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1. 发明专利

TW202019000A 可撓式有機EL顯示器之製造方法审中-公开
简体标题：可挠式有机EL显示器之制造方法
公开(公告)号：TW202019000A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108131860
申请日：2019-09-04
申请人：日商三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 高松生芳 , TAKAMATSU, KIYOSHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOUJI , 崔東光 , CHIO, DONG KWANG
IPC分类号： H01L51/56 , B32B17/10 , C03C17/32
摘要：本發明提供一種可緩和作業之複雜度之可撓式有機EL顯示器之製造方法。可撓式有機EL顯示器之製造方法係關於多層積層基板10之製造，該多層積層基板10包含積層有第1玻璃層11A與第1樹脂層11B之第1積層基板11、及積層有第2玻璃層12A與第2樹脂層12B之第2積層基板12，且以第1樹脂層11B與第2樹脂層12B對向之方式積層。該製造方法包含前段步驟，該前段步驟為積層第1積層基板11與第2積層基板12之步驟之前的步驟。前段步驟包含前段加工步驟，該前段加工步驟對第1積層基板11及第2積層基板12之至少一者實施與第1玻璃層11A、第2玻璃層12A、第1樹脂層11B、及第2樹脂層12B之至少一者之切斷相關聯之加工。
简体摘要：本发明提供一种可缓和作业之复杂度之可挠式有机EL显示器之制造方法。可挠式有机EL显示器之制造方法系关于多层积层基板10之制造，该多层积层基板10包含积层有第1玻璃层11A与第1树脂层11B之第1积层基板11、及积层有第2玻璃层12A与第2树脂层12B之第2积层基板12，且以第1树脂层11B与第2树脂层12B对向之方式积层。该制造方法包含前段步骤，该前段步骤为积层第1积层基板11与第2积层基板12之步骤之前的步骤。前段步骤包含前段加工步骤，该前段加工步骤对第1积层基板11及第2积层基板12之至少一者实施与第1玻璃层11A、第2玻璃层12A、第1树脂层11B、及第2树脂层12B之至少一者之切断相关联之加工。

2. 发明专利

TW202021801A 可撓性有機EL顯示器之製造方法审中-公开
简体标题：可挠性有机EL显示器之制造方法
公开(公告)号：TW202021801A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108133373
申请日：2019-09-17
申请人：日商三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 高松生芳 , TAKAMATSU, KIYOSHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOUJI , 崔東光 , CHIO, DONGKWANG
IPC分类号： B32B17/10 , B32B38/10 , H05B33/02 , H05B33/10 , H01L51/50 , B23K26/402
摘要：本發明之課題在於提供一種製造效率不易降低之可撓性有機EL顯示器之製造方法。本發明之可撓性有機EL顯示器之製造方法與多層積層基板10之製造相關，該多層積層基板10包含積層有第1玻璃層11A及第1樹脂層11B之第1積層基板11、及積層有第2玻璃層12A及第2樹脂層12B之第2積層基板12，且將第1樹脂層11B與第2樹脂層12B以對向之方式積層。該製造方法包含將第1積層基板11與第2積層基板12積層之步驟以後之步驟即後段步驟。後段步驟包含切斷經積層之第1積層基板11及第2積層基板12之後段加工步驟。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种制造效率不易降低之可挠性有机EL显示器之制造方法。本发明之可挠性有机EL显示器之制造方法与多层积层基板10之制造相关，该多层积层基板10包含积层有第1玻璃层11A及第1树脂层11B之第1积层基板11、及积层有第2玻璃层12A及第2树脂层12B之第2积层基板12，且将第1树脂层11B与第2树脂层12B以对向之方式积层。该制造方法包含将第1积层基板11与第2积层基板12积层之步骤以后之步骤即后段步骤。后段步骤包含切断经积层之第1积层基板11及第2积层基板12之后段加工步骤。

3. 发明专利

TW201804528A 雷射加工裝置审中-公开
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TW201804528A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106105926
申请日：2017-02-22
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 荒川美紀 , ARAKAWA, MINORI , 橋本百加 , HASHIMOTO, MOMOKA , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOUJI
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/38 , B23K26/40
摘要：本發明之雷射加工裝置中，可減少對多層樹脂基板施以半切斷加工時加工到下側之樹脂層之不良情況。雷射加工裝置1係將自表面側起具有第1樹脂層L1、第1黏著層A1及第2樹脂層L2之多層樹脂基板P進行半切斷之裝置，且具備雷射裝置3。雷射光R於第1樹脂層L1吸收率高，於第2樹脂層L2吸收率低。
简体摘要：本发明之激光加工设备中，可减少对多层树脂基板施以半切断加工时加工到下侧之树脂层之不良情况。激光加工设备1系将自表面侧起具有第1树脂层L1、第1黏着层A1及第2树脂层L2之多层树脂基板P进行半切断之设备，且具备激光设备3。激光光R于第1树脂层L1吸收率高，于第2树脂层L2吸收率低。

