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1. 发明专利

TWI527174B 具有半導體元件之封裝結構有权
简体标题：具有半导体组件之封装结构
公开(公告)号：TWI527174B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW099140103
申请日：2010-11-19
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳國華 , CHEN, KUO HUA , 蔡莉雯 , TSAI, LI WEN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/538
CPC分类号： H01L24/03 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05558 , H01L2224/056 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/131 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012

2. 发明专利

TW201423124A 半導體堆疊封裝件的測試方法及應用其之半導體堆疊封裝件审中-公开
简体标题：半导体堆栈封装件的测试方法及应用其之半导体堆栈封装件
公开(公告)号：TW201423124A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101146453
申请日：2012-12-10
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳國華 , CHEN, KUO HUA , 楊國賓 , YANG, KUO PIN
IPC分类号： G01R31/26
摘要：一種半導體堆疊封裝件的測試方法及應用其之半導體堆疊封裝件。測試方法包括以下步驟。首先，提供半導體堆疊封裝件。半導體堆疊封裝件包括載板及半導體晶片，載板具有上表面，而半導體晶片堆疊於載板之上表面上，載板與半導體晶片之一者包括外側面及測試導孔，測試導孔從外側面露出。然後，驅動測試針腳側向地接觸該測試導孔，以透過測試導孔測試載板與半導體晶片中至少一者。
简体摘要：一种半导体堆栈封装件的测试方法及应用其之半导体堆栈封装件。测试方法包括以下步骤。首先，提供半导体堆栈封装件。半导体堆栈封装件包括载板及半导体芯片，载板具有上表面，而半导体芯片堆栈于载板之上表面上，载板与半导体芯片之一者包括外侧面及测试导孔，测试导孔从外侧面露出。然后，驱动测试针脚侧向地接触该测试导孔，以透过测试导孔测试载板与半导体芯片中至少一者。

3. 发明专利

TW201342552A 封裝載體結構审中-公开
简体标题：封装载体结构
公开(公告)号：TW201342552A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101111911
申请日：2012-04-03
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：林慈樺 , LIN, TZU HUA , 陳國華 , CHEN, KUO HUA , 陳冠能 , CHEN, KUAN NENG
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要：本發明係關於一種封裝載體結構，該封裝載體結構包括一基材、一第一鈍化層、至少一第一金屬墊以及一保護層。該基材具有一第一表面及至少一穿導孔，該穿導孔具有一第一端面，該第一端面顯露於該第一表面。該第一鈍化層形成於該基材之第一表面，該第一鈍化層具有至少一第一開口，該第一開口顯露該穿導孔之第一端面。該第一金屬墊形成於該第一鈍化層之第一開口，該第一金屬墊具有一中間部及一邊緣部，該中間部形成於該穿導孔之第一端面上，該邊緣部形成於該第一鈍化層上。該保護層覆蓋該第一金屬墊之邊緣部，藉此，可在凸塊與該第一金屬墊發生對位偏移時，防止未與凸塊連接之邊緣部氧化。
简体摘要：本发明系关于一种封装载体结构，该封装载体结构包括一基材、一第一钝化层、至少一第一金属垫以及一保护层。该基材具有一第一表面及至少一穿导孔，该穿导孔具有一第一端面，该第一端面显露于该第一表面。该第一钝化层形成于该基材之第一表面，该第一钝化层具有至少一第一开口，该第一开口显露该穿导孔之第一端面。该第一金属垫形成于该第一钝化层之第一开口，该第一金属垫具有一中间部及一边缘部，该中间部形成于该穿导孔之第一端面上，该边缘部形成于该第一钝化层上。该保护层覆盖该第一金属垫之边缘部，借此，可在凸块与该第一金属垫发生对位偏移时，防止未与凸块连接之边缘部氧化。

4. 发明专利

TW201342538A 半導體封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201342538A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101113144
申请日：2012-04-13
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：蔡莉雯 , TSAI, LI WEN , 陳國華 , CHEN, KUO HUA , 林慈樺 , LIN, TZU HUA
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/1302 , H01L2224/16105 , H01L2924/00012
摘要：一種半導體封裝結構及其製造方法。半導體封裝結構包括一基板及一晶片。基板具有一承載表面。晶片具有一主動表面。晶片設置於基板上，且晶片之主動表面實質上垂直於基板之承載表面。
简体摘要：一种半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括一基板及一芯片。基板具有一承载表面。芯片具有一主动表面。芯片设置于基板上，且芯片之主动表面实质上垂直于基板之承载表面。

5. 发明专利

TWI387084B 具有穿導孔之基板及具有穿導孔之基板之封裝結構有权
简体标题：具有穿导孔之基板及具有穿导孔之基板之封装结构
公开(公告)号：TWI387084B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW098103034
申请日：2009-01-23
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳國華 , CHEN, KUO HUA , 楊國賓 , YANG, KUO PIN
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/34
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L23/147 , H01L23/3677 , H01L23/49816 , H01L24/16 , H01L25/0652 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2224/0401

6. 发明专利

TWI384603B 基板結構及應用其之封裝結構有权
简体标题：基板结构及应用其之封装结构
公开(公告)号：TWI384603B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW098111726
申请日：2009-04-08
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳國華 , CHEN, KUO HUA , 李明錦 , LEE, MING CHIANG , 李宗勳 , LEE, TSUNG HSUN , 范振銓 , FAN, CHEN CHUAN
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H05K1/0298 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/09 , H05K1/116 , H05K2201/09781

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