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1. 发明专利

TWI673169B 密封片、電子裝置用構件及電子裝置有权
简体标题：密封片、电子设备用构件及电子设备
公开(公告)号：TWI673169B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104137472
申请日：2015-11-13
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：原務 , HARA, TSUTOMU , 近藤健 , KONDO, TAKESHI , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： B32B3/26 , B32B25/08 , B32B25/18 , C09K3/10 , H01L23/29 , H01L23/31

2. 发明专利

TW201724291A 黏著薄片及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：黏着薄片及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201724291A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128254
申请日：2016-09-01
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： H01L21/56 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J201/00
摘要：一種黏著薄片(10)，其係在半導體裝置製造製程所使用之黏著薄片(10)，該半導體裝置製造製程係具有下述之步驟：於具有基材(11)與基材(11)之上所形成之黏著劑層(12)的黏著薄片(10)，使形成複數開口部(21)之框架構件(20)貼著之步驟、與在框架構件(20)之開口部(21)曝露之黏著劑層(12)使半導體晶片貼著之步驟、與將前述半導體晶片以密封樹脂被覆之步驟、與使前述密封樹脂熱硬化之步驟、與使其熱硬化後，剝離黏著薄片(10)之步驟，基材(11)係可彎曲，將基材(11)的厚度與黏著劑層(12)的厚度之和定為tAS[μm]，將框架構件(20)的厚度定為tFR[μm]的情況下，係滿足tAS[μm]
简体摘要：一种黏着薄片(10)，其系在半导体设备制造制程所使用之黏着薄片(10)，该半导体设备制造制程系具有下述之步骤：于具有基材(11)与基材(11)之上所形成之黏着剂层(12)的黏着薄片(10)，使形成复数开口部(21)之框架构件(20)贴着之步骤、与在框架构件(20)之开口部(21)曝露之黏着剂层(12)使半导体芯片贴着之步骤、与将前述半导体芯片以密封树脂被覆之步骤、与使前述密封树脂热硬化之步骤、与使其热硬化后，剥离黏着薄片(10)之步骤，基材(11)系可弯曲，将基材(11)的厚度与黏着剂层(12)的厚度之和定为tAS[μm]，将框架构件(20)的厚度定为tFR[μm]的情况下，系满足tAS[μm]

3. 发明专利

TW201723123A 黏著薄片审中-公开
简体标题：黏着薄片
公开(公告)号：TW201723123A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128264
申请日：2016-09-01
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI , 柄澤泰紀 , KARASAWA, YASUNORI , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/08 , C09J183/07 , H01L21/56 , C09J11/08
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
摘要：一種黏著薄片(10)，其為於密封黏著薄片上的半導體元件時所使用的黏著薄片(10)，其中，前述黏著薄片(10)為，具備基材(11)與黏著劑層(12)，前述黏著劑層(12)之表面自由能量為22mJ/m2以上、40mJ/m2以下。
简体摘要：一种黏着薄片(10)，其为于密封黏着薄片上的半导体组件时所使用的黏着薄片(10)，其中，前述黏着薄片(10)为，具备基材(11)与黏着剂层(12)，前述黏着剂层(12)之表面自由能量为22mJ/m2以上、40mJ/m2以下。

4. 发明专利

TW201723121A 黏著薄片审中-公开
简体标题：黏着薄片
公开(公告)号：TW201723121A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128262
申请日：2016-09-01
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI , 柄澤泰紀 , KARASAWA, YASUNORI , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
摘要：一種黏著薄片(10)，其為於密封黏著薄片上的半導體元件時所使用的黏著薄片(10)，其特徵為，具有基材(11)，與含有黏著劑之黏著劑層(12)，又，黏著劑層(12)之100℃下之儲存彈性率設定為A(Pa)、黏著劑層(12)之厚度設定為B(m)時，由下述關係式(1)算出之數值為1.5×10-5以上。 A×B2 (1)
简体摘要：一种黏着薄片(10)，其为于密封黏着薄片上的半导体组件时所使用的黏着薄片(10)，其特征为，具有基材(11)，与含有黏着剂之黏着剂层(12)，又，黏着剂层(12)之100℃下之存储弹性率设置为A(Pa)、黏着剂层(12)之厚度设置为B(m)时，由下述关系式(1)算出之数值为1.5×10-5以上。 A×B2 (1)

