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1. 发明专利

TW201918536A 薄膜狀接著劑、使用薄膜狀接著劑之半導體封裝體之製造方法审中-公开
简体标题：薄膜状接着剂、使用薄膜状接着剂之半导体封装体之制造方法
公开(公告)号：TW201918536A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107136296
申请日：2018-10-16
申请人：日商古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：森田稔 , MORITA, MINORU , 切替徳之 , KIRIKAE, NORIYUKI
IPC分类号： C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/06 , C09J11/04 , C09J11/08 , H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/04 , H01L23/34
摘要：以提供可以防止半導體晶片背面、基板表面、散熱片表面藉由填料部分性地被破壞之情形的薄膜狀接著劑、使用薄膜狀接著劑之半導體封裝體之製造方法為目的。　　有環氧樹脂(A)、環氧樹脂硬化劑(B)、苯氧基樹脂(C)、熱傳導性填充材(D)，上述熱傳導性填充材(D)係平均粒徑為0.1～10.0μm，在微小壓縮試驗中之破壞時壓縮率為試料之平均粒徑之5～50%，在微小壓縮試驗中之破壞強度為0.01～2.0GPa，熱傳導率為30W/m･K以上，(D)之含有量相對於上述(A)～(D)之全量，為10～70體積百分比，熱硬化後，熱傳導率為1.0W/m･K以上。
简体摘要：以提供可以防止半导体芯片背面、基板表面、散热片表面借由填料部分性地被破坏之情形的薄膜状接着剂、使用薄膜状接着剂之半导体封装体之制造方法为目的。　　有环氧树脂(A)、环氧树脂硬化剂(B)、苯氧基树脂(C)、热传导性填充材(D)，上述热传导性填充材(D)系平均粒径为0.1～10.0μm，在微小压缩试验中之破坏时压缩率为试料之平均粒径之5～50%，在微小压缩试验中之破坏强度为0.01～2.0GPa，热传导率为30W/m･K以上，(D)之含有量相对于上述(A)～(D)之全量，为10～70体积百分比，热硬化后，热传导率为1.0W/m･K以上。

2. 发明专利

TWI699419B 膜狀接著劑用組成物、膜狀接著劑、膜狀接著劑之製造方法、使用膜狀接著劑之半導體封裝及其製造方法有权
简体标题：膜状接着剂用组成物、膜状接着剂、膜状接着剂之制造方法、使用膜状接着剂之半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TWI699419B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105143887
申请日：2016-12-29
申请人：日商古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：森田稔 , MORITA, MINORU , 切替徳之 , KIRIKAE, NORIYUKI , 佐野透 , SANO, TORU
IPC分类号： C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/06 , C09J11/04 , H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/04

3. 发明专利

TWI696681B 薄膜狀接著劑、使用薄膜狀接著劑之半導體封裝體之製造方法有权
简体标题：薄膜状接着剂、使用薄膜状接着剂之半导体封装体之制造方法
公开(公告)号：TWI696681B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107136296
申请日：2018-10-16
申请人：日商古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：森田稔 , MORITA, MINORU , 切替徳之 , KIRIKAE, NORIYUKI
IPC分类号： C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/06 , C09J11/04 , C09J11/08 , H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/04 , H01L23/34

