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1. 发明专利

TWI693161B 晶圓層合體及其製造方法有权
简体标题：晶圆层合体及其制造方法
公开(公告)号：TWI693161B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105138431
申请日：2016-11-23
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 加藤英人 , KATO, HIDETO
IPC分类号： B32B7/12 , C09J161/06 , C09J183/04 , C09J11/06 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/67

2. 发明专利

TWI690579B 晶圓加工用暫時接著材、晶圓加工體、及薄型晶圓之製造方法有权
简体标题：晶圆加工用暂时接着材、晶圆加工体、及薄型晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI690579B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105120567
申请日：2016-06-29
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田辺正人 , TANABE, MASAHITO , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI
IPC分类号： C09J183/04 , H01L21/302 , H01L21/683

3. 发明专利

TWI673787B 晶圓加工體、晶圓加工用暫時接著材料、及薄型晶圓之製造方法有权
简体标题：晶圆加工体、晶圆加工用暂时接着材料、及薄型晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI673787B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104142768
申请日：2015-12-18
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田辺正人 , TANABE, MASAHITO , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 田上昭平 , TAGAMI, SHOHEI , 加藤英人 , KATO, HIDETO
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304 , B32B7/12 , H01L21/683 , C09J183/04

4. 发明专利

TWI693269B 晶圓加工體、晶圓加工用暫時接著材料、及薄型晶圓之製造方法有权
简体标题：晶圆加工体、晶圆加工用暂时接着材料、及薄型晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI693269B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105133577
申请日：2016-10-18
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田上昭平 , TAGAMI, SHOHEI , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 田辺正人 , TANABE, MASAHITO
IPC分类号： C09J7/20 , C09J183/04 , H01L21/683 , H01L21/304

5. 发明专利

TWI663232B 晶圓加工體、晶圓加工用臨時接著材料、及薄型晶圓之製造方法有权
简体标题：晶圆加工体、晶圆加工用临时接着材料、及薄型晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI663232B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104108323
申请日：2015-03-16
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 田上昭平 , TAGAMI, SHOHEI , 田辺正人 , TANABE, MASAHITO
IPC分类号： C09J11/04 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/06 , C09J201/00 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683

6. 发明专利

TW202027155A 薄型晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：薄型晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW202027155A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108131592
申请日：2019-09-03
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , C09J183/00
摘要：本發明提供一種薄型晶圓的製造方法，其為自支持體的晶圓之剝離為容易，且不會污染晶圓下可除去樹脂，亦可提高薄型晶圓之生產性。本發明的解決手段為一種薄型晶圓的製造方法，其為含有：藉由由具備支持體、形成於該支持體上的接著劑層，與層合成於該接著劑層具有迴路面的表面為對向的晶圓之晶圓層合體的支持體側，照射光而自層合體使支持體剝離的步驟，及前述步驟後，將殘存於晶圓的樹脂層藉由表層剝離而自晶圓除去的步驟者；前述接著劑層為自前述支持體側以以下順序僅含有：具有遮光性的樹脂層A、與含有熱硬化性聚矽氧樹脂或非聚矽氧系熱塑性樹脂之樹脂層B。
简体摘要：本发明提供一种薄型晶圆的制造方法，其为自支持体的晶圆之剥离为容易，且不会污染晶圆下可除去树脂，亦可提高薄型晶圆之生产性。本发明的解决手段为一种薄型晶圆的制造方法，其为含有：借由由具备支持体、形成于该支持体上的接着剂层，与层合成于该接着剂层具有回路面的表面为对向的晶圆之晶圆层合体的支持体侧，照射光而自层合体使支持体剥离的步骤，及前述步骤后，将残存于晶圆的树脂层借由表层剥离而自晶圆除去的步骤者；前述接着剂层为自前述支持体侧以以下顺序仅含有：具有遮光性的树脂层A、与含有热硬化性聚硅氧树脂或非聚硅氧系热塑性树脂之树脂层B。

7. 发明专利

TW201903095A 半導體裝置及其製造方法及層合體审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法及层合体
公开(公告)号：TW201903095A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107110228
申请日：2018-03-26
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 加藤英人 , KATO, HIDETO , 近藤和紀 , KONDO, KAZUNORI
IPC分类号： C09J7/30 , C09J161/06 , H01L21/56 , H01L23/31
摘要：本發明係提供製造容易，熱製程(process)耐性優異，支撐體之剝離也容易，可提高半導體封裝之生產性之半導體裝置及其製造方法及適於該半導體裝置製造的層合體。　　本發明係一種半導體裝置，其係具備支撐體、形成於該支撐體上之由二層所成之接著劑樹脂層、形成於該接著劑樹脂層上之絕緣層及再配線層、晶片層及模壓樹脂層的半導體裝置，前述接著劑樹脂層為自前述支撐體側依序由包含藉由光之照射可分解之樹脂的樹脂層A與包含非聚矽氧系熱塑性樹脂的樹脂層B所構成，前述藉由光之照射可分解之樹脂係於主鏈包含縮合環的樹脂，前述樹脂層B係在25℃下之儲存彈性模數E’為1~500MPa及拉伸斷裂強度為5~50MPa。
简体摘要：本发明系提供制造容易，热制程(process)耐性优异，支撑体之剥离也容易，可提高半导体封装之生产性之半导体设备及其制造方法及适于该半导体设备制造的层合体。　　本发明系一种半导体设备，其系具备支撑体、形成于该支撑体上之由二层所成之接着剂树脂层、形成于该接着剂树脂层上之绝缘层及再配线层、芯片层及模压树脂层的半导体设备，前述接着剂树脂层为自前述支撑体侧依序由包含借由光之照射可分解之树脂的树脂层A与包含非聚硅氧系热塑性树脂的树脂层B所构成，前述借由光之照射可分解之树脂系于主链包含缩合环的树脂，前述树脂层B系在25℃下之存储弹性模数E’为1~500MPa及拉伸断裂强度为5~50MPa。

