光光线对熔融玻璃表面的浮游泡，以所定的角度照射之熔融玻璃的泡除去方法及泡除去设备。

8. 发明专利

TW201101405A 具有碳化矽被膜之半導體熱處理構件审中-公开
简体标题：具有碳化硅被膜之半导体热处理构件
公开(公告)号：TW201101405A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099112855
申请日：2010-04-23
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：川口將德 , 紙透洋一 , 深澤寧司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/4404 , Y10T428/24355
摘要：本發明係提供一種能使清洗步驟的頻度降低,而可明顯提升晶圓處理之生產能力的具有CVD-SiC被膜之半導體熱處理構件。本發明所提供的半導體熱處理構件,其特徵在於:具有SiC被膜如下,即,將利用雷射顯微鏡依400~600倍倍率觀測CVD-SiC被膜而獲得的截面輪廓之傅立葉頻譜,分別以0.01≦��≦0.02與0.05≦��≦0.2範圍進行積分的値,各自設為I1與I2後,製膜於半導體熱處理構件上的CVD-SiC被膜的表面性狀為I1達0.9以上的SiC被膜、以及表面性狀為I1在0.9以下,且I2達1.6以上的SiC被膜。
简体摘要：本发明系提供一种能使清洗步骤的频度降低,而可明显提升晶圆处理之生产能力的具有CVD-SiC被膜之半导体热处理构件。本发明所提供的半导体热处理构件,其特征在于:具有SiC被膜如下,即,将利用激光显微镜依400~600倍倍率观测CVD-SiC被膜而获得的截面轮廓之傅里叶频谱,分别以0.01≦��≦0.02与0.05≦��≦0.2范围进行积分的値,各自设为I1与I2后,制膜于半导体热处理构件上的CVD-SiC被膜的表面性状为I1达0.9以上的SiC被膜、以及表面性状为I1在0.9以下,且I2达1.6以上的SiC被膜。

9. 发明专利

TW201123338A 半導體製造用治具及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造用治具及其制造方法
公开(公告)号：TW201123338A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099135363
申请日：2010-10-14
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：紙透洋一 , 近藤新二 , 深澤寧司 , 川口將德 , 橋本篤人
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/4581 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B29/36 , C30B35/00 , H01L21/67366
摘要：本發明係關於一種半導體製造用治具及該半導體製造用治具之製造方法，該半導體製造用治具包含治具基材及形成於治具基材上之SiC被膜，其係用於半導體製造步驟中之CVD裝置，將上述SiC被膜之表面假設為無凹凸之平滑者而算出之表觀上之表面積S1、與實際之表面積S2之表面積比(表面積S2/表面積S1)為1.4~3.2。
简体摘要：本发明系关于一种半导体制造用治具及该半导体制造用治具之制造方法，该半导体制造用治具包含治具基材及形成于治具基材上之SiC被膜，其系用于半导体制造步骤中之CVD设备，将上述SiC被膜之表面假设为无凹凸之平滑者而算出之表观上之表面积S1、与实际之表面积S2之表面积比(表面积S2/表面积S1)为1.4~3.2。

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