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1. 发明专利

TWI692443B 板狀氧化鋁粉末的製法有权
简体标题：板状氧化铝粉末的制法
公开(公告)号：TWI692443B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105131222
申请日：2016-09-29
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：福井宏史 , 佐藤圭 , 渡邊守道 , 七瀧努
IPC分类号： C01F7/02 , C01F7/44 , C04B35/111

2. 发明专利

TWI670251B 透明氧化鋁燒結體的製法有权
简体标题：透明氧化铝烧结体的制法
公开(公告)号：TWI670251B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104138425
申请日：2015-11-20
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：松島潔 , 渡邊守道 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/645 , C04B35/115

3. 发明专利

TWI663143B 板狀氧化鋁粉末的製法及板狀氧化鋁粉末有权
简体标题：板状氧化铝粉末的制法及板状氧化铝粉末
公开(公告)号：TWI663143B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104138424
申请日：2015-11-20
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：渡邊守道 , 福井宏史 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/10 , C01F7/02

4. 发明专利

TW201634428A 透明氧化鋁燒結體的製法审中-公开
简体标题：透明氧化铝烧结体的制法
公开(公告)号：TW201634428A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138425
申请日：2015-11-20
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：松島潔 , 渡邊守道 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/645 , C04B35/115
CPC分类号： C04B35/115 , C01F7/442 , C01P2004/22 , C01P2004/54 , C01P2006/80 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/445 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/602 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/658 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/725 , C04B2235/787 , C04B2235/9623 , C04B2235/9653
摘要：本發明之透明氧化鋁的製法包括以下步驟：(a)製備含有縱橫比(aspect ratio)為3以上之板狀氧化鋁粉末的氧化鋁原料粉末，使該氧化鋁原料粉末中之F相對於Al之質量比R1成為5ppm以上，並將前述含有氧化鋁原料粉末之成形用原料進行成形為成形體；(b)將前述成形體於F會揮發之溫度進行加壓煅燒以獲得透明氧化鋁燒結體。
简体摘要：本发明之透明氧化铝的制法包括以下步骤：(a)制备含有纵横比(aspect ratio)为3以上之板状氧化铝粉末的氧化铝原料粉末，使该氧化铝原料粉末中之F相对于Al之质量比R1成为5ppm以上，并将前述含有氧化铝原料粉末之成形用原料进行成形为成形体；(b)将前述成形体于F会挥发之温度进行加压煅烧以获得透明氧化铝烧结体。

5. 发明专利

TW201730133A 氧化鋁燒結體及光學元件用下方基板审中-公开
简体标题：氧化铝烧结体及光学组件用下方基板
公开(公告)号：TW201730133A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105131227
申请日：2016-09-29
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：松島潔 , 渡邊守道 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/111 , H01L33/00
CPC分类号： C04B35/115 , G02B1/02
摘要：本發明提供一種氧化鋁燒結體，係照射X射線時，在2θ=20°~70°的範圍內，使用X射線繞射剖析經由洛特格林(Lotgering)法所求得的c面配向度為5%以上，且以搖擺曲線(Rocking curve)所測定的XRC半高寬(half band width)為15.0°以下，以D-SIMS測定時的F含量未達0.99質量ppm，結晶粒徑為15~200μm，在縱向370.0μm×橫向372.0μm的視野以倍率1000倍所拍攝的相片，經目視時直徑0.2~1.0μm的氣孔數為25個以下者。本發明的氧化鋁燒結體，係當厚度0.5mm時，在波長300nm~1000nm的直線穿透率高，且透明性佳。
简体摘要：本发明提供一种氧化铝烧结体，系照射X射线时，在2θ=20°~70°的范围内，使用X射线绕射剖析经由洛特格林(Lotgering)法所求得的c面配向度为5%以上，且以摇摆曲线(Rocking curve)所测定的XRC半高宽(half band width)为15.0°以下，以D-SIMS测定时的F含量未达0.99质量ppm，结晶粒径为15~200μm，在纵向370.0μm×横向372.0μm的视野以倍率1000倍所拍摄的相片，经目视时直径0.2~1.0μm的气孔数为25个以下者。本发明的氧化铝烧结体，系当厚度0.5mm时，在波长300nm~1000nm的直线穿透率高，且透明性佳。

