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1. 发明专利

TWI643246B 熱處理裝置、熱處理中之異常檢測方法及可讀取之電腦記憶媒體有权
简体标题：热处理设备、热处理中之异常检测方法及可读取之电脑记忆媒体
公开(公告)号：TWI643246B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW105108665
申请日：2016-03-21
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：森泰夫 , MORI, YASUO , 七種剛 , SAIKUSA, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/683

2. 发明专利

TW201837971A 熱處理裝置、熱處理方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：热处理设备、热处理方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201837971A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106143082
申请日：2017-12-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：磧本栄一 , SEKIMOTO, EIICHI , 七種剛 , SAIKUSA, TAKESHI , 脊谷裕司 , SEKO, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
摘要：一種熱處理裝置，其係在處理室內具備加熱被載置之基板的熱板，該處理室包含覆蓋被載置於該熱板上之基板之被處理面的蓋體，該熱處理裝置被構成具備：至少控制該熱板之溫度的控制部，和測量該蓋體之溫度的溫度測量部，該控制部係於熱板之設定溫度被變更之時，根據藉由此溫度測量部所測量出之蓋體之溫度，進行用以取得變更後之設定溫度之熱板之加熱量的補正。
简体摘要：一种热处理设备，其系在处理室内具备加热被载置之基板的热板，该处理室包含覆盖被载置于该热板上之基板之被处理面的盖体，该热处理设备被构成具备：至少控制该热板之温度的控制部，和测量该盖体之温度的温度测量部，该控制部系于热板之设置温度被变更之时，根据借由此温度测量部所测量出之盖体之温度，进行用以取得变更后之设置温度之热板之加热量的补正。

3. 发明专利

TWI681442B 基板處理裝置及基板處理裝置之調整方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理设备之调整方法
公开(公告)号：TWI681442B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105140448
申请日：2016-12-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：重冨賢一 , SHIGETOMI, KENICHI , 七種剛 , SAIKUSA, TAKESHI , 磧本栄一 , SEKIMOTO, EIICHI , 福留生将 , FUKUDOME, TAKAYUKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 榎木田卓 , ENOKIDA, SUGURU , 竹下和宏 , TAKESHITA, KAZUHIRO , 梅木和人 , UMEKI, KAZUTO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/30

4. 发明专利

TW201839804A 加熱裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：加热设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201839804A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107102806
申请日：2018-01-26
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：重冨賢一 , SHIGETOMI, KENICHI , 七種剛 , SAIKUSA, TAKESHI , 福留生將 , FUKUDOME, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L23/34
摘要：本發明之目的為提供在晶圓的面內可進行均勻性良好的加熱處理之技術。為達成前述目的，在將晶圓W載置於熱板23之後的升溫期，使各加熱模組及各被加熱區域間的晶圓W到達基準溫度為止的所需時間一致，並且使升溫過度期的溫度變化分布之升溫曲線一致。因此，由於在各被加熱區域中，溫度變化分布一致，並且在晶圓W的面內及加熱模組2之間，升溫過度期的累算熱量一致，故晶圓W的圖案之線寬會一致。因此，在晶圓W的面內，即使在由彼此相異的加熱模組2所處理的晶圓W之間，也可進行均勻性良好的加熱處理。
简体摘要：本发明之目的为提供在晶圆的面内可进行均匀性良好的加热处理之技术。为达成前述目的，在将晶圆W载置于热板23之后的升温期，使各加热模块及各被加热区域间的晶圆W到达基准温度为止的所需时间一致，并且使升温过度期的温度变化分布之升温曲线一致。因此，由于在各被加热区域中，温度变化分布一致，并且在晶圆W的面内及加热模块2之间，升温过度期的累算热量一致，故晶圆W的图案之线宽会一致。因此，在晶圆W的面内，即使在由彼此相异的加热模块2所处理的晶圆W之间，也可进行均匀性良好的加热处理。

5. 发明专利

TW201735107A 基板處理裝置及基板處理裝置之調整方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理设备之调整方法
公开(公告)号：TW201735107A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105140448
申请日：2016-12-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：重冨賢一 , SHIGETOMI, KENICHI , 七種剛 , SAIKUSA, TAKESHI , 磧本栄一 , SEKIMOTO, EIICHI , 福留生将 , FUKUDOME, TAKAYUKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 榎木田卓 , ENOKIDA, SUGURU , 竹下和宏 , TAKESHITA, KAZUHIRO , 梅木和人 , UMEKI, KAZUTO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67103 , H05B1/0233 , H05B2203/037
摘要：提供一種即便在基板的面內、基板間，亦可進行均勻性良好的加熱處理之技術。構成為如下述之裝置，一種基板處理裝置，係具備有將各基板載置於載置台而加熱的複數個加熱模組，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：加熱器，在前述載置台設置有複數個，彼此獨立地控制發熱量；及控制部，對於相對應於各前述複數個加熱器之基板的被加熱部位，輸出控制訊號，以使得從預先決定之第1時點至第2時點之間的累積熱量在1台載置台中一致且在複數個加熱模組之間一致。前述第1時點，係指於加熱器之發熱量穩定的狀態下，在將基板載置於載置台後之基板的溫度推移變化曲線中，朝向基板之製程溫度之升溫中途的時點，前述第2時點，係指在前述溫度推移變化曲線中，基板到達處理溫度後的時點。
简体摘要：提供一种即便在基板的面内、基板间，亦可进行均匀性良好的加热处理之技术。构成为如下述之设备，一种基板处理设备，系具备有将各基板载置于载置台而加热的复数个加热模块，该基板处理设备，其特征系，具备有：加热器，在前述载置台设置有复数个，彼此独立地控制发热量；及控制部，对于相对应于各前述复数个加热器之基板的被加热部位，输出控制信号，以使得从预先决定之第1时点至第2时点之间的累积热量在1台载置台中一致且在复数个加热模块之间一致。前述第1时点，系指于加热器之发热量稳定的状态下，在将基板载置于载置台后之基板的温度推移变化曲线中，朝向基板之制程温度之升温中途的时点，前述第2时点，系指在前述温度推移变化曲线中，基板到达处理温度后的时点。

6. 发明专利

TW201703114A 熱處理裝置、熱處理中之異常檢測方法及可讀取之電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：热处理设备、热处理中之异常检测方法及可读取之电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201703114A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105108665
申请日：2016-03-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：森泰夫 , MORI, YASUO , 七種剛 , SAIKUSA, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/683
摘要：精度良好地檢測基板之熱處理中的異常。對晶圓進行熱處理的熱處理裝置，係具有：熱板(132)，載置晶圓(W)而進行加熱；複數個晶圓支撐構件(170)，配置為比熱板(132)的載置面(132a)更朝向上方突出；重量感測器(184)，檢測伴隨著被晶圓支撐構件(170)所支撐的晶圓(W)之載置狀態而變化的荷量；及控制部(300)，在由重量感測器(184)所檢測的荷重成為預定閾值以下時，判定為在被晶圓支撐構件(170)所支撐之晶圓的載置狀態有異常。
简体摘要：精度良好地检测基板之热处理中的异常。对晶圆进行热处理的热处理设备，系具有：热板(132)，载置晶圆(W)而进行加热；复数个晶圆支撑构件(170)，配置为比热板(132)的载置面(132a)更朝向上方突出；重量传感器(184)，检测伴随着被晶圆支撑构件(170)所支撑的晶圆(W)之载置状态而变化的荷量；及控制部(300)，在由重量传感器(184)所检测的荷重成为预定阈值以下时，判定为在被晶圆支撑构件(170)所支撑之晶圆的载置状态有异常。

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