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1. 发明专利

TWI665756B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI665756B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW105108198
申请日：2016-03-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI , 永田朋幸 , NAGATA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324

2. 发明专利

TW201810425A 真空處理裝置、真空處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：真空处理设备、真空处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201810425A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120029
申请日：2017-06-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI
IPC分类号： H01L21/31 , B65G49/07 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/677
CPC分类号： B65G49/07 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/677 , H01L27/11551 , H01L27/11578
摘要：提供一種可獲得高生產率，且可抑制製造成本之基板的真空處理裝置。一種裝置，係具備有：複數個第1處理容器(41)及複數個第2處理容器(41)，各別儲存基板，形成真空氛圍而進行處理；裝載埠(D1)，載置有收納了前述基板的搬送容器(11)，並共用於前述複數個第1處理容器(41)及前述第2處理容器(41)；基板搬送機構(22)，在前述裝載埠(D1)與前述複數個第1處理容器(41)及複數個第2處理容器(41)之間搬送前述基板；第1氣體供給機構，在前述複數個第1處理容器(41)中，同時地供給第1處理氣體而處理前述基板；及第2氣體供給機構，在前述複數個第2處理容器(41)中，同時地供給第2處理氣體而處理前述基板。
简体摘要：提供一种可获得高生产率，且可抑制制造成本之基板的真空处理设备。一种设备，系具备有：复数个第1处理容器(41)及复数个第2处理容器(41)，各别存储基板，形成真空氛围而进行处理；装载端口(D1)，载置有收纳了前述基板的搬送容器(11)，并共享于前述复数个第1处理容器(41)及前述第2处理容器(41)；基板搬送机构(22)，在前述装载端口(D1)与前述复数个第1处理容器(41)及复数个第2处理容器(41)之间搬送前述基板；第1气体供给机构，在前述复数个第1处理容器(41)中，同时地供给第1处理气体而处理前述基板；及第2气体供给机构，在前述复数个第2处理容器(41)中，同时地供给第2处理气体而处理前述基板。

3. 发明专利

TWI641051B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI641051B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW102132900
申请日：2013-09-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI
IPC分类号： H01L21/324

4. 发明专利

TW201810426A 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201810426A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120030
申请日：2017-06-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/677 , C23C16/44 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/31 , H01L21/677
摘要：提供一種技術，能夠在成膜裝置中，得到高產率並防止粒子造成的基板污染。一種成膜裝置(1)，其形成有具備將各個基板(W)搬送至第1處理容器(41)及第2處理容器(41)的基板搬送機構(35)之裝載鎖定室，並設有連接第1處理容器(41)及第2處理容器(41)而設置的裝載鎖定模組(3)。接著，藉由基板搬送機構(35)對第1處理容器(41)及第2處理容器(41)交互搬送基板(W)，並對第1處理容器(41)及第2處理容器(41)的一者、另一者分別並行供給成膜氣體、清理氣體以進行處理。
简体摘要：提供一种技术，能够在成膜设备中，得到高产率并防止粒子造成的基板污染。一种成膜设备(1)，其形成有具备将各个基板(W)搬送至第1处理容器(41)及第2处理容器(41)的基板搬送机构(35)之装载锁定室，并设有连接第1处理容器(41)及第2处理容器(41)而设置的装载锁定模块(3)。接着，借由基板搬送机构(35)对第1处理容器(41)及第2处理容器(41)交互搬送基板(W)，并对第1处理容器(41)及第2处理容器(41)的一者、另一者分别并行供给成膜气体、清理气体以进行处理。

5. 发明专利

TWI463546B 半導體製程用之反應管及熱處理設備有权
简体标题：半导体制程用之反应管及热处理设备
公开(公告)号：TWI463546B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098110850
申请日：2009-04-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI , 井上久司 , INOUE, HISASHI , 潮永圭史 , SHIONAGA, KEISHI , 菱屋晉吾 , HISHIYA, SHINGO , 遠藤篤史 , ENDOH, ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67109

6. 发明专利

TWI545299B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI545299B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW102139129
申请日：2013-10-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI
IPC分类号： F27D1/14
CPC分类号： F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67126