6. 发明专利

TW201708112A 礬土燒結體以及光學元件用底層基板审中-公开
简体标题：矾土烧结体以及光学组件用底层基板
公开(公告)号：TW201708112A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105114677
申请日：2016-05-12
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：松島潔 , 渡邊守道 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C01F7/02 , C01F7/20 , B29D11/00
CPC分类号： C01F7/02 , C01F7/442 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C04B35/115 , G01N23/207 , G02B1/02
摘要：本發明的礬土燒結體，其具有以X射線照射時在20=20°~70°的範圍的X射線繞射輪廓，以勞特格法求得的c面配向度為5%以上的面，含有Mg、F，Mg/F的質量比為0.05~3500，Mg的含量為30~3500質量ppm，結晶粒徑為15~200μm，將縱370.0μm×寬370.0μm的視野，以倍率1000倍拍攝的照片，目視時直徑0.2~0.6μm的氣孔為250個以下，直徑0.2~0.6μm的氣孔的體積對上述礬土燒結體的體積比為130體積ppm以下。本發明的礬土燒結體，作成0.5mm厚時，在450~1000nm的直線穿透率為60%以上。總之，本發明的礬土燒結體，即使c面配向度為5%以上，直線穿透率高而透明性優良。
简体摘要：本发明的矾土烧结体，其具有以X射线照射时在20=20°~70°的范围的X射线绕射轮廓，以劳特格法求得的c面配向度为5%以上的面，含有Mg、F，Mg/F的质量比为0.05~3500，Mg的含量为30~3500质量ppm，结晶粒径为15~200μm，将纵370.0μm×宽370.0μm的视野，以倍率1000倍拍摄的照片，目视时直径0.2~0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2~0.6μm的气孔的体积对上述矾土烧结体的体积比为130体积ppm以下。本发明的矾土烧结体，作成0.5mm厚时，在450~1000nm的直线穿透率为60%以上。总之，本发明的矾土烧结体，即使c面配向度为5%以上，直线穿透率高而透明性优良。

7. 发明专利

TW201627544A 獨立式氮化鎵基板、發光元件及此等之製造方法审中-公开
简体标题：独立式氮化镓基板、发光组件及此等之制造方法
公开(公告)号：TW201627544A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104120459
申请日：2015-06-25
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：渡邊守道 , WATANABE, MORIMICHI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 七瀧努 , NANATAKI, TSUTOMU , 今井克宏 , IMAI, KATSUHIRO , 杉山智彥 , SUGIYAMA, TOMOHIKO , 吉野隆史 , YOSHINO, TAKASHI , 武內幸久 , TAKEUCHI, YUKIHISA , 佐藤圭 , SATO, KEI
IPC分类号： C30B29/38 , H01L33/16 , H01L33/32 , C30B19/02 , H01L21/208 , H01L51/56
摘要：本發明所提供的獨立式氮化鎵基板，係由在略法線方向具有單晶結構之複數氮化鎵系單晶粒子構成的板形成。該獨立式氮化鎵基板係依照下述方法便可製造，該方法係包括：準備配向複晶燒結體的步驟；在配向複晶燒結體上，依具有結晶方位大略仿形配向複晶燒結體結晶方位之方式，形成由氮化鎵構成的晶種結晶層之步驟；在晶種結晶層上，依具有結晶方位大略仿形晶種結晶層結晶方位之方式，形成厚度20μm以上之由氮化鎵系結晶所構成層的步驟；以及除去配向複晶燒結體，獲得獨立式氮化鎵基板的步驟。根據本發明，可提供廉價且適於大面積化，能有效使用為氮化鎵單晶基板代替材料的獨立式氮化鎵基板。
简体摘要：本发明所提供的独立式氮化镓基板，系由在略法线方向具有单晶结构之复数氮化镓系单晶粒子构成的板形成。该独立式氮化镓基板系依照下述方法便可制造，该方法系包括：准备配向复晶烧结体的步骤；在配向复晶烧结体上，依具有结晶方位大略仿形配向复晶烧结体结晶方位之方式，形成由氮化镓构成的晶种结晶层之步骤；在晶种结晶层上，依具有结晶方位大略仿形晶种结晶层结晶方位之方式，形成厚度20μm以上之由氮化镓系结晶所构成层的步骤；以及除去配向复晶烧结体，获得独立式氮化镓基板的步骤。根据本发明，可提供廉价且适于大面积化，能有效使用为氮化镓单晶基板代替材料的独立式氮化镓基板。

8. 发明专利

TW201730109A 板狀氧化鋁粉末的製法审中-公开
简体标题：板状氧化铝粉末的制法
公开(公告)号：TW201730109A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105131222
申请日：2016-09-29
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：福井宏史 , 佐藤圭 , 渡邊守道 , 七瀧努
IPC分类号： C01F7/02 , C01F7/44 , C04B35/111
CPC分类号： C01F7/021 , C01F7/30 , C01F7/441 , C01F7/442 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C01P2004/24 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , C04B35/111 , C04B35/115 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B2235/3217 , C04B2235/445 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/787 , C30B1/026 , C30B1/10 , C30B29/20 , C30B33/00
摘要：本發明的板狀氧化鋁粉末的製法係將過渡氧化鋁與氟化物依不會相互接觸方式放入於容器中，藉由施行熱處理而獲得板狀的α-氧化鋁粉末。過渡氧化鋁較佳係從三水鋁石、軟水鋁土及γ-氧化鋁所構成群組中選擇至少1種。氟化物的使用量較佳係依氟化物中的F相對於過渡氧化鋁的比例成為0.17質量%以上的方式設定。容器較佳係氟化物中的F質量除以容器容積的值達6.5×10-5g/cm3以上。熱處理較佳係依750~1650℃實施。熱處理較佳係經依容器內外相通的狀態封閉容器之後、或經密閉容器之後才實施。
简体摘要：本发明的板状氧化铝粉末的制法系将过渡氧化铝与氟化物依不会相互接触方式放入于容器中，借由施行热处理而获得板状的α-氧化铝粉末。过渡氧化铝较佳系从三水铝石、软水铝土及γ-氧化铝所构成群组中选择至少1种。氟化物的使用量较佳系依氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例成为0.17质量%以上的方式设置。容器较佳系氟化物中的F质量除以容器容积的值达6.5×10-5g/cm3以上。热处理较佳系依750~1650℃实施。热处理较佳系经依容器内外相通的状态封闭容器之后、或经密闭容器之后才实施。

