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1. 发明专利

TW201947323A 感光性樹脂組合物审中-公开
简体标题：感光性树脂组合物
公开(公告)号：TW201947323A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108122448
申请日：2016-04-08
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：国松真一 , KUNIMATSU, SHINICHI , 松田隆之 , MATSUDA, TAKAYUKI , 山田有里 , YAMADA, YURI , 筒井大和 , TSUTSUI, YAMATO , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/40 , H05K3/06 , H05K3/18
摘要：本發明之感光性樹脂組合物包含鹼溶性高分子、具有乙烯性不飽和鍵之化合物、及光聚合起始劑，並且於基板表面上形成包含該感光性樹脂組合物之感光性樹脂層，並進行曝光及顯影所獲得之抗蝕圖案利用用以評價耐藥液性之藥液進行處理後，硬化抗蝕劑線之最小線寬為17 μm以下。
简体摘要：本发明之感光性树脂组合物包含碱溶性高分子、具有乙烯性不饱和键之化合物、及光聚合起始剂，并且于基板表面上形成包含该感光性树脂组合物之感光性树脂层，并进行曝光及显影所获得之抗蚀图案利用用以评价耐药液性之药液进行处理后，硬化抗蚀剂线之最小线宽为17 μm以下。

2. 发明专利

TW201946953A 半導體裝置、及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备、及其制造方法
公开(公告)号：TW201946953A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108130480
申请日：2018-07-11
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：頼末友裕 , YORISUE, TOMOHIRO , 吉田雅彦 , YOSHIDA, MASAHIKO , 小倉知士 , OGURA, TOMOHITO , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA , 塩崎秀二郎 , SHIOSAKI, SHUJIRO , 中村光孝 , NAKAMURA, MITSUTAKA , 清水建樹 , SHIMIZU, TAKEKI , 佐佐木隆弘 , SASAKI, TAKAHIRO
IPC分类号： C08G73/10 , C08G73/22 , C08G8/28 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/532
摘要：本發明之目的在於提供一種再配線層中之層間絕緣膜與密封材料之密接性優異之半導體裝置及其製造方法。本發明之半導體裝置(1)之特徵在於包含：半導體晶片(2)、覆蓋上述半導體晶片之密封材料(3)、及俯視下面積大於上述半導體晶片之再配線層(4)，且上述再配線層之層間絕緣膜(6)之i射線透過率為80%以下。根據本發明，可提供一種再配線層中之層間絕緣膜與密封材料之密接性優異之半導體裝置及其製造方法。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种再配线层中之层间绝缘膜与密封材料之密接性优异之半导体设备及其制造方法。本发明之半导体设备(1)之特征在于包含：半导体芯片(2)、覆盖上述半导体芯片之密封材料(3)、及俯视下面积大于上述半导体芯片之再配线层(4)，且上述再配线层之层间绝缘膜(6)之i射线透过率为80%以下。根据本发明，可提供一种再配线层中之层间绝缘膜与密封材料之密接性优异之半导体设备及其制造方法。

3. 发明专利

TW201910385A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201910385A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124763
申请日：2018-07-18
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：塩崎秀二郎 , SHIOSAKI, SHUJIRO , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA , 小倉知士 , OGURA, TOMOHITO , 清水建樹 , SHIMIZU, TAKEKI , 吉田雅彦 , YOSHIDA, MASAHIKO
IPC分类号： C08G73/10 , C08G73/22 , C08G8/28 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/532
摘要：本發明提供一種再配線層中之層間絕緣膜與密封材之密接性優異之半導體裝置及其製造方法。半導體裝置(1)具備：半導體晶片(2)、覆蓋半導體晶片之密封材(3)、及於俯視下面積大於半導體晶片之再配線層(4)。再配線層之層間絕緣膜於波長1310 nm下之面內折射率與面外折射率之差之絕對值為0.0150以上。層間絕緣膜含有選自聚醯亞胺、聚苯并㗁唑、及具有酚性羥基之聚合物中之至少1種。
简体摘要：本发明提供一种再配线层中之层间绝缘膜与密封材之密接性优异之半导体设备及其制造方法。半导体设备(1)具备：半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片之密封材(3)、及于俯视下面积大于半导体芯片之再配线层(4)。再配线层之层间绝缘膜于波长1310 nm下之面内折射率与面外折射率之差之绝对值为0.0150以上。层间绝缘膜含有选自聚酰亚胺、聚苯并㗁唑、及具有酚性羟基之聚合物中之至少1种。

4. 发明专利

TW202022022A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202022022A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW109106572
申请日：2018-07-18
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：塩崎秀二郎 , SHIOSAKI, SHUJIRO , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA , 小倉知士 , OGURA, TOMOHITO , 清水建樹 , SHIMIZU, TAKEKI , 吉田雅彦 , YOSHIDA, MASAHIKO
IPC分类号： C08G73/10 , C08G73/22 , C08G8/28 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/532
摘要：本發明提供一種再配線層中之層間絕緣膜與密封材之密接性優異之半導體裝置及其製造方法。半導體裝置(1)具備：半導體晶片(2)、覆蓋半導體晶片之密封材(3)、及於俯視下面積大於半導體晶片之再配線層(4)。再配線層之層間絕緣膜於波長1310 nm下之面內折射率與面外折射率之差之絕對值為0.0150以上。層間絕緣膜含有選自聚醯亞胺、聚苯并㗁唑、及具有酚性羥基之聚合物中之至少1種。
简体摘要：本发明提供一种再配线层中之层间绝缘膜与密封材之密接性优异之半导体设备及其制造方法。半导体设备(1)具备：半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片之密封材(3)、及于俯视下面积大于半导体芯片之再配线层(4)。再配线层之层间绝缘膜于波长1310 nm下之面内折射率与面外折射率之差之绝对值为0.0150以上。层间绝缘膜含有选自聚酰亚胺、聚苯并㗁唑、及具有酚性羟基之聚合物中之至少1种。

