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    • 4. 发明专利
    • 透明導電性膜之製造方法
    • 透明导电性膜之制造方法
    • TW201316359A
    • 2013-04-16
    • TW101130156
    • 2012-08-20
    • 日東電工股份有限公司NITTO DENKO CORPORATION
    • 田部真理TANABE, MARI安藤豪彥ANDOU, HIDEHIKO菅原英男SUGAWARA, HIDEO
    • H01B5/14H01B13/00G06F3/041
    • H01B13/0036G06F3/041G06F2203/04103
    • 於本發明之透明導電體層經圖案化之透明導電性膜中,即便於將基材之厚度縮小至80μm以下之情形時,亦可抑止由可視認透明導電體層之圖案邊界所導致之美觀性之降低。本發明之製造方法包括:積層體準備步驟,準備於可撓性透明基材上形成有未圖案化之透明導電體層之積層體;圖案化步驟,去除透明導電體層之一部分,圖案化為於可撓性透明基材上具有透明導電體層之圖案形成部、及於可撓性透明基材上不具有透明導電體層之圖案開口部;以及熱處理步驟,加熱透明導電體層經圖案化後之上述積層體。較佳為處理步驟中之圖案形成部之尺寸變化率H1與圖案開口部之尺寸變化率H2之差H1-H2的絕對值未達0.03%。
    • 于本发明之透明导电体层经图案化之透明导电性膜中,即便于将基材之厚度缩小至80μm以下之情形时,亦可抑止由可视认透明导电体层之图案边界所导致之美观性之降低。本发明之制造方法包括:积层体准备步骤,准备于可挠性透明基材上形成有未图案化之透明导电体层之积层体;图案化步骤,去除透明导电体层之一部分,图案化为于可挠性透明基材上具有透明导电体层之图案形成部、及于可挠性透明基材上不具有透明导电体层之图案开口部;以及热处理步骤,加热透明导电体层经图案化后之上述积层体。较佳为处理步骤中之图案形成部之尺寸变化率H1与图案开口部之尺寸变化率H2之差H1-H2的绝对值未达0.03%。
    • 6. 发明专利
    • 透明導電性膜之製造方法
    • 透明导电性膜之制造方法
    • TW201526033A
    • 2015-07-01
    • TW104108676
    • 2012-08-20
    • 日東電工股份有限公司NITTO DENKO CORPORATION
    • 田部真理TANABE, MARI安藤豪彥ANDOU, HIDEHIKO菅原英男SUGAWARA, HIDEO
    • H01B5/14H01B13/00G06F3/041
    • H01B13/0036G06F3/041G06F2203/04103
    • 於本發明之透明導電體層經圖案化之透明導電性膜中,即便於將基材之厚度縮小至80μm以下之情形時,亦可抑止由可視認透明導電體層之圖案邊界所導致之美觀性之降低。本發明之製造方法包括:積層體準備步驟,準備於可撓性透明基材上形成有未圖案化之透明導電體層之積層體;圖案化步驟,去除透明導電體層之一部分,圖案化為於可撓性透明基材上具有透明導電體層之圖案形成部、及於可撓性透明基材上不具有透明導電體層之圖案開口部;以及熱處理步驟,加熱透明導電體層經圖案化後之上述積層體。較佳為處理步驟中之圖案形成部之尺寸變化率H1與圖案開口部之尺寸變化率H2之差H1-H2的絕對值未達0.03%。
    • 于本发明之透明导电体层经图案化之透明导电性膜中,即便于将基材之厚度缩小至80μm以下之情形时,亦可抑止由可视认透明导电体层之图案边界所导致之美观性之降低。本发明之制造方法包括:积层体准备步骤,准备于可挠性透明基材上形成有未图案化之透明导电体层之积层体;图案化步骤,去除透明导电体层之一部分,图案化为于可挠性透明基材上具有透明导电体层之图案形成部、及于可挠性透明基材上不具有透明导电体层之图案开口部;以及热处理步骤,加热透明导电体层经图案化后之上述积层体。较佳为处理步骤中之图案形成部之尺寸变化率H1与图案开口部之尺寸变化率H2之差H1-H2的绝对值未达0.03%。