9. 发明专利

TW201708635A 獨立式氮化鎵基板、發光元件及此等之製造方法审中-公开
简体标题：独立式氮化镓基板、发光组件及此等之制造方法
公开(公告)号：TW201708635A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105136228
申请日：2015-06-25
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：渡邊守道 , WATANABE, MORIMICHI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 七瀧努 , NANATAKI, TSUTOMU , 今井克宏 , IMAI, KATSUHIRO , 杉山智彥 , SUGIYAMA, TOMOHIKO , 吉野隆史 , YOSHINO, TAKASHI , 武內幸久 , TAKEUCHI, YUKIHISA , 佐藤圭 , SATO, KEI
IPC分类号： C30B29/40 , C30B25/02 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L21/205
摘要：本發明所提供的獨立式氮化鎵基板，係由在略法線方向具有單晶結構之複數氮化鎵系單晶粒子構成的板形成。該獨立式氮化鎵基板係依照下述方法便可製造，該方法係包括：準備配向複晶燒結體的步驟；在配向複晶燒結體上，依具有結晶方位大略仿形配向複晶燒結體結晶方位之方式，形成由氮化鎵構成的晶種結晶層之步驟；在晶種結晶層上，依具有結晶方位大略仿形晶種結晶層結晶方位之方式，形成厚度20μm以上之由氮化鎵系結晶所構成層的步驟；以及除去配向複晶燒結體，獲得獨立式氮化鎵基板的步驟。根據本發明，可提供廉價且適於大面積化，能有效使用為氮化鎵單晶基板代替材料的獨立式氮化鎵基板。
简体摘要：本发明所提供的独立式氮化镓基板，系由在略法线方向具有单晶结构之复数氮化镓系单晶粒子构成的板形成。该独立式氮化镓基板系依照下述方法便可制造，该方法系包括：准备配向复晶烧结体的步骤；在配向复晶烧结体上，依具有结晶方位大略仿形配向复晶烧结体结晶方位之方式，形成由氮化镓构成的晶种结晶层之步骤；在晶种结晶层上，依具有结晶方位大略仿形晶种结晶层结晶方位之方式，形成厚度20μm以上之由氮化镓系结晶所构成层的步骤；以及除去配向复晶烧结体，获得独立式氮化镓基板的步骤。根据本发明，可提供廉价且适于大面积化，能有效使用为氮化镓单晶基板代替材料的独立式氮化镓基板。

10. 发明专利

TW201733961A 氧化鋁燒結體及光學元件用下方基板审中-公开
简体标题：氧化铝烧结体及光学组件用下方基板
公开(公告)号：TW201733961A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105131225
申请日：2016-09-29
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：松島潔 , 渡邊守道 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/115 , G02B1/02
CPC分类号： C04B35/115 , G02B1/02
摘要：本發明提供一種氧化鋁燒結體，係照射X射線時，在2θ=20°~70°的範圍內，使用X射線繞射剖析經由洛特格林(Lotgering)法所求得的c面配向度為5%以上，且以搖擺曲線(Rocking curve)所測定的XRC半高寬(half band width)為15.0°以下，以D-SIMS測定時的F含量未達0.99質量ppm，結晶粒徑為15~200μm，在縱向712.99μm×橫向753.90μm的視野，以倍率2000倍所拍攝的相片，經目視時直徑0.1μm以上的氣孔數為100個以下者。本發明的氧化鋁燒結體，係當厚度0.5mm時，在波長300nm~1000nm的直線穿透率高，且透明性佳。
简体摘要：本发明提供一种氧化铝烧结体，系照射X射线时，在2θ=20°~70°的范围内，使用X射线绕射剖析经由洛特格林(Lotgering)法所求得的c面配向度为5%以上，且以摇摆曲线(Rocking curve)所测定的XRC半高宽(half band width)为15.0°以下，以D-SIMS测定时的F含量未达0.99质量ppm，结晶粒径为15~200μm，在纵向712.99μm×横向753.90μm的视野，以倍率2000倍所拍摄的相片，经目视时直径0.1μm以上的气孔数为100个以下者。本发明的氧化铝烧结体，系当厚度0.5mm时，在波长300nm~1000nm的直线穿透率高，且透明性佳。

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