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1. 发明专利

TWI612611B 樣品的脫離方法及電漿處理裝置有权
简体标题：样品的脱离方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI612611B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105126383
申请日：2016-08-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI , 池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J37/32788 , H01L21/67069 , H01L21/6833

2. 发明专利

TW201640558A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201640558A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105104757
申请日：2016-02-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU , 池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32422 , H01J37/32577 , H01J37/32706 , H01J37/32917 , H01J37/32972 , H01L21/6831
摘要：本發明之課題在於提供一種將利用電漿所發生的晶圓表面電位在電漿放電中斷中消除、能夠減低異物往晶圓附著之電漿處理裝置。本發明之解決手段之電漿處理裝置，係具備：電漿處理室、供給用以生成前述電漿的高頻電力之高頻電源、具備供使前述試料靜電吸附用的電極且載置前述試料之試料台、對前述電極施加直流電壓之直流電源，與在前述電漿放電中，使預先被設定的前述直流電壓往負的方向第一變換量分變換，在前述電漿放電結束後，使往前述負的方向被第一變換量分變換的前述直流電壓往正的方向第二變換量分變換之控制裝置；前述第一變換量，係在使前述直流電壓往正的方向變換時將前述試料表面的電位設為0V之數值；前述第二變換量，係基於由前述電漿所形成的漂移電位而求出的數值。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种将利用等离子所发生的晶圆表面电位在等离子放电中断中消除、能够减低异物往晶圆附着之等离子处理设备。本发明之解决手段之等离子处理设备，系具备：等离子处理室、供给用以生成前述等离子的高频电力之高频电源、具备供使前述试料静电吸附用的电极且载置前述试料之试料台、对前述电极施加直流电压之直流电源，与在前述等离子放电中，使预先被设置的前述直流电压往负的方向第一变换量分变换，在前述等离子放电结束后，使往前述负的方向被第一变换量分变换的前述直流电压往正的方向第二变换量分变换之控制设备；前述第一变换量，系在使前述直流电压往正的方向变换时将前述试料表面的电位设为0V之数值；前述第二变换量，系基于由前述等离子所形成的漂移电位而求出的数值。

3. 发明专利

TWI592981B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI592981B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105104757
申请日：2016-02-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU , 池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32422 , H01J37/32577 , H01J37/32706 , H01J37/32917 , H01J37/32972 , H01L21/6831

4. 发明专利

TW201725651A 樣品的脫離方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：样品的脱离方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201725651A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105126383
申请日：2016-08-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI , 池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J37/32788 , H01L21/67069 , H01L21/6833
摘要：本發明，係提供可減低往樣品附著的異物的樣品的脫離方法及電漿處理裝置。本發明，係在從對靜電吸附用的電極施加直流電壓使得靜電吸附了樣品的樣品台使經電漿處理的樣品脫離的樣品的脫離方法中，使前述經電漿處理的樣品上升至前述樣品台之上方後，以前述樣品的電位變小的方式控制前述直流電壓。
简体摘要：本发明，系提供可减低往样品附着的异物的样品的脱离方法及等离子处理设备。本发明，系在从对静电吸附用的电极施加直流电压使得静电吸附了样品的样品台使经等离子处理的样品脱离的样品的脱离方法中，使前述经等离子处理的样品上升至前述样品台之上方后，以前述样品的电位变小的方式控制前述直流电压。

5. 发明专利

TWI594287B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI594287B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104126389
申请日：2015-08-13
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI , 石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32697 , H01J37/32706 , H01J37/32724

6. 发明专利

TW201624518A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201624518A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104126389
申请日：2015-08-13
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI , 石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32697 , H01J37/32706 , H01J37/32724
摘要：本發明係提供可以取得期待之蝕刻形狀，並且抑制良率因異物附著而惡化的電漿處理裝置。本發明係一種電漿處理裝置，其具備：試料被施予電漿處理的處理室；供給用以生成電漿之高頻電力的高頻電源；具備用以靜電吸附上述試料的電極，且載置上述試料的試料台；和對上述電極施加直流電壓之直流電源，該電漿處理裝置之特徵在於：更具備控制裝置，其係在不存在上述電漿之情況下，以施加使上述試料之電位之絕對值變小之直流電壓之方式，控制上述直流電源。
简体摘要：本发明系提供可以取得期待之蚀刻形状，并且抑制良率因异物附着而恶化的等离子处理设备。本发明系一种等离子处理设备，其具备：试料被施予等离子处理的处理室；供给用以生成等离子之高频电力的高频电源；具备用以静电吸附上述试料的电极，且载置上述试料的试料台；和对上述电极施加直流电压之直流电源，该等离子处理设备之特征在于：更具备控制设备，其系在不存在上述等离子之情况下，以施加使上述试料之电位之绝对值变小之直流电压之方式，控制上述直流电源。

7. 发明专利

TW201604988A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201604988A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104121119
申请日：2015-06-30
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU , 池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32706 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要：本發明的課題是在於提供一種有關電漿處理，可抑制在隨著處理的切換之電漿放電的中斷中，於晶圓與處理室內壁面之間產生電位差，降低帶電的異物往晶圓附著之技術。其解決手段，電漿處理裝置是具備：電漿處理室、高頻電源、載置試料的試料台、用以使被配置於試料台的內部的試料靜電吸附的電極、對電極施加直流電壓的直流電源、及電漿放電的中斷時，控制直流電源的輸出電壓，而使試料的電位與電漿處理室的內壁的電位的電位差能夠降低至預定的範圍內的電位差之控制裝置。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种有关等离子处理，可抑制在随着处理的切换之等离子放电的中断中，于晶圆与处理室内壁面之间产生电位差，降低带电的异物往晶圆附着之技术。其解决手段，等离子处理设备是具备：等离子处理室、高频电源、载置试料的试料台、用以使被配置于试料台的内部的试料静电吸附的电极、对电极施加直流电压的直流电源、及等离子放电的中断时，控制直流电源的输出电压，而使试料的电位与等离子处理室的内壁的电位的电位差能够降低至预定的范围内的电位差之控制设备。

8. 发明专利

TWI585883B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI585883B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104121119
申请日：2015-06-30
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石黒正貴 , ISHIGURO, MASAKI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 白米茂 , SHIRAYONE, SHIGERU , 池永和幸 , IKENAGA, KAZUYUKI , 田村智行 , TAMURA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32706 , H01J37/32935 , H01J37/3299

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