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1. 发明专利

TW201919796A 膜狀燒製材料以及具支撐片的膜狀燒製材料审中-公开
简体标题：膜状烧制材料以及具支撑片的膜状烧制材料
公开(公告)号：TW201919796A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132045
申请日：2018-09-12
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：市川功 , ICHIKAWA, ISAO , 中山秀一 , NAKAYAMA, HIDEKAZU , 佐藤明徳 , SATO, AKINORI
IPC分类号： B22F3/22 , B22F7/04 , H01L21/683
摘要：本發明係提供一種具支撐片的膜狀燒製材料，具備有膜狀燒製材料1以及設置於前述膜狀燒製材料之至少一側之支撐片2，其中膜狀燒製材料1含有燒結性金屬粒子10以及黏合劑成分20，燒結性金屬粒子10之含量為15質量%至98質量%，黏合劑成分20之含量為2質量%至50質量%，於60℃之拉伸彈性模數為4.0MPa至10.0MPa，於60℃之破裂伸長度為500%以上；前述膜狀燒製材料對支撐片之黏著力(a2)小於前述膜狀燒製材料對半導體晶圓之黏著力(a1)，且前述黏著力(a1)為0.1N/25mm以上，前述黏著力(a2)為0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
简体摘要：本发明系提供一种具支撑片的膜状烧制材料，具备有膜状烧制材料1以及设置于前述膜状烧制材料之至少一侧之支撑片2，其中膜状烧制材料1含有烧结性金属粒子10以及黏合剂成分20，烧结性金属粒子10之含量为15质量%至98质量%，黏合剂成分20之含量为2质量%至50质量%，于60℃之拉伸弹性模数为4.0MPa至10.0MPa，于60℃之破裂伸长度为500%以上；前述膜状烧制材料对支撑片之黏着力(a2)小于前述膜状烧制材料对半导体晶圆之黏着力(a1)，且前述黏着力(a1)为0.1N/25mm以上，前述黏着力(a2)为0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。

2. 发明专利

TW201906901A 膜狀燒成材料、附支撐片的膜狀燒成材料、膜狀燒成材料的製造方法以及附支撐片的膜狀燒成材料的製造方法审中-公开
简体标题：膜状烧成材料、附支撑片的膜状烧成材料、膜状烧成材料的制造方法以及附支撑片的膜状烧成材料的制造方法
公开(公告)号：TW201906901A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107107087
申请日：2018-03-02
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C08J5/18 , B32B27/20 , B22F3/22 , B22F7/04 , H01L23/373
摘要：本發明之膜狀燒成材料係含有燒結性金屬粒子(10)及黏合劑成分(20)之膜狀燒成材料(1a)，且於將膜狀燒成材料(1a)中的除端部(A)以外的部分的平均厚度設為100%之情形時，膜狀燒成材料(1a)的端部(A)的平均厚度較膜狀燒成材料(1a)中的除端部(A)以外的部分(B)的平均厚度厚5%以上。
简体摘要：本发明之膜状烧成材料系含有烧结性金属粒子(10)及黏合剂成分(20)之膜状烧成材料(1a)，且于将膜状烧成材料(1a)中的除端部(A)以外的部分的平均厚度设为100%之情形时，膜状烧成材料(1a)的端部(A)的平均厚度较膜状烧成材料(1a)中的除端部(A)以外的部分(B)的平均厚度厚5%以上。

3. 发明专利

TW201843744A 膜狀燒製材料以及具支撐片的膜狀燒製材料审中-公开
简体标题：膜状烧制材料以及具支撑片的膜状烧制材料
公开(公告)号：TW201843744A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107110774
申请日：2018-03-28
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：市川功 , ICHIKAWA, ISAO , 中山秀一 , NAKAYAMA, HIDEKAZU
IPC分类号： H01L21/477 , H01B1/22 , B22F3/22
摘要：一種膜狀燒製材料以及具支撐片的膜狀燒製材料，該膜狀燒製材料1係含有燒結性金屬粒子10及黏合劑成分20；在大氣氛圍下以10℃/分鐘之升溫速度測量從40℃至600℃後的熱重量曲線(TG曲線)中之負斜率最大的升溫開始後之時間(A1)；以及將氧化鋁粒子作為參考試料並在大氣氛圍下以10℃/分鐘之升溫速度測量從40℃至600℃後的熱差分析曲線(DTA曲線)中之從升溫開始後0秒至2160秒之時間範圍的最大峰值時間(B1)，是滿足A1
简体摘要：一种膜状烧制材料以及具支撑片的膜状烧制材料，该膜状烧制材料1系含有烧结性金属粒子10及黏合剂成分20；在大气氛围下以10℃/分钟之升温速度测量从40℃至600℃后的热重量曲线(TG曲线)中之负斜率最大的升温开始后之时间(A1)；以及将氧化铝粒子作为参考试料并在大气氛围下以10℃/分钟之升温速度测量从40℃至600℃后的热差分析曲线(DTA曲线)中之从升温开始后0秒至2160秒之时间范围的最大峰值时间(B1)，是满足A1