7. 发明专利

TW201428224A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201428224A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102139129
申请日：2013-10-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI
IPC分类号： F27D1/14
CPC分类号： F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67126
摘要：一種熱處理裝置，包含：圓筒狀之石英製反應管，其下方具有爐口並具有底凸緣；凸緣保持構件，用以保持該反應管之該底凸緣；以及蓋體，其具有金屬製蓋體，及由金屬製蓋體支持而密閉反應管的爐口之石英製蓋體；該石英製蓋體，係藉由支持環固定至該金屬製蓋體，該支持環抵接於凸緣保持構件的底面，在該石英製蓋體與該底凸緣之間形成間隙；在該底凸緣與該石英製蓋體之間的該間隙的半徑方向外側，設有密封元件。
简体摘要：一种热处理设备，包含：圆筒状之石英制反应管，其下方具有炉口并具有底凸缘；凸缘保持构件，用以保持该反应管之该底凸缘；以及盖体，其具有金属制盖体，及由金属制盖体支持而密闭反应管的炉口之石英制盖体；该石英制盖体，系借由支持环固定至该金属制盖体，该支持环抵接于凸缘保持构件的底面，在该石英制盖体与该底凸缘之间形成间隙；在该底凸缘与该石英制盖体之间的该间隙的半径方向外侧，设有密封组件。

8. 发明专利

TW201419421A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201419421A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102132900
申请日：2013-09-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： F27D1/0023 , C23C16/4409 , C23C16/54 , F27B17/0025 , F27D7/02 , H01L21/67109 , H01L21/6719
摘要：本發明之熱處理裝置，具有：反應管，係處理複數基板；支撐構件，係支撐該反應管；凸緣，係於該反應管之下端部往外側突出；凹部，係形成於該凸緣之外周處；以及旋轉滾子，係設置於該支撐構件之上面；該旋轉滾子係和該凹部卡合而進行該反應管之圓周方向之定位，可進行旋轉。
简体摘要：本发明之热处理设备，具有：反应管，系处理复数基板；支撑构件，系支撑该反应管；凸缘，系于该反应管之下端部往外侧突出；凹部，系形成于该凸缘之外周处；以及旋转滚子，系设置于该支撑构件之上面；该旋转滚子系和该凹部卡合而进行该反应管之圆周方向之定位，可进行旋转。

9. 发明专利

TW201541538A 基板熱處理裝置及基板熱處理裝置之設置方法审中-公开
简体标题：基板热处理设备及基板热处理设备之设置方法
公开(公告)号：TW201541538A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104102444
申请日：2015-01-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小山勝彥 , OYAMA, KATSUHIKO , 金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI , 菊池浩 , KIKUCHI, HIROSHI , 馬場則夫 , BABA, NORIO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/6773 , H01L21/67769 , Y10T29/49826
摘要：本發明提供一種基板熱處理裝置，其特徵為包含：運送保管單元，其包含：第1保管部以及第2保管部，其保管收納了複數片晶圓的複數個搬運容器；以及運送機構部，其運送搬運容器；以及熱處理單元，其設置了收納以多段方式保持複數片晶圓的保持工具並對晶圓實施熱處理的熱處理爐；在運送保管單元的第1保管部的下方，為了將搬運容器內的晶圓移載到熱處理單元的保持工具，設置了載置搬運容器的移載部的載置台；第2保管部配置在運送機構部的下方，第2保管部的載置搬運容器的面，配置成比移載部的載置台的載置搬運容器的面更低。
简体摘要：本发明提供一种基板热处理设备，其特征为包含：运送保管单元，其包含：第1保管部以及第2保管部，其保管收纳了复数片晶圆的复数个搬运容器；以及运送机构部，其运送搬运容器；以及热处理单元，其设置了收纳以多段方式保持复数片晶圆的保持工具并对晶圆实施热处理的热处理炉；在运送保管单元的第1保管部的下方，为了将搬运容器内的晶圆移载到热处理单元的保持工具，设置了载置搬运容器的移载部的载置台；第2保管部配置在运送机构部的下方，第2保管部的载置搬运容器的面，配置成比移载部的载置台的载置搬运容器的面更低。

10. 发明专利

TWI498989B 氣體埠構造及處理裝置有权
简体标题：气体端口构造及处理设备
公开(公告)号：TWI498989B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW099126826
申请日：2010-08-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子裕史 , KANEKO, HIROFUMI , 佐藤健一 , SATO, KENICHI
IPC分类号： H01L21/67

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