5. 发明专利

TW201723122A 黏著薄片审中-公开
简体标题：黏着薄片
公开(公告)号：TW201723122A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128263
申请日：2016-09-01
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 菊池和浩 , KIKUCHI, KAZUHIRO , 杉野貴志 , SUGINO, TAKASHI , 柄澤泰紀 , KARASAWA, YASUNORI , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/08 , C09J183/07 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J183/04 , C09J201/00
摘要：一種黏著薄片，其為於密封黏著薄片上的半導體元件時所使用的黏著薄片(10)，其中，前述黏著薄片(10)為具備基材(11)與黏著劑層(12)，前述黏著劑層(12)之表面自由能量為10mJ/m2以上、22mJ/m2以下。
简体摘要：一种黏着薄片，其为于密封黏着薄片上的半导体组件时所使用的黏着薄片(10)，其中，前述黏着薄片(10)为具备基材(11)与黏着剂层(12)，前述黏着剂层(12)之表面自由能量为10mJ/m2以上、22mJ/m2以下。

6. 发明专利

TW201622973A 密封片、電子裝置用構件及電子裝置审中-公开
简体标题：密封片、电子设备用构件及电子设备
公开(公告)号：TW201622973A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104137472
申请日：2015-11-13
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：原務 , HARA, TSUTOMU , 近藤健 , KONDO, TAKESHI , 淵恵美 , FUCHI, EMI
IPC分类号： B32B3/26 , B32B25/08 , B32B25/18 , C09K3/10 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H05B33/04 , H01L2924/00
摘要：本發明提出一種密封片、由該密封片組成的電子裝置用構件及具備該電子裝置用構件的電子裝置。該密封片，至少包括：在單一側表面具有微結構的基材樹脂層；以及密封樹脂層，其中該密封樹脂層配置於該基材樹脂層的具有微結構的面側，該微結構是最大高低差(H)為1~50μm的凸部二維排列於該基材樹脂層的表面的構造。根據本發明，提供了水蒸氣屏障性優秀的密封片、電子裝置用構件、及電子裝置。
简体摘要：本发明提出一种密封片、由该密封片组成的电子设备用构件及具备该电子设备用构件的电子设备。该密封片，至少包括：在单一侧表面具有微结构的基材树脂层；以及密封树脂层，其中该密封树脂层配置于该基材树脂层的具有微结构的面侧，该微结构是最大高低差(H)为1~50μm的凸部二维排列于该基材树脂层的表面的构造。根据本发明，提供了水蒸气屏障性优秀的密封片、电子设备用构件、及电子设备。

7. 发明专利

TW201544325A 積層構件的加工方法、積層構件的加工體以及阻氣性薄膜审中-公开
简体标题：积层构件的加工方法、积层构件的加工体以及阻气性薄膜
公开(公告)号：TW201544325A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104108035
申请日：2015-03-13
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：淵恵美 , FUCHI, EMI , 永縄智史 , NAGANAWA, SATOSHI
IPC分类号： B32B38/04 , B32B7/02
CPC分类号： B26D3/00 , B26D7/08 , B32B9/00 , B32B27/00 , B32B38/18
摘要：本發明提供一種積層構件的加工方法、積層構件的加工體以及阻氣性薄膜。本發明的積層構件的加工方法中，前述積層構件(100)包括第1板片(10)和配置於第1板片(10)的一面上之第2板片(20)，第1板片(10)包括基材(11)和積層於基材(11)的至少一面之阻氣層(12)，阻氣層(12)的利用納米壓痕儀測定之表面硬度為10GPa以上，第2板片(20)的與第1板片(10)對置之面的相反側的面，利用納米壓痕儀測定之其表面硬度為0.05GPa以上，並且包括切斷製程，於切斷製程中，從第2板片(20)側的面對積層構件(100)進行機械切斷加工，從而獲得包括第1板片(10)的切斷體及第2板片(20)的切斷體之積層構件(100)的加工體。依據該加工方法，裂縫不易進入阻氣層。
简体摘要：本发明提供一种积层构件的加工方法、积层构件的加工体以及阻气性薄膜。本发明的积层构件的加工方法中，前述积层构件(100)包括第1板片(10)和配置于第1板片(10)的一面上之第2板片(20)，第1板片(10)包括基材(11)和积层于基材(11)的至少一面之阻气层(12)，阻气层(12)的利用纳米压痕仪测定之表面硬度为10GPa以上，第2板片(20)的与第1板片(10)对置之面的相反侧的面，利用纳米压痕仪测定之其表面硬度为0.05GPa以上，并且包括切断制程，于切断制程中，从第2板片(20)侧的面对积层构件(100)进行机械切断加工，从而获得包括第1板片(10)的切断体及第2板片(20)的切断体之积层构件(100)的加工体。依据该加工方法，裂缝不易进入阻气层。

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