4. 发明专利

TW201420717A 保護膜形成層、保護膜形成用片及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：保护膜形成层、保护膜形成用片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201420717A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102126410
申请日：2013-07-24
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：高野健 , TAKANO, KEN , 吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C09J9/00 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J7/02 , H01L21/673 , H01L21/304
CPC分类号： C09D133/068 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供即使保管一定期間之後經過嚴酷的熱濕條件及回焊步驟之情形，與晶片之接著強度優良的保護膜形成層、具有該保護膜形成層之保護膜形成用片及使用該片之半導體裝置的製造方法。關於本發明之保護膜形成層，其具有：膠合劑聚合物成份(A)；熱硬化性成份(B)；無機填充劑(C)；矽烷偶合劑(D)，其具有烷氧基及烷氧基以外的反應性官能基，分子量為300以上而烷氧基當量較13mmol/g大；及矽烷偶合劑(E)，其具有烷氧基及烷氧基以外的反應性官能基，分子量為300以下而烷氧基當量為13mmol/g以下
简体摘要：本发明提供即使保管一定期间之后经过严酷的热湿条件及回焊步骤之情形，与芯片之接着强度优良的保护膜形成层、具有该保护膜形成层之保护膜形成用片及使用该片之半导体设备的制造方法。关于本发明之保护膜形成层，其具有：胶合剂聚合物成份(A)；热硬化性成份(B)；无机填充剂(C)；硅烷偶合剂(D)，其具有烷氧基及烷氧基以外的反应性官能基，分子量为300以上而烷氧基当量较13mmol/g大；及硅烷偶合剂(E)，其具有烷氧基及烷氧基以外的反应性官能基，分子量为300以下而烷氧基当量为13mmol/g以下

5. 发明专利

TWI669363B 接著劑組合物、接著片及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：接着剂组合物、接着片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI669363B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW102109175
申请日：2013-03-15
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：土山佐也香 , TSUCHIYAMA, SAYAKA , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J7/20 , H01L21/304

6. 发明专利

TW201339265A 接著劑組合物、接著片及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：接着剂组合物、接着片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201339265A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102109175
申请日：2013-03-15
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：土山佐也香 , TSUCHIYAMA, SAYAKA , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/06 , C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09J133/00 , C09J5/00 , C09J7/35 , C09J133/06 , C09J133/066 , C09J133/14 , C09J133/24 , C09J143/04 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/83 , H01L2224/83048 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , H01L2224/27 , H01L2924/0635 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要：提供一種接著劑組合物，能夠於接著劑層中將耦合劑均勻的混合，即使在多段封裝的製造時對接著劑層採用一次全部硬化製程的情形，能夠在一次全部硬化前穩定的進行打線，硬化後顯示優良的接著強度，特別是於半導體裝置達成高封裝信賴性。本發明的接著劑組合物，其特徵在於包含丙烯酸聚合物(A)、具有不飽和烴基的熱硬化性樹脂(B)以及具有反應性雙鍵基的耦合劑(C)。
简体摘要：提供一种接着剂组合物，能够于接着剂层中将耦合剂均匀的混合，即使在多段封装的制造时对接着剂层采用一次全部硬化制程的情形，能够在一次全部硬化前稳定的进行打线，硬化后显示优良的接着强度，特别是于半导体设备达成高封装信赖性。本发明的接着剂组合物，其特征在于包含丙烯酸聚合物(A)、具有不饱和烃基的热硬化性树脂(B)以及具有反应性双键基的耦合剂(C)。

7. 发明专利

TWI397568B 半導體晶片層合體及半導體晶片層合用接著劑組成物有权
简体标题：半导体芯片层合体及半导体芯片层合用接着剂组成物
公开(公告)号：TWI397568B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098140494
申请日：2009-11-27
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：柄澤泰紀 , KARASAWA, YASUNORI , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C09J133/02 , C09J163/00 , C09J11/00 , B32B7/12
CPC分类号： C08G59/686 , C08G59/38 , C08K5/50 , C08K5/55 , C08L33/04 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08L63/04 , C08L2666/02 , C08L2666/14 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J163/04 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

