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2. 发明专利

TW201826269A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201826269A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106104201
申请日：2017-02-09
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：木村啓太 , KIMURA, KEITA
IPC分类号： G11C11/40 , G11C11/4197 , G11C11/56
摘要：本發明之實施形態提供一種可提高寫入之資料之可靠性之半導體記憶裝置。實施形態之半導體記憶裝置包含：第1及第2記憶胞；第1及第2選擇電晶體，其等之一端分別連接於第1及第2記憶胞；第1及第2位元線，其等分別連接於第1及第2選擇電晶體之另一端；及選擇線，其連接於第1及第2選擇電晶體。寫入動作包含第1及第2程式迴圈。於對字元線施加編程脈衝之期間，對第1位元線施加第1電壓，對第2位元線施加第2電壓，對選擇線施加第3電壓。於對字元線施加編程脈衝之前，對第2位元線施加第2電壓，對選擇線施加第4電壓。對選擇線施加第4電壓之長度，第2程式迴圈者較第1程式迴圈者長。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可提高写入之数据之可靠性之半导体记忆设备。实施形态之半导体记忆设备包含：第1及第2记忆胞；第1及第2选择晶体管，其等之一端分别连接于第1及第2记忆胞；第1及第2比特线，其等分别连接于第1及第2选择晶体管之另一端；及选择线，其连接于第1及第2选择晶体管。写入动作包含第1及第2进程循环。于对字符线施加编程脉冲之期间，对第1比特线施加第1电压，对第2比特线施加第2电压，对选择线施加第3电压。于对字符线施加编程脉冲之前，对第2比特线施加第2电压，对选择线施加第4电压。对选择线施加第4电压之长度，第2进程循环者较第1进程循环者长。

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