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1. 发明专利

TWI684990B 記憶體裝置及其控制方法有权
简体标题：内存设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI684990B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107130560
申请日：2018-08-31
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22 , G11C11/02

2. 发明专利

TWI700691B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI700691B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW108120465
申请日：2019-06-13
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA
IPC分类号： G11C11/15

3. 发明专利

TW202011409A 非揮發性記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备
公开(公告)号：TW202011409A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108102682
申请日：2019-01-24
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/16 , G11C16/26
摘要：實施形態提供一種可進行有效之讀取動作之非揮發性記憶裝置。實施形態之非揮發性記憶裝置具備：第1及第2配線；記憶胞，其具有可將低電阻狀態及高電阻狀態之一者設定為資料之電阻變化記憶元件、與選擇電阻變化記憶元件之2端子開關元件的串聯連接；讀取電路30，其於第1及第2讀取期間自電阻變化記憶元件讀取資料；寫入電路20，其於第1及第2讀取期間之間的寫入期間將資料寫入電阻變化記憶元件；及判定電路40，其藉由將基於第1讀取期間讀取之資料之第1電壓與基於第2讀取期間讀取之資料之第2電壓比較而判定第1讀取期間讀取之資料；且該非揮發性記憶裝置構成為於第1讀取期間、寫入期間及第2讀取期間，於記憶胞流通同一方向之電流。
简体摘要：实施形态提供一种可进行有效之读取动作之非挥发性记忆设备。实施形态之非挥发性记忆设备具备：第1及第2配线；记忆胞，其具有可将低电阻状态及高电阻状态之一者设置为数据之电阻变化记忆组件、与选择电阻变化记忆组件之2端子开关组件的串联连接；读取电路30，其于第1及第2读取期间自电阻变化记忆组件读取数据；写入电路20，其于第1及第2读取期间之间的写入期间将数据写入电阻变化记忆组件；及判定电路40，其借由将基于第1读取期间读取之数据之第1电压与基于第2读取期间读取之数据之第2电压比较而判定第1读取期间读取之数据；且该非挥发性记忆设备构成为于第1读取期间、写入期间及第2读取期间，于记忆胞流通同一方向之电流。

4. 发明专利

TWI630607B 記憶裝置有权
简体标题：记忆设备
公开(公告)号：TWI630607B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW105142187
申请日：2016-12-20
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA
IPC分类号： G11C11/16

5. 发明专利

TW201820326A 記憶裝置审中-公开
简体标题：记忆设备
公开(公告)号：TW201820326A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105142187
申请日：2016-12-20
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA
IPC分类号： G11C11/16
摘要：根據實施形態，記憶裝置包含：記憶胞陣列，其具有複數個記憶胞；產生電路，其產生參照電流；感測放大器，其比較流通於記憶胞之胞電流、與上述參照電流，而檢測上述記憶胞所記憶之資料；第1箝位電晶體，其連接於上述感測放大器之第1輸入端子與上述記憶胞之間；第2箝位電晶體，其連接於上述感測放大器之第2輸入端子與上述產生電路之間；第1配線層，其連接於上述第1箝位電晶體之閘極，且於第1方向延伸；第2配線層，其連接於上述第2箝位電晶體之閘極，於上述第1方向延伸，且與上述第1配線層相鄰配置；及第1屏蔽線，其與上述第1配線層及上述第2配線層中之1者相鄰配置，於上述第1方向延伸，且被施加固定電壓。上述第1配線層與上述第2配線層之第1間隔窄於上述第1配線層及上述第2配線層中之1者與上述第1屏蔽線之第2間隔。
简体摘要：根据实施形态，记忆设备包含：记忆胞数组，其具有复数个记忆胞；产生电路，其产生参照电流；传感放大器，其比较流通于记忆胞之胞电流、与上述参照电流，而检测上述记忆胞所记忆之数据；第1箝位晶体管，其连接于上述传感放大器之第1输入端子与上述记忆胞之间；第2箝位晶体管，其连接于上述传感放大器之第2输入端子与上述产生电路之间；第1配线层，其连接于上述第1箝位晶体管之闸极，且于第1方向延伸；第2配线层，其连接于上述第2箝位晶体管之闸极，于上述第1方向延伸，且与上述第1配线层相邻配置；及第1屏蔽线，其与上述第1配线层及上述第2配线层中之1者相邻配置，于上述第1方向延伸，且被施加固定电压。上述第1配线层与上述第2配线层之第1间隔窄于上述第1配线层及上述第2配线层中之1者与上述第1屏蔽线之第2间隔。

6. 发明专利

TWI613651B 電阻變化型記憶體有权
简体标题：电阻变化型内存
公开(公告)号：TWI613651B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105106196
申请日：2016-03-01
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA , 藤田勝之 , FUJITA, KATSUYUKI
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/22
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1675 , G11C11/2253 , G11C11/2273 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2207/002

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