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1. 发明专利

TWI671906B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI671906B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104102737
申请日：2015-01-27
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA
IPC分类号： H01L29/772

2. 发明专利

TWI646658B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI646658B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW104115119
申请日：2015-05-12
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 八窪裕人 , YAKUBO, YUTO , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L27/02 , G05F3/02 , G05F3/16 , G05F3/26 , G05F3/28

3. 发明专利

TWI642186B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI642186B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW103142615
申请日：2014-12-08
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 倉田求 , KURATA, MOTOMU , 花岡一哉 , HANAOKA, KAZUYA , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78

4. 发明专利

TW201826544A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201826544A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW107109126
申请日：2014-05-15
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：花岡一哉 , HANAOKA, KAZUYA , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松田慎平 , MATSUDA, SHINPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠抑制隨著微型化而逐漸顯著的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極；氧化物半導體膜、源極電極及汲極電極上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的閘極絕緣膜；以及與閘極絕緣膜接觸的閘極電極，其中，從通道寬度方向看時，氧化物半導體膜的上端部帶弧形。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够抑制随着微型化而逐渐显着的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜接触的源极电极及汲极电极；氧化物半导体膜、源极电极及汲极电极上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的闸极绝缘膜；以及与闸极绝缘膜接触的闸极电极，其中，从信道宽度方向看时，氧化物半导体膜的上端部带弧形。

5. 发明专利

TW201547000A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201547000A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104115119
申请日：2015-05-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 八窪裕人 , YAKUBO, YUTO , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L27/02 , G05F3/02 , G05F3/16 , G05F3/26 , G05F3/28
CPC分类号： H01L29/7869 , G05F3/262 , H01L27/085 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/7782 , H01L29/785 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種佔有面積小的半導體裝置。本發明的一個方式是具有電阻元件的半導體裝置。電阻元件具有電晶體。在電晶體的汲極電壓高於閘極電壓與臨界電壓之差值的情況下，電晶體的汲極電壓變化0.1V時的汲極電流的增高率較佳為1%以上。另外，本發明的一個方式的半導體裝置具有生成相應於電阻元件的電阻值的電壓的功能。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的半导体设备。本发明的一个方式是具有电阻组件的半导体设备。电阻组件具有晶体管。在晶体管的汲极电压高于闸极电压与临界电压之差值的情况下，晶体管的汲极电压变化0.1V时的汲极电流的增高率较佳为1%以上。另外，本发明的一个方式的半导体设备具有生成相应于电阻组件的电阻值的电压的功能。

6. 发明专利

TW201530765A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201530765A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104102737
申请日：2015-01-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要：本發明的目的之一是提供一種具有良好的電特性的電晶體。或者，本發明的目的之一是提供一種開關速度快的電晶體。本發明的一個方式是一種半導體裝置，該半導體裝置包括具有氧化物半導體、閘極電極、閘極絕緣體的電晶體，氧化物半導體包括在氧化物半導體隔著閘極絕緣體與閘極電極互相重疊的第一區域，電晶體的臨界電壓大於0V，並且其開關速度小於100奈米秒。
简体摘要：本发明的目的之一是提供一种具有良好的电特性的晶体管。或者，本发明的目的之一是提供一种开关速度快的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体设备，该半导体设备包括具有氧化物半导体、闸极电极、闸极绝缘体的晶体管，氧化物半导体包括在氧化物半导体隔着闸极绝缘体与闸极电极互相重叠的第一区域，晶体管的临界电压大于0V，并且其开关速度小于100奈米秒。