8. 发明专利

TW201903092A 基板加工用暫時接著膜卷、薄型基板之製造方法审中-公开
简体标题：基板加工用暂时接着膜卷、薄型基板之制造方法
公开(公告)号：TW201903092A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107119103
申请日：2018-06-04
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田辺正人 , TANABE, MASAHITO , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 近藤和紀 , KONDO, KAZUNORI , 安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI
IPC分类号： C09J7/20 , C09J7/30 , C09J125/10 , C09J147/00 , C09J183/16 , C09J183/14 , C09J11/06 , C09J183/05 , C09J183/07 , B65H18/28 , H01L21/304 , H01L21/683
摘要：本發明課題在於提供一種可供給暫時接著材的基板加工用暫時接著膜卷及使用其之薄型基板之製造方法，其中該暫時接著材容易達到基板與支持體的暫時接著，暫時接著材層在基板或支持體上的形成速度快，甚而CVD(化學氣相沉積)等熱製程耐性優良，且容易剝離，而能夠提高薄型基板的生產性。　　解決手段為一種基板加工用暫時接著膜卷，其特徵在於，具備：捲芯；及複合膜狀暫時接著材，其係捲繞於該捲芯上，且用來將待加工基板暫時接著於支持體；該複合膜狀暫時接著材係具有：第一暫時接著材層(A)，其係由熱塑性樹脂所構成；第二暫時接著材層(B)，其係由熱硬化性樹脂所構成；及第三暫時接著材層(C)，其係由與該第二暫時接著材層不同的熱硬化性樹脂所構成。
简体摘要：本发明课题在于提供一种可供给暂时接着材的基板加工用暂时接着膜卷及使用其之薄型基板之制造方法，其中该暂时接着材容易达到基板与支持体的暂时接着，暂时接着材层在基板或支持体上的形成速度快，甚而CVD(化学气相沉积)等热制程耐性优良，且容易剥离，而能够提高薄型基板的生产性。　　解决手段为一种基板加工用暂时接着膜卷，其特征在于，具备：卷芯；及复合膜状暂时接着材，其系卷绕于该卷芯上，且用来将待加工基板暂时接着于支持体；该复合膜状暂时接着材系具有：第一暂时接着材层(A)，其系由热塑性树脂所构成；第二暂时接着材层(B)，其系由热硬化性树脂所构成；及第三暂时接着材层(C)，其系由与该第二暂时接着材层不同的热硬化性树脂所构成。

9. 发明专利

TWI699413B 暫時接著方法及薄型晶圓之製造方法有权
简体标题：暂时接着方法及薄型晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI699413B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105132432
申请日：2016-10-06
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 田辺正人 , TANABE, MASAHITO
IPC分类号： C09J125/06 , C09J163/00 , C09J183/04 , C09J5/06 , C09J7/20 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/768

10. 发明专利

TW201828329A 晶圓層合體及其製造方法审中-公开
简体标题：晶圆层合体及其制造方法
公开(公告)号：TW201828329A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106134493
申请日：2017-10-06
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：安田浩之 , YASUDA, HIROYUKI , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO , 加藤英人 , KATO, HIDETO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683 , C09J201/00 , C09J165/00 , B32B7/12 , B32B27/00 , C09J7/02
摘要：本發明之課題為提供支持體與晶圓之接合容易，晶圓自支持體之剝離亦容易，且可提高薄型晶圓之生產性，適於薄型晶圓製造的晶圓層合體，及其製造方法。　　其解決手段為一種晶圓層合體，其係具備支持體、形成於該支持體上之接著劑層、與於該接著劑層以具有電路面之表面呈對向的方式層合之晶圓的晶圓層合體，其中前述接著劑層，自前述支持體側起，係依序由具有遮光性之樹脂層A，與含有非聚矽氧系熱可塑性樹脂之樹脂層B所構成，樹脂層A含有包含含有縮合環之重複單位的樹脂，且樹脂層B，於25℃之儲存模數E’為1~500MPa，且拉伸斷裂強度為5~50MPa。
简体摘要：本发明之课题为提供支持体与晶圆之接合容易，晶圆自支持体之剥离亦容易，且可提高薄型晶圆之生产性，适于薄型晶圆制造的晶圆层合体，及其制造方法。　　其解决手段为一种晶圆层合体，其系具备支持体、形成于该支持体上之接着剂层、与于该接着剂层以具有电路面之表面呈对向的方式层合之晶圆的晶圆层合体，其中前述接着剂层，自前述支持体侧起，系依序由具有遮光性之树脂层A，与含有非聚硅氧系热可塑性树脂之树脂层B所构成，树脂层A含有包含含有缩合环之重复单位的树脂，且树脂层B，于25℃之存储模数E’为1~500MPa，且拉伸断裂强度为5~50MPa。

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