4. 发明专利

TWI491573B 玻璃基板之刻劃線方法及加工裝置失效
简体标题：玻璃基板之刻划线方法及加工设备
公开(公告)号：TWI491573B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101130387
申请日：2012-08-22
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：蘇宇航 , SU, YU HANG , 池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： C03B33/033

5. 发明专利

TW201321322A 刻劃裝置审中-公开
简体标题：刻划设备
公开(公告)号：TW201321322A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101123414
申请日：2012-06-29
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：蘇宇航 , SU, YUHANG , 池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： C03B33/10 , B23K26/04
摘要：本發明係提供一種於前一次刻劃後，下一次刻劃時不受殘留冷媒影響之刻劃裝置。本發明之刻劃裝置A係具備工作台1、刻劃頭9、及使刻劃頭9相對工作台1移動之移動機構6、8、M；刻劃頭9具備雷射照射部10，其對工作台1上之脆性材料基板W照射雷射光束，形成作為加熱區域之雷射點；及冷媒噴射部11，其朝向雷射點之移動方向之後方位置噴射包含液體之冷媒，形成作為冷卻區域之冷卻點；沿著基板W假定之刻劃預定線使雷射點及冷卻點依序移動，形成熱應力之刻劃線；刻劃頭9進一步具備朝向雷射點之移動方向前方位置噴射氣體之氣體噴射部12。
简体摘要：本发明系提供一种于前一次刻划后，下一次刻划时不受残留冷媒影响之刻划设备。本发明之刻划设备A系具备工作台1、刻划头9、及使刻划头9相对工作台1移动之移动机构6、8、M；刻划头9具备激光照射部10，其对工作台1上之脆性材料基板W照射激光光束，形成作为加热区域之激光点；及冷媒喷射部11，其朝向激光点之移动方向之后方位置喷射包含液体之冷媒，形成作为冷却区域之冷却点；沿着基板W假定之刻划预定线使激光点及冷却点依序移动，形成热应力之刻划线；刻划头9进一步具备朝向激光点之移动方向前方位置喷射气体之气体喷射部12。

6. 发明专利

TW201313636A 玻璃基板之劃線方法审中-公开
简体标题：玻璃基板之划线方法
公开(公告)号：TW201313636A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130083
申请日：2012-08-20
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：蘇宇航 , SU, YU HANG , 池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： C03B33/02 , C03B33/09
CPC分类号： Y02P40/57
摘要：本發明提供一種玻璃基板之劃線方法，其課題係在於能對表面經強化之玻璃既容易且穩定地形成所希望之劃線溝，以防止自然斷開。本發明之玻璃基板之劃線方法，係對在表面具有具壓縮應力之強化層的強化玻璃進行劃線之方法，且包含龜裂限制溝形成步驟及劃線溝形成步驟。在龜裂限制溝形成步驟中，於玻璃之表面，將具有預定寬度之龜裂限制用溝朝與劃線預定線交叉之方向形成在劃線預定線之終端部。在劃線溝形成步驟中，將雷射光照射在玻璃之表面而予以加熱，並且將加熱過之區域予以冷卻，並沿著劃線預定線使龜裂進展而形成劃線溝。
简体摘要：本发明提供一种玻璃基板之划线方法，其课题系在于能对表面经强化之玻璃既容易且稳定地形成所希望之划线沟，以防止自然断开。本发明之玻璃基板之划线方法，系对在表面具有具压缩应力之强化层的强化玻璃进行划线之方法，且包含龟裂限制沟形成步骤及划线沟形成步骤。在龟裂限制沟形成步骤中，于玻璃之表面，将具有预定宽度之龟裂限制用沟朝与划线预定线交叉之方向形成在划线预定线之终端部。在划线沟形成步骤中，将激光光照射在玻璃之表面而予以加热，并且将加热过之区域予以冷却，并沿着划线预定线使龟裂进展而形成划线沟。

