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    • 3. 发明专利
    • 圖案形成方法、電子元件的製造方法、電子元件、嵌段共聚合物及嵌段共聚合物的製造方法
    • 图案形成方法、电子组件的制造方法、电子组件、嵌段共聚合物及嵌段共聚合物的制造方法
    • TW201619221A
    • 2016-06-01
    • TW104130359
    • 2015-09-15
    • 富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 吉田隼人YOSHIDA, HAYATO木村桂三KIMURA, KEIZO水谷一良MIZUTANI, KAZUYOSHI
    • C08F297/00C08F212/02C08F236/04C08F220/10C08G77/442H01L21/312H01L21/3105
    • G03F7/40H01L21/027
    • 本發明提供一種圖案形成方法、使用該圖案形成方法的電子元件的製造方法及電子元件、以及用於該圖案形成方法的嵌段共聚合物及其製造方法,所述圖案形成方法包括:(i)於形成有引導圖案的基板上,形成含有具有由通式(I-1)~通式(I-3)的任一者所表示的重複單元的嵌段、及由通式(II)所表示的重複單元的嵌段的嵌段共聚合物的嵌段共聚合物層的步驟;(ii)使嵌段共聚合物層進行相分離的步驟;以及(iii)選擇性地去除嵌段共聚合物層中的多個相中的至少一個相的步驟;藉由所述圖案形成方法,可於使用製圖磊晶法的自我組織化微影中,高品質地達成圖案的高微細化。 [化1]通式(I-1)中,R1 表示烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基或芳烷基,R1 可與鄰接於所鍵結的碳原子的碳原子進行鍵結,並與苯環進行縮環。 通式(I-2)中,R2 表示氫原子、烷基、環烷基或芳基。 通式(I-3)中,R3 及R4 分別獨立地表示烷基或芳基。 通式(II)中,R5 表示氫原子、烷基或環烷基。R6 表示具有下述(a)~下述(e)中的至少一種的烷基或環烷基。 (a)2個以上的羥基 (b)胺基 (c)羧基 (d)硫醇基 (e)磺酸基
    • 本发明提供一种图案形成方法、使用该图案形成方法的电子组件的制造方法及电子组件、以及用于该图案形成方法的嵌段共聚合物及其制造方法,所述图案形成方法包括:(i)于形成有引导图案的基板上,形成含有具有由通式(I-1)~通式(I-3)的任一者所表示的重复单元的嵌段、及由通式(II)所表示的重复单元的嵌段的嵌段共聚合物的嵌段共聚合物层的步骤;(ii)使嵌段共聚合物层进行相分离的步骤;以及(iii)选择性地去除嵌段共聚合物层中的多个相中的至少一个相的步骤;借由所述图案形成方法,可于使用制图磊晶法的自我组织化微影中,高品质地达成图案的高微细化。 [化1]通式(I-1)中,R1 表示烷基、烯基、炔基、环烷基、芳基或芳烷基,R1 可与邻接于所键结的碳原子的碳原子进行键结,并与苯环进行缩环。 通式(I-2)中,R2 表示氢原子、烷基、环烷基或芳基。 通式(I-3)中,R3 及R4 分别独立地表示烷基或芳基。 通式(II)中,R5 表示氢原子、烷基或环烷基。R6 表示具有下述(a)~下述(e)中的至少一种的烷基或环烷基。 (a)2个以上的羟基 (b)胺基 (c)羧基 (d)硫醇基 (e)磺酸基