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1. 发明专利

TW201622086A 封裝結構及其製作方法审中-公开
简体标题：封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201622086A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103142586
申请日：2014-12-08
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/4803 , H01L21/4846 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/3677 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106
摘要：一種封裝結構包括第一基板、圖案化防焊層、多個第一導熱凸塊、晶片及第二基板。第一基板包括第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、相對的第一表面及第二表面。第一及第二圖案化金屬層分別設置於第一及第二表面上。圖案化防焊層設置於第一及第二圖案化金屬層上並暴露部份第一及第二圖案化金屬層。第一導熱凸塊設置於暴露的第一圖案化金屬層上並與其熱耦接。晶片設置於第一表面上。晶片電性連接第一圖案化金屬層並熱耦接第一導熱凸塊。各第一導熱凸塊的相對兩端分別連接第一及第二基板，且第一導熱凸塊熱耦接第二基板。
简体摘要：一种封装结构包括第一基板、图案化防焊层、多个第一导热凸块、芯片及第二基板。第一基板包括第一图案化金属层、第二图案化金属层、相对的第一表面及第二表面。第一及第二图案化金属层分别设置于第一及第二表面上。图案化防焊层设置于第一及第二图案化金属层上并暴露部份第一及第二图案化金属层。第一导热凸块设置于暴露的第一图案化金属层上并与其热耦接。芯片设置于第一表面上。芯片电性连接第一图案化金属层并热耦接第一导热凸块。各第一导热凸块的相对两端分别连接第一及第二基板，且第一导热凸块热耦接第二基板。

2. 发明专利

TWI489918B 封裝載板有权
简体标题：封装载板
公开(公告)号：TWI489918B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101143964
申请日：2012-11-23
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：王金勝 , WANG, CHIN SHENG , 陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H05K1/14 , H05K1/18 , H01L23/485
CPC分类号： H05K1/0206 , H01L2924/0002 , H05K2201/10416 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201422075A 封裝載板审中-公开
简体标题：封装载板
公开(公告)号：TW201422075A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101143964
申请日：2012-11-23
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：王金勝 , WANG, CHIN SHENG , 陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H05K1/14 , H05K1/18 , H01L23/485
CPC分类号： H05K1/0206 , H01L2924/0002 , H05K2201/10416 , H01L2924/00
摘要：一種封裝載板，包括一基材、一第一與第二絕緣層、一第一與第二圖案化線路層、至少一第一與第二導電通孔、一導熱通道、一黏著層以及一導熱元件。第一與第二圖案化線路層分別配置於第一與第二絕緣層上。第一與第二絕緣層分別配置於基材的一上表面與一下表面上。導熱通道至少貫穿第一絕緣層、第一與第二圖案化線路層以及基材。第一與第二導電通孔電性連接基材、第一圖案化線路層以及第二圖案化線路層。導熱元件的至少二相對側表面上各具有至少一凸部或至少一凹部。導熱元件透過黏著層而固定於導熱通道內。
简体摘要：一种封装载板，包括一基材、一第一与第二绝缘层、一第一与第二图案化线路层、至少一第一与第二导电通孔、一导热信道、一黏着层以及一导热组件。第一与第二图案化线路层分别配置于第一与第二绝缘层上。第一与第二绝缘层分别配置于基材的一上表面与一下表面上。导热信道至少贯穿第一绝缘层、第一与第二图案化线路层以及基材。第一与第二导电通孔电性连接基材、第一图案化线路层以及第二图案化线路层。导热组件的至少二相对侧表面上各具有至少一凸部或至少一凹部。导热组件透过黏着层而固定于导热信道内。

4. 发明专利

TW201415683A 接合導熱基板與金屬層的方法审中-公开
简体标题：接合导热基板与金属层的方法
公开(公告)号：TW201415683A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101136943
申请日：2012-10-05
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： B23K20/002 , B23K20/14 , B23K31/02 , B32B37/04 , B32B37/12 , B32B2311/00
摘要：一種接合導熱基板與金屬層的方法，此方法是先提供導熱基板、第一金屬層與前置層，其中前置層位於導熱基板與第一金屬層之間，且前置層為第二金屬層或金屬氧化物層。之後，於無氧環境下，對前置層進行加熱製程，以將前置層轉換成接合層來接合導熱基板與第一金屬層。加熱製程的溫度小於或等於300℃。
简体摘要：一种接合导热基板与金属层的方法，此方法是先提供导热基板、第一金属层与前置层，其中前置层位于导热基板与第一金属层之间，且前置层为第二金属层或金属氧化物层。之后，于无氧环境下，对前置层进行加热制程，以将前置层转换成接合层来接合导热基板与第一金属层。加热制程的温度小于或等于300℃。