5. 发明专利

TWI664498B 感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體有权
简体标题：感光性树脂组合物及感光性树脂积层体
公开(公告)号：TWI664498B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107105177
申请日：2018-02-13
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：松田隆之 , MATSUDA, TAKAYUKI , 西本秀昭 , NISHIMOTO, HIDEAKI , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA
IPC分类号： G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/033 , H01L21/027 , H05K3/28

6. 发明专利

TW201835681A 感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體审中-公开
简体标题：感光性树脂组合物及感光性树脂积层体
公开(公告)号：TW201835681A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107105177
申请日：2018-02-13
申请人：日商旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：松田隆之 , MATSUDA, TAKAYUKI , 西本秀昭 , NISHIMOTO, HIDEAKI , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA
IPC分类号： G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/033 , H01L21/027 , H05K3/28
摘要：本發明提供一種即便於過度顯影、過度水洗、顯影液為高溫之嚴酷顯影條件下密接性或解像性亦優異之感光性樹脂組合物、以及使用其之抗蝕圖案之形成方法及配線板之製造方法。本發明之感光性樹脂組合物包含：(A)鹼可溶性高分子、(B)具有乙烯性不飽和鍵之化合物、及(C)光聚合起始劑、及(D)抑制劑；(A)鹼可溶性高分子相對於樹脂組合物中之固形物成分質量而包含5質量%以上之I/O值為0.200～0.560之(A-1)鹼可溶性高分子，(D)抑制劑包含酚系衍生物，於將該固形物成分中所包含之(A)鹼可溶性高分子及(B)具有乙烯性不飽和鍵之化合物以外的物質設為(A)及(B)以外之成分時，(A)及(B)以外之成分之質量相對於(B)具有乙烯性不飽和鍵之化合物之質量的比為0.190以下。
简体摘要：本发明提供一种即便于过度显影、过度水洗、显影液为高温之严酷显影条件下密接性或解像性亦优异之感光性树脂组合物、以及使用其之抗蚀图案之形成方法及配线板之制造方法。本发明之感光性树脂组合物包含：(A)碱可溶性高分子、(B)具有乙烯性不饱和键之化合物、及(C)光聚合起始剂、及(D)抑制剂；(A)碱可溶性高分子相对于树脂组合物中之固形物成分质量而包含5质量%以上之I/O值为0.200～0.560之(A-1)碱可溶性高分子，(D)抑制剂包含酚系衍生物，于将该固形物成分中所包含之(A)碱可溶性高分子及(B)具有乙烯性不饱和键之化合物以外的物质设为(A)及(B)以外之成分时，(A)及(B)以外之成分之质量相对于(B)具有乙烯性不饱和键之化合物之质量的比为0.190以下。

7. 发明专利

TWI620017B 感光性樹脂組合物有权
简体标题：感光性树脂组合物
公开(公告)号：TWI620017B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105111187
申请日：2016-04-08
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：国松真一 , KUNIMATSU, SHINICHI , 松田隆之 , MATSUDA, TAKAYUKI , 山田有里 , YAMADA, YURI , 筒井大和 , TSUTSUI, YAMATO , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/40 , H05K3/06 , H05K3/18
CPC分类号： C08F2/50 , G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/031 , G03F7/033 , H05K3/06 , H05K3/18

8. 发明专利

TW201701070A 感光性樹脂組合物审中-公开
简体标题：感光性树脂组合物
公开(公告)号：TW201701070A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105111187
申请日：2016-04-08
申请人：旭化成股份有限公司 , ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：国松真一 , KUNIMATSU, SHINICHI , 松田隆之 , MATSUDA, TAKAYUKI , 山田有里 , YAMADA, YURI , 筒井大和 , TSUTSUI, YAMATO , 藤原晶 , FUJIWARA, AKIRA
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/40 , H05K3/06 , H05K3/18
CPC分类号： C08F2/50 , G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/031 , G03F7/033 , H05K3/06 , H05K3/18
摘要：本發明之感光性樹脂組合物包含鹼溶性高分子、具有乙烯性不飽和鍵之化合物、及光聚合起始劑，並且於基板表面上形成包含該感光性樹脂組合物之感光性樹脂層，並進行曝光及顯影所獲得之抗蝕圖案利用用以評價耐藥液性之藥液進行處理後，硬化抗蝕劑線之最小線寬為17μm以下。
简体摘要：本发明之感光性树脂组合物包含碱溶性高分子、具有乙烯性不饱和键之化合物、及光聚合起始剂，并且于基板表面上形成包含该感光性树脂组合物之感光性树脂层，并进行曝光及显影所获得之抗蚀图案利用用以评价耐药液性之药液进行处理后，硬化抗蚀剂线之最小线宽为17μm以下。

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