8. 发明专利

TW201501222A 半導體晶片之製造方法审中-公开
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201501222A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103105230
申请日：2014-02-18
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：米山裕之 , YONEYAMA, HIROYUKI , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO , 若山洋司 , WAKAYAMA, YOJI , 阿久津高志 , AKUTSU, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/10
摘要：提供可防止晶片以及接著薄膜之汙染，而可以簡便的方法得到具有接著薄膜之半導體晶片之半導體晶片的製造方法。本發明之半導體晶片之製造方法，包含：(a) 將黏晶用接著薄膜貼附於在表面形成了回路之半導體晶圓的回路面之工程；(b)層積黏晶用接著薄膜與表面保護薄片之工程；(c)研磨半導體晶圓的反面，將晶圓每個回路個片化，而得到分割後的一群的晶片之工程；(d)藉由將表面保護薄片擴張，將接著薄膜個片化成各晶片，而得到在回路面具有接著薄膜之晶片的工程；以及(e)從晶圓反面側照入雷射光，而在晶圓上形成將各回路區劃之改良領域層之工程，依照從(a)工程至(d)工程的順序進行，或是依照(b)工程、(a)工程、(c)工程、(d)工程的順序進行，在(c)工程之前進行(e)工程，而在(c)工程中以改質領域層為起點將晶圓每個回路個片化。
简体摘要：提供可防止芯片以及接着薄膜之污染，而可以简便的方法得到具有接着薄膜之半导体芯片之半导体芯片的制造方法。本发明之半导体芯片之制造方法，包含：(a) 将黏晶用接着薄膜贴附于在表面形成了回路之半导体晶圆的回路面之工程；(b)层积黏晶用接着薄膜与表面保护薄片之工程；(c)研磨半导体晶圆的反面，将晶圆每个回路个片化，而得到分割后的一群的芯片之工程；(d)借由将表面保护薄片扩张，将接着薄膜个片化成各芯片，而得到在回路面具有接着薄膜之芯片的工程；以及(e)从晶圆反面侧照入激光光，而在晶圆上形成将各回路区划之改良领域层之工程，依照从(a)工程至(d)工程的顺序进行，或是依照(b)工程、(a)工程、(c)工程、(d)工程的顺序进行，在(c)工程之前进行(e)工程，而在(c)工程中以改质领域层为起点将晶圆每个回路个片化。

9. 发明专利

TW201402758A 晶片用樹脂膜形成用片审中-公开
简体标题：芯片用树脂膜形成用片
公开(公告)号：TW201402758A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102107987
申请日：2013-03-07
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C09J7/02 , C09J11/04 , H01L21/683
CPC分类号： C08J5/18 , C08K7/04 , C08K2201/003 , C08K2201/016 , C08L2203/206 , C09J11/04 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： [課題]對於半導體裝置製造過程中，不施予半導體晶圓、晶片步驟數目增加、步驟繁雜等的特別處理所得到的半導體裝置，賦予放熱特性。[解決手段]本發明所述之晶片用樹脂膜形成用片具有支持片及形成於該支持片上的樹脂膜形成層，該樹脂膜形成層包含接著劑聚合物成分(A)、硬化性成分(B)、及無機填充物(C)，該樹脂膜形成層的熱擴散率為2×10-6m2/s以上。
简体摘要： [课题]对于半导体设备制造过程中，不施予半导体晶圆、芯片步骤数目增加、步骤繁杂等的特别处理所得到的半导体设备，赋予放热特性。[解决手段]本发明所述之芯片用树脂膜形成用片具有支持片及形成于该支持片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层包含接着剂聚合物成分(A)、硬化性成分(B)、及无机填充物(C)，该树脂膜形成层的热扩散率为2×10-6m2/s以上。

10. 发明专利

TW201402741A 接著劑組合物、接著板片及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：接着剂组合物、接着板片及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201402741A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102113562
申请日：2013-04-17
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：土山佐也香 , TSUCHIYAMA, SAYAKA , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C09J133/00 , C09J163/10 , C09J11/06 , C09J7/02 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC分类号： C08G18/58 , C08G18/4063 , C08G18/6229 , C08K5/29 , C08L33/066 , C08L61/00 , C08L63/10 , C08L71/00 , C09J133/066 , C09J163/10 , C09J175/04 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834
摘要：本發明之課題係在於提供可用於製造多層包裝，於硬化後顯示優良的晶片與晶片間的接著強度，特別是在於半導體裝置，可達成很高的包裝可靠度之接著劑組合物，由該接著劑組合物所組成之單層接著薄膜，具有由該接著劑組合物所組成之接著劑層之接著板片及使用該接著板片之半導體裝置之製造方法。關於本發明之接著劑組合物，其包含：丙烯酸聚合物(A)，其具有可與異氰酸酯基反應之官能基；環氧樹脂(B)；熱硬化劑(C)；及偶合劑(D)，其具有異氰酸酯基。
简体摘要：本发明之课题系在于提供可用于制造多层包装，于硬化后显示优良的芯片与芯片间的接着强度，特别是在于半导体设备，可达成很高的包装可靠度之接着剂组合物，由该接着剂组合物所组成之单层接着薄膜，具有由该接着剂组合物所组成之接着剂层之接着板片及使用该接着板片之半导体设备之制造方法。关于本发明之接着剂组合物，其包含：丙烯酸聚合物(A)，其具有可与异氰酸酯基反应之官能基；环氧树脂(B)；热硬化剂(C)；及偶合剂(D)，其具有异氰酸酯基。

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