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1. 发明专利

TWI642099B 半導體晶圓的粗磨方法及半導體晶圓有权
简体标题：半导体晶圆的粗磨方法及半导体晶圆
公开(公告)号：TWI642099B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106114616
申请日：2017-05-03
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：橋本大輔 , HASHIMOTO, DAISUKE , 又川敏 , MATAGAWA, SATOSHI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04

2. 发明专利

TW201812890A 半導體晶圓的粗磨方法及半導體晶圓审中-公开
简体标题：半导体晶圆的粗磨方法及半导体晶圆
公开(公告)号：TW201812890A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106114616
申请日：2017-05-03
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：橋本大輔 , HASHIMOTO, DAISUKE , 又川敏 , MATAGAWA, SATOSHI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/08 , H01L21/304
摘要：提供半導體晶圓的粗磨方法，其能夠抑制奈米形貌/地圖中的環狀圖案的發生。本發明的半導體晶圓的粗磨方法，其特徵在於包括：停止半導體晶圓W的粗磨之停止程序；該停止程序之後，使得半導體晶圓W的對於上定盤10A及下定盤10B的對向面反轉的反轉程序；及該反轉程序之後，維持對向面Wa及Wb的反轉，並再開始半導體晶圓W的粗磨的再開始程序。
简体摘要：提供半导体晶圆的粗磨方法，其能够抑制奈米形貌/地图中的环状图案的发生。本发明的半导体晶圆的粗磨方法，其特征在于包括：停止半导体晶圆W的粗磨之停止进程；该停止进程之后，使得半导体晶圆W的对于上定盘10A及下定盘10B的对向面反转的反转进程；及该反转进程之后，维持对向面Wa及Wb的反转，并再开始半导体晶圆W的粗磨的再开始进程。

3. 发明专利

TW201436018A 半導體晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201436018A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103104550
申请日：2014-02-12
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02013 , B24B7/228 , B24B27/0633 , B24B37/08 , B24B37/107 , B28D5/045
摘要：在晶圓的加工方法中，將晶圓切片後緊接著同時平坦化加工晶圓的兩面，該晶圓的加工方法是以在利用線鋸裝置來將半導體單結晶錠切片而取得的晶圓的一方的面全面塗佈硬化性材料後的平坦的表面作為基準面，將晶圓的另一方的面平面研削，以平面研削後的晶圓的另一方的面作為基準面，將晶圓的一方的面平面研削。
简体摘要：在晶圆的加工方法中，将晶圆切片后紧接着同时平坦化加工晶圆的两面，该晶圆的加工方法是以在利用线锯设备来将半导体单结晶锭切片而取得的晶圆的一方的面全面涂布硬化性材料后的平坦的表面作为基准面，将晶圆的另一方的面平面研削，以平面研削后的晶圆的另一方的面作为基准面，将晶圆的一方的面平面研削。

4. 发明专利

TW201740449A 晶圓之製造方法及晶圓审中-公开
简体标题：晶圆之制造方法及晶圆
公开(公告)号：TW201740449A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105140591
申请日：2016-12-08
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO , 中島亮 , NAKASHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/04 , B24B7/22
CPC分类号： B24B7/04 , B24B7/22 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種的晶圓的製造方法，即使在晶圓的起伏大的情況下，也能夠平坦化成不需要降低製造效率，也不會對半導體裝置的製造產生影響的程度。晶圓的製造方法，包括：樹脂層形成步驟，將晶圓W的一側的面W1形成樹脂層R；第1平面研削步驟，透過樹脂層R保持一側的面W1，平面研削另一側的面W2；樹脂層除去步驟，除去該樹脂層R；以及第2平面研削步驟，保持另一側的面W2，平面研削一側的面W1，其中該樹脂層形成步驟中滿足以下式(1)來形成該樹脂層。 T/X>30...(1) X：晶圓上的波長10mm以上100mm以下的起伏的最大振幅 T：樹脂層的最厚部分的厚度
简体摘要：本发明提供一种的晶圆的制造方法，即使在晶圆的起伏大的情况下，也能够平坦化成不需要降低制造效率，也不会对半导体设备的制造产生影响的程度。晶圆的制造方法，包括：树脂层形成步骤，将晶圆W的一侧的面W1形成树脂层R；第1平面研削步骤，透过树脂层R保持一侧的面W1，平面研削另一侧的面W2；树脂层除去步骤，除去该树脂层R；以及第2平面研削步骤，保持另一侧的面W2，平面研削一侧的面W1，其中该树脂层形成步骤中满足以下式(1)来形成该树脂层。 T/X>30...(1) X：晶圆上的波长10mm以上100mm以下的起伏的最大振幅 T：树脂层的最厚部分的厚度

5. 发明专利

TWI515783B 半導體晶圓的加工方法有权
简体标题：半导体晶圆的加工方法
公开(公告)号：TWI515783B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103104550
申请日：2014-02-12
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02013 , B24B7/228 , B24B27/0633 , B24B37/08 , B24B37/107 , B28D5/045

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