7. 发明专利

TW201515230A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201515230A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103130826
申请日：2014-09-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/1033 , H01L29/1054 , H01L29/66969 , H01L29/785 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種具有高場效移動率的電晶體。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種電特性穩定的電晶體。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種關閉時(非導通時)的電流小的電晶體。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種包括該電晶體的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：半導體；具有與半導體的頂面接觸的區域及與半導體的側面接觸的區域的源極電極和汲極電極；具有與半導體接觸的區域的閘極絕緣膜；以及具有隔著閘極絕緣膜與半導體相對的區域的閘極電極，其中，半導體不與源極電極和汲極電極接觸的區域的通道寬度方向的長度短於半導體與源極電極和汲極電極接觸的區域的通道寬度方向的長度。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有高场效移动率的晶体管。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种电特性稳定的晶体管。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种关闭时(非导通时)的电流小的晶体管。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括该晶体管的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：半导体；具有与半导体的顶面接触的区域及与半导体的侧面接触的区域的源极电极和汲极电极；具有与半导体接触的区域的闸极绝缘膜；以及具有隔着闸极绝缘膜与半导体相对的区域的闸极电极，其中，半导体不与源极电极和汲极电极接触的区域的信道宽度方向的长度短于半导体与源极电极和汲极电极接触的区域的信道宽度方向的长度。

8. 发明专利

TW201511282A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201511282A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103121891
申请日：2014-06-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 伊藤大吾 , ITO, DAIGO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/42384 , H01L29/78648
摘要：本發明的一個方式提供一種能夠使大電流流過的半導體裝置。或者，可以提供一種以高驅動電壓穩定地驅動的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：半導體層；與半導體層電連接且在與半導體層重疊的區域隔開的第一電極及第二電極；夾著半導體層設置的第一閘極電極及第二閘極電極；半導體層與第一閘極電極之間的第一閘極絕緣層；以及半導體層與第二閘極電極之間的第二閘極絕緣層。第一閘極電極以與第一電極的一部分、半導體層及第二電極的一部分重疊的方式設置，第二閘極電極以與第一電極的一部分及半導體層重疊且不與第二電極重疊的方式設置。
简体摘要：本发明的一个方式提供一种能够使大电流流过的半导体设备。或者，可以提供一种以高驱动电压稳定地驱动的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：半导体层；与半导体层电连接且在与半导体层重叠的区域隔开的第一电极及第二电极；夹着半导体层设置的第一闸极电极及第二闸极电极；半导体层与第一闸极电极之间的第一闸极绝缘层；以及半导体层与第二闸极电极之间的第二闸极绝缘层。第一闸极电极以与第一电极的一部分、半导体层及第二电极的一部分重叠的方式设置，第二闸极电极以与第一电极的一部分及半导体层重叠且不与第二电极重叠的方式设置。

9. 发明专利

TW201530762A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201530762A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103142615
申请日：2014-12-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 倉田求 , KURATA, MOTOMU , 花岡一哉 , HANAOKA, KAZUYA , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/7869
摘要：本發明提供一種具有良好的電特性的半導體裝置。該半導體裝置包括：絕緣層；絕緣層上的半導體層；與半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層；半導體層、源極電極層以及汲極電極層上的閘極絕緣膜；以及隔著閘極絕緣膜與部分半導體層、部分源極電極層以及部分汲極電極層重疊的閘極電極層，其中半導體層的通道寬度方向上的剖面為大致三角形或大致梯形，以使實效的通道寬度短於剖面為四邊形的情況。
简体摘要：本发明提供一种具有良好的电特性的半导体设备。该半导体设备包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层；半导体层、源极电极层以及汲极电极层上的闸极绝缘膜；以及隔着闸极绝缘膜与部分半导体层、部分源极电极层以及部分汲极电极层重叠的闸极电极层，其中半导体层的信道宽度方向上的剖面为大致三角形或大致梯形，以使实效的信道宽度短于剖面为四边形的情况。

10. 发明专利

TW201501319A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201501319A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103117141
申请日：2014-05-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：花岡一哉 , HANAOKA, KAZUYA , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 小林由幸 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松田慎平 , MATSUDA, SHINPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠抑制隨著微型化而逐漸顯著的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極；氧化物半導體膜、源極電極及汲極電極上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的閘極絕緣膜；以及與閘極絕緣膜接觸的閘極電極，其中，從通道寬度方向看時，氧化物半導體膜的上端部帶弧形。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够抑制随着微型化而逐渐显着的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括：第一氧化物膜；第一氧化物膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜接触的源极电极及汲极电极；氧化物半导体膜、源极电极及汲极电极上的第二氧化物膜；第二氧化物膜上的闸极绝缘膜；以及与闸极绝缘膜接触的闸极电极，其中，从信道宽度方向看时，氧化物半导体膜的上端部带弧形。

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