4. 发明专利

TW201903087A 接著膜、半導體晶圓加工用帶、半導體封裝及其製造方法审中-公开
简体标题：接着膜、半导体晶圆加工用带、半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TW201903087A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107114701
申请日：2018-04-30
申请人：日商古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：切替徳之 , KIRIKAE, NORIYUKI , 佐野透 , SANO, TORU , 森田稔 , MORITA, MINORU
IPC分类号： C09J7/10 , C09J163/00 , C09J11/04 , C08G59/62 , C08G59/68 , C09J11/06 , C09J7/30 , H01L21/52
摘要：本發明係一種接著膜、半導體晶圓加工用帶、半導體封裝及其製造方法，該接著膜係由含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂及導熱填料之接著劑層所構成者，且上述導熱填料之導熱率為12W/m．K以上且於上述接著劑層中之含量為30~50體積%，上述熱塑性樹脂含有至少一種苯氧基樹脂，且關於硬化後之接著劑層，由下述數學式(1)算出之可靠性係數S1為50~220(×10-6GPa)，由下述數學式(2)算出之可靠性係數S2為10~120(×10-8GPa)，導熱率為0.5W/m．K以上。 S1=(Tg-25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(儲存彈性模數E'[GPa]260℃下)…(1) S2=S1×(飽和吸水率WA[質量%])…(2) 於數學式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、儲存彈性模數E'及飽和吸水率WA係針對硬化後之接著劑層者。Tg為玻璃轉移溫度，CTEα1為在該玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數，儲存彈性模數E'為260℃下測得之值。另外，[ ]內表示單位。
简体摘要：本发明系一种接着膜、半导体晶圆加工用带、半导体封装及其制造方法，该接着膜系由含有热硬化性树脂、热塑性树脂及导热填料之接着剂层所构成者，且上述导热填料之导热率为12W/m．K以上且于上述接着剂层中之含量为30~50体积%，上述热塑性树脂含有至少一种苯氧基树脂，且关于硬化后之接着剂层，由下述数学式(1)算出之可靠性系数S1为50~220(×10-6GPa)，由下述数学式(2)算出之可靠性系数S2为10~120(×10-8GPa)，导热率为0.5W/m．K以上。 S1=(Tg-25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(存储弹性模数E'[GPa]260℃下)…(1) S2=S1×(饱和吸水率WA[质量%])…(2) 于数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、存储弹性模数E'及饱和吸水率WA系针对硬化后之接着剂层者。Tg为玻璃转移温度，CTEα1为在该玻璃转移温度以下之线膨胀系数，存储弹性模数E'为260℃下测得之值。另外，[ ]内表示单位。

5. 发明专利

TW201800521A 膜狀接著劑用組成物、膜狀接著劑、膜狀接著劑之製造方法、使用膜狀接著劑之半導體封裝及其製造方法审中-公开
简体标题：膜状接着剂用组成物、膜状接着剂、膜状接着剂之制造方法、使用膜状接着剂之半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TW201800521A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105143887
申请日：2016-12-29
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：森田稔 , MORITA, MINORU , 切替徳之 , KIRIKAE, NORIYUKI , 佐野透 , SANO, TORU
IPC分类号： C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/06 , C09J11/04 , H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/04
CPC分类号： C09J7/00 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J171/10 , H01L21/52 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：一種膜狀接著劑用組成物、膜狀接著劑、膜狀接著劑之製造方法、半導體封裝及其製造方法，該膜狀接著劑用組成物含有環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、苯氧樹脂及氮化鋁填充劑各成分，其中氮化鋁填充劑之含量相對於環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、苯氧樹脂及氮化鋁填充劑之合計量，為30~60體積%，將利用該膜狀接著劑用組成物所獲得之膜狀接著劑自25℃以5℃/分鐘之升溫速度升溫時，於80℃以上達到200~10000Pa‧s之範圍之最低熔融黏度，於熱硬化後提供導熱率為1.0W/m‧K以上之硬化體，且於熱硬化後經121℃、20小時於純水中萃取而獲得之萃取液之導電率為50μS/cm以下。
简体摘要：一种膜状接着剂用组成物、膜状接着剂、膜状接着剂之制造方法、半导体封装及其制造方法，该膜状接着剂用组成物含有环氧树脂、环氧树脂硬化剂、苯氧树脂及氮化铝填充剂各成分，其中氮化铝填充剂之含量相对于环氧树脂、环氧树脂硬化剂、苯氧树脂及氮化铝填充剂之合计量，为30~60体积%，将利用该膜状接着剂用组成物所获得之膜状接着剂自25℃以5℃/分钟之升温速度升温时，于80℃以上达到200~10000Pa‧s之范围之最低熔融黏度，于热硬化后提供导热率为1.0W/m‧K以上之硬化体，且于热硬化后经121℃、20小时于纯水中萃取而获得之萃取液之导电率为50μS/cm以下。

6. 发明专利

TWI553077B 高熱傳導性膜狀接著劑用組成物、高熱傳導性膜狀接著劑、使用該高熱傳導性膜狀接著劑之半導體封裝件及其製造方法有权
简体标题：高热传导性膜状接着剂用组成物、高热传导性膜状接着剂、使用该高热传导性膜状接着剂之半导体封装件及其制造方法
公开(公告)号：TWI553077B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101109072
申请日：2012-03-16
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：森田稔 , MORITA, MINORU , 切替德之 , KIRIKAE, NORIYUKI , 矢野博之 , YANO, HIROYUKI , 德光明 , TOKUMITSU, AKIRA
IPC分类号： C09J163/00 , C09J11/06 , C09J11/04 , C09J7/00 , H01L23/29 , H01L21/304
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

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