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1. 发明专利

TWI699460B 電解鍍敷裝置及電解鍍敷方法有权
简体标题：电解镀敷设备及电解镀敷方法
公开(公告)号：TWI699460B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW107127305
申请日：2018-08-06
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：庄子史人 , SHOJI, FUMITO , 右田達夫 , MIGITA, TATSUO , 村野仁彦 , MURANO, MASAHIKO
IPC分类号： C25D7/12 , C25D17/18 , C25D21/12

2. 发明专利

TW201841318A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201841318A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106124853
申请日：2017-07-25
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：加本拓 , KAMOTO, TAKU , 右田達夫 , MIGITA, TATSUO , 渡辺慎也 , WATANABE, SHINYA
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/498
摘要：本發明之實施形態係提供一種基板接合之可靠性提昇之半導體裝置及其製造方法。實施形態之半導體裝置具有：第一半導體基板，其於表面設置有第一配線電極；第一保護層，其係形成於上述半導體基板上，且於上述第一配線電極上具有開口部；第一凸塊電極，其係形成於上述第一保護層之開口部；及凸塊，其係與上述第一凸塊電極接合，且凸塊直徑為30 μm以下。形成於上述開口部之上述第一凸塊電極之底面直徑係上述第一保護層之膜厚之1.5倍以下。
简体摘要：本发明之实施形态系提供一种基板接合之可靠性提升之半导体设备及其制造方法。实施形态之半导体设备具有：第一半导体基板，其于表面设置有第一配线电极；第一保护层，其系形成于上述半导体基板上，且于上述第一配线电极上具有开口部；第一凸块电极，其系形成于上述第一保护层之开口部；及凸块，其系与上述第一凸块电极接合，且凸块直径为30 μm以下。形成于上述开口部之上述第一凸块电极之底面直径系上述第一保护层之膜厚之1.5倍以下。

4. 发明专利

TWI603457B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI603457B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104139212
申请日：2015-11-25
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：右田達夫 , MIGITA, TATSUO , 小木曾浩二 , OGISO, KOJI
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/00 , H01L21/768 , H01L23/02
CPC分类号： H01L2224/16

5. 发明专利

TW201806079A 半導體製造方法审中-公开
简体标题：半导体制造方法
公开(公告)号：TW201806079A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106104038
申请日：2017-02-08
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：右田達夫 , MIGITA, TATSUO , 庄子史人 , SHOJI, FUMITO , 小木曽浩二 , OGISO, KOJI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , B08B3/02
CPC分类号： H01L21/76898 , B05B1/20 , B08B3/02 , H01L21/02068 , H01L21/02244 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/687 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L21/76879
摘要：本發明之實施形態提供一種不會產生漏鍍之不良之半導體製造方法。實施形態之半導體製造方法具備如下步驟：於半導體晶圓之一主面上，利用第1鍍覆處理形成第1金屬膜；一面自與半導體晶圓之一主面隔開配置之洗淨器朝一主面上噴射洗淨液，一面使洗淨器及半導體晶圓之至少一者旋轉，而洗淨第1金屬膜之表面；及於第1金屬膜上，利用第2鍍覆處理形成第2金屬膜。於洗淨器，設置有沿一方向配置之複數個噴嘴。複數個噴嘴係自與半導體晶圓之中心位置對向之位置偏離配置，且於半導體晶圓之周緣部側較半導體晶圓之中心側配置得更多。配置於半導體晶圓之周緣部側之噴嘴係對自一方向傾斜之方向之第1範圍內噴射洗淨液，配置於半導體晶圓之中心側之噴嘴中之1者對包含半導體晶圓之中心位置之第2範圍內噴射洗淨液。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种不会产生漏镀之不良之半导体制造方法。实施形态之半导体制造方法具备如下步骤：于半导体晶圆之一主面上，利用第1镀覆处理形成第1金属膜；一面自与半导体晶圆之一主面隔开配置之洗净器朝一主面上喷射洗净液，一面使洗净器及半导体晶圆之至少一者旋转，而洗净第1金属膜之表面；及于第1金属膜上，利用第2镀覆处理形成第2金属膜。于洗净器，设置有沿一方向配置之复数个喷嘴。复数个喷嘴系自与半导体晶圆之中心位置对向之位置偏离配置，且于半导体晶圆之周缘部侧较半导体晶圆之中心侧配置得更多。配置于半导体晶圆之周缘部侧之喷嘴系对自一方向倾斜之方向之第1范围内喷射洗净液，配置于半导体晶圆之中心侧之喷嘴中之1者对包含半导体晶圆之中心位置之第2范围内喷射洗净液。

6. 发明专利

TWI611487B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI611487B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104138097
申请日：2015-11-18
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：右田達夫 , MIGITA, TATSUO , 小木曾浩二 , OGISO, KOJI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/535
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/76888 , H01L23/481 , H01L2224/11

7. 发明专利

TWI673828B 半導體製造方法、洗淨裝置及在半導體晶圓中金屬化複數矽穿孔之方法有权
简体标题：半导体制造方法、洗净设备及在半导体晶圆中金属化复数硅穿孔之方法
公开(公告)号：TWI673828B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106104038
申请日：2017-02-08
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：右田達夫 , MIGITA, TATSUO , 庄子史人 , SHOJI, FUMITO , 小木曽浩二 , OGISO, KOJI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , B08B3/02

8. 发明专利

TWI601284B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI601284B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104100082
申请日：2015-01-05
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：小木曾浩二 , OGISO, KOJI , 東和幸 , HIGASHI, KAZUYUKI , 右田達夫 , MIGITA, TATSUO
IPC分类号： H01L29/02 , H01L29/06 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L2224/0557 , H01L2224/13009

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