5. 发明专利

TW201630495A 封裝基板及其製作方法审中-公开
简体标题：封装基板及其制作方法
公开(公告)号：TW201630495A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104104529
申请日：2015-02-11
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：王金勝 , WANG, CHIN SHENG , 陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H05K3/40 , H01L23/535
CPC分类号： B65D65/40 , B32B37/02 , B32B37/12 , B32B38/06 , B32B2038/047 , B32B2311/12 , B32B2457/08 , C25D5/022 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/11462 , H01L2924/15313
摘要：一種封裝基板的製作方法。形成一第一底材。以電鍍的方式形成多個金屬凸塊於第一底材上。提供一具有一上表面與一下表面、一核心介電層、一第一銅箔層、一第二銅箔層及多個容置凹槽的第二底材。形成一黏著層於容置凹槽的內壁。壓合第一與第二底材，以使金屬凸塊容置於容置凹槽內。移除第一底材。形成多個從上表面延伸至金屬凸塊的盲孔。形成一導電材料層於第一及第二銅箔層上，其中導電材料層填滿盲孔而定義出多個導通孔。圖案化導電材料層而形成一第一圖案化金屬層及一第二圖案化金屬層。
简体摘要：一种封装基板的制作方法。形成一第一底材。以电镀的方式形成多个金属凸块于第一底材上。提供一具有一上表面与一下表面、一内核介电层、一第一铜箔层、一第二铜箔层及多个容置凹槽的第二底材。形成一黏着层于容置凹槽的内壁。压合第一与第二底材，以使金属凸块容置于容置凹槽内。移除第一底材。形成多个从上表面延伸至金属凸块的盲孔。形成一导电材料层于第一及第二铜箔层上，其中导电材料层填满盲孔而定义出多个导通孔。图案化导电材料层而形成一第一图案化金属层及一第二图案化金属层。

6. 发明专利

TW201622073A 封裝結構及其製作方法审中-公开
简体标题：封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201622073A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103141782
申请日：2014-12-02
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/76877 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/8203 , H05K1/185 , H05K3/4644 , H05K3/4697
摘要：一種封裝結構的製作方法包括下列步驟。提供包括核心層、第一及第二圖案化金屬層的基材。第一及第二圖案化金屬層分別設置於核心層的相對兩表面。形成貫穿基材的貫穿槽。設置基材於膠帶載具上。設置半導體元件於貫穿槽內，貫穿槽的內壁與半導體元件的側表面共同定義出溝槽。塗佈填充膠體於溝槽上方。進行加熱製程以使填充膠體往靠近膠帶載具的方向流動而全面性填充溝槽。壓合第一疊構層於第一圖案化金屬層上。第一疊構層覆蓋至少部份半導體元件。移除膠帶載具。壓合第二疊構層於第二圖案化金屬層上。第二疊構層覆蓋至少部份半導體元件。
简体摘要：一种封装结构的制作方法包括下列步骤。提供包括内核层、第一及第二图案化金属层的基材。第一及第二图案化金属层分别设置于内核层的相对两表面。形成贯穿基材的贯穿槽。设置基材于胶带载具上。设置半导体组件于贯穿槽内，贯穿槽的内壁与半导体组件的侧表面共同定义出沟槽。涂布填充胶体于沟槽上方。进行加热制程以使填充胶体往靠近胶带载具的方向流动而全面性填充沟槽。压合第一叠构层于第一图案化金属层上。第一叠构层覆盖至少部份半导体组件。移除胶带载具。压合第二叠构层于第二图案化金属层上。第二叠构层覆盖至少部份半导体组件。

7. 发明专利

TWI553792B 封裝結構及其製作方法有权
简体标题：封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI553792B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103141782
申请日：2014-12-02
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/76877 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/8203 , H05K1/185 , H05K3/4644 , H05K3/4697

8. 发明专利

TWI542271B 封裝基板及其製作方法有权
简体标题：封装基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI542271B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW104104529
申请日：2015-02-11
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：王金勝 , WANG, CHIN SHENG , 陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H05K3/40 , H01L23/535
CPC分类号： B65D65/40 , B32B37/02 , B32B37/12 , B32B38/06 , B32B2038/047 , B32B2311/12 , B32B2457/08 , C25D5/022 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/11462 , H01L2924/15313

9. 发明专利

TWI517321B 封裝結構及其製作方法有权
简体标题：封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI517321B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103142586
申请日：2014-12-08
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/4803 , H01L21/4846 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/3677 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106

10. 发明专利

TWI463710B 接合導熱基板與金屬層的方法有权
简体标题：接合导热基板与金属层的方法
公开(公告)号：TWI463710B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW101136943
申请日：2012-10-05
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳建銘 , CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： B23K20/002 , B23K20/14 , B23K31/02 , B32B37/04 , B32B37/12 , B32B2311/00

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