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1. 外观设计

TWD186028S 熱電偶用保護管之部分有权
简体标题：热电偶用保护管之部分
公开(公告)号：TWD186028S
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW106300153
申请日：2017-01-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：赤尾徳信 , AKAO, TOKUNOBU , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 村田等 , MURATA, HITOSHI , 杉下雅士 , SUGISHITA, MASASHI , 篠崎賢次 , SHINOZAKI, KENJI

2. 发明专利

TWI492324B 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：基板处理设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI492324B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101120290
申请日：2012-06-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：八島伸二 , YASHIMA, SHINJI , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/263 , H05B6/806

3. 发明专利

TWI455243B 基板處理設備及製造半導體裝置之方法有权
简体标题：基板处理设备及制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TWI455243B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW100135202
申请日：2011-09-29
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：赤尾徳信 , AKAO, TOKUNOBU , 小川雲龍 , OGAWA, UNRYU , 奧野正久 , OKUNO, MASAHISA , 八島伸二 , YASHIMA, SHINJI , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI , 南嘉一郎 , MINAMI, KAICHIRO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/28194 , H01L21/3105 , H01L21/67109 , H01L21/68792 , H01L29/517

4. 发明专利

TW201903372A 溫度感測器、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：温度传感器、基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201903372A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107128038
申请日：2016-02-19
申请人：日商日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：大坂晃弘 , OSAKA, AKIHIRO , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 赤尾德信 , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI , 竹脇基哉 , 山口英人 , YAMAGUCHI, HIDETO
IPC分类号： G01K7/02 , G01K1/08 , H05B1/00 , H01L21/02
摘要：本發明係提供將反應管內部所設置之熱電偶，設置於反應管外部的構成。本發明的熱電偶，係構成為具備有：測溫部，其係測定反應管內的溫度；本體部，其於內部設有構成上述測溫部的芯線；以及緩衝部，其設置於上述本體部之至少上述測溫部附近；其中，其介隔著上述緩衝部與上述反應管接觸的狀態，被固定於上述反應管的外側。
简体摘要：本发明系提供将反应管内部所设置之热电偶，设置于反应管外部的构成。本发明的热电偶，系构成为具备有：测温部，其系测定反应管内的温度；本体部，其于内部设有构成上述测温部的芯线；以及缓冲部，其设置于上述本体部之至少上述测温部附近；其中，其介隔着上述缓冲部与上述反应管接触的状态，被固定于上述反应管的外侧。

5. 外观设计

TWD186027S 熱電偶用保護管有权
简体标题：热电偶用保护管
公开(公告)号：TWD186027S
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW106300152
申请日：2017-01-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：赤尾徳信 , AKAO, TOKUNOBU , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 村田等 , MURATA, HITOSHI , 杉下雅士 , SUGISHITA, MASASHI , 篠崎賢次 , SHINOZAKI, KENJI

6. 发明专利

TWI478224B 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI478224B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW100142166
申请日：2011-11-18
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：小川雲龍 , OGAWA, UNRYU , 奧野正久 , OKUNO, MASAHISA , 赤尾徳信 , AKAO, TOKUNOBU , 八島伸二 , YASHIMA, SHINJI , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI , 南嘉一郎 , MINAMI, KAICHIRO
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6875 , H05B6/806

7. 发明专利

TW201447984A 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备，半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201447984A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103111689
申请日：2014-03-28
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：紺谷忠司 , KONTANI, TADASHI , 立野秀人 , TATENO, HIDETO , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/52 , C23C14/246 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/02271
摘要：本發明係提供一種可使半導體裝置之製造品質提昇，並且可使製造產能提昇之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。本發明之基板處理裝置係包括有：處理室，其將基板加以收納；汽化器，其將處理液加以汽化，並將處理氣體加以供給至上述處理室內；儲液槽，其貯存上述處理液；流量控制部，其控制自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液流量；線路切換單元，其連接於上述儲液槽；槽供給管，其連接於上述線路切換單元，且對上述儲液槽供給處理液；排出部，其連接於上述線路切換單元，且將上述儲液槽內之處理液加以排出；及控制部，其在自上述處理液供給管將處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，以進行自上述儲液槽將處理液加以排出至上述排出部之處理液排出步驟、及自上述槽供給管加以將處理液供給至上述排出部之管內排出步驟中之任一步驟或兩步驟之方式，加以控制上述線路切換單元。
简体摘要：本发明系提供一种可使半导体设备之制造品质提升，并且可使制造产能提升之基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体。本发明之基板处理设备系包括有：处理室，其将基板加以收纳；汽化器，其将处理液加以汽化，并将处理气体加以供给至上述处理室内；储液槽，其贮存上述处理液；流量控制部，其控制自上述储液槽而朝向上述汽化器之上述处理液流量；线路切换单元，其连接于上述储液槽；槽供给管，其连接于上述线路切换单元，且对上述储液槽供给处理液；排出部，其连接于上述线路切换单元，且将上述储液槽内之处理液加以排出；及控制部，其在自上述处理液供给管将处理液加以供给至上述储液槽之处理液补充步骤之前与之后中之任一者或两者，以进行自上述储液槽将处理液加以排出至上述排出部之处理液排出步骤、及自上述槽供给管加以将处理液供给至上述排出部之管内排出步骤中之任一步骤或两步骤之方式，加以控制上述线路切换单元。

8. 发明专利

TW201312682A 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201312682A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101120290
申请日：2012-06-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：八島伸二 , YASHIMA, SHINJI , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/263 , H05B6/806
摘要：本發明的課題是在於提供一種可一面抑制基板溫度的過度上昇，一面加熱處理包含加熱對象的聚醯亞胺膜或High-k膜的基板之基板處理技術。其解決手段係構成一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係處理基板；導電性的基板支撐台，其係設於上述處理室內；介電質板，其設於上述基板支撐台上，載置基板；微波產生部，其係設於上述處理室外；及微波供給部，其係將在上述微波產生部所產生的微波供給至上述處理室內。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可一面抑制基板温度的过度上升，一面加热处理包含加热对象的聚酰亚胺膜或High-k膜的基板之基板处理技术。其解决手段系构成一种基板处理设备，系具备：处理室，其系处理基板；导电性的基板支撑台，其系设于上述处理室内；介电质板，其设于上述基板支撑台上，载置基板；微波产生部，其系设于上述处理室外；及微波供给部，其系将在上述微波产生部所产生的微波供给至上述处理室内。

9. 发明专利

TWI555059B 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备，半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI555059B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW103111689
申请日：2014-03-28
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：紺谷忠司 , KONTANI, TADASHI , 立野秀人 , TATENO, HIDETO , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/52 , C23C14/246 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/02271

10. 外观设计

TWD166552S 基板處理裝置用氣化器有权
简体标题：基板处理设备用气化器
公开(公告)号：TWD166552S
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW102305014
申请日：2013-07-23
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：立野秀人 , TATENO, HIDETO , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI , 紺谷忠司 , KONTANI, TADASHI , 奥野正久 , OKUNO, MASAHISA , 定田拓也 , JODA, TAKUYA

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