7. 发明专利

TW201706221A 疊層基板之加工方法及利用雷射光之疊層基板之加工裝置审中-公开
简体标题：叠层基板之加工方法及利用激光光之叠层基板之加工设备
公开(公告)号：TW201706221A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105104788
申请日：2016-02-18
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：國生智史 , KOKUSEI, SATOSHI , 池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOUJI , 中谷郁祥 , NAKATANI, IKUYOSHI
IPC分类号： C03B33/09 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/78
摘要：本發明能夠同時且高品質地對構成疊層基板之脆性材料基板及樹脂層進行加工。該加工方法包含第1步驟及第2步驟。第1步驟係準備包含玻璃基板11、及形成於玻璃基板11之表面之樹脂層12之疊層基板G。第2步驟係將特定波長之雷射光以於玻璃基板11聚光之方式照射於疊層基板G，將樹脂層12之雷射光照射部分改性而使脆性破壞強度低於周圍之脆性破壞強度，且使玻璃基板11產生龜裂。
简体摘要：本发明能够同时且高品质地对构成叠层基板之脆性材料基板及树脂层进行加工。该加工方法包含第1步骤及第2步骤。第1步骤系准备包含玻璃基板11、及形成于玻璃基板11之表面之树脂层12之叠层基板G。第2步骤系将特定波长之激光光以于玻璃基板11聚光之方式照射于叠层基板G，将树脂层12之激光光照射部分改性而使脆性破坏强度低于周围之脆性破坏强度，且使玻璃基板11产生龟裂。

8. 发明专利

TWI414389B 基板分斷裝置有权
简体标题：基板分断设备
公开(公告)号：TWI414389B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW100108061
申请日：2011-03-10
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： B23K26/38 , B23K101/40

9. 发明专利

TW201811479A 雷射加工裝置以及雷射加工方法审中-公开
简体标题：激光加工设备以及激光加工方法
公开(公告)号：TW201811479A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106111313
申请日：2017-04-05
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 荒川美紀 , ARAKAWA, MINORI , 橋本百加 , HASHIMOTO, MOMOKA , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOUJI
IPC分类号： B23K26/38 , B23K101/18
摘要：本發明之課題在於使得當藉由雷射加工裝置對複數層樹脂基板進行全切加工時，於表面側之層之加工時內側之樹脂層不易被加工。雷射加工裝置1係用以自表面側將具有第1樹脂層L1與第2樹脂層L2之複數層樹脂基板P切斷之裝置，且具備第1雷射振盪器9A與第2雷射振盪器9B。第1雷射振盪器9A係產生用以將第1樹脂層L1切斷之第1雷射光R1之裝置。第1雷射光R1係與相對於第1樹脂層L1而言相比，相對於第2樹脂層L2而言吸收率較低。第2雷射振盪器9B係產生用以將第2樹脂層L2切斷之第2雷射光R2之裝置。第2雷射光R2係與相對於第1樹脂層L1而言相比，相對於第2樹脂層L2而言吸收率較高。
简体摘要：本发明之课题在于使得当借由激光加工设备对复数层树脂基板进行全切加工时，于表面侧之层之加工时内侧之树脂层不易被加工。激光加工设备1系用以自表面侧将具有第1树脂层L1与第2树脂层L2之复数层树脂基板P切断之设备，且具备第1激光振荡器9A与第2激光振荡器9B。第1激光振荡器9A系产生用以将第1树脂层L1切断之第1激光光R1之设备。第1激光光R1系与相对于第1树脂层L1而言相比，相对于第2树脂层L2而言吸收率较低。第2激光振荡器9B系产生用以将第2树脂层L2切断之第2激光光R2之设备。第2激光光R2系与相对于第1树脂层L1而言相比，相对于第2树脂层L2而言吸收率较高。

10. 发明专利

TW201313639A 玻璃基板之刻劃線方法及加工裝置失效
简体标题：玻璃基板之刻划线方法及加工设备
公开(公告)号：TW201313639A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130387
申请日：2012-08-22
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：蘇宇航 , SU, YU HANG , 池田剛史 , IKEDA, TAKESHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： C03B33/033
摘要：本發明提供一種玻璃基板之刻劃線方法及加工裝置，其課題係在於對在表面具備強化層之玻璃容易且穩定地形成所希望之刻劃線溝，以防止自然分斷。本發明之玻璃基板之刻劃線方法，係沿著刻劃線預定線對在表面具有具壓縮應力之強化層的玻璃進行刻劃線之玻璃基板之方法，其包含第1至第3步驟。第1步驟係將玻璃載置在具有基板保持用之複數個吸著孔之台座，並且以比中央部更強之吸著壓將玻璃之刻劃線預定線的終端側之玻璃端部予以吸著。第2步驟係在玻璃之表面形成初期龜裂。第3步驟係將雷射光照射在玻璃之表面並予以加熱，並且將加熱過之區域予以冷卻，並沿著刻劃線預定線使龜裂進展而形成刻劃線溝。
简体摘要：本发明提供一种玻璃基板之刻划线方法及加工设备，其课题系在于对在表面具备强化层之玻璃容易且稳定地形成所希望之刻划线沟，以防止自然分断。本发明之玻璃基板之刻划线方法，系沿着刻划线预定线对在表面具有具压缩应力之强化层的玻璃进行刻划线之玻璃基板之方法，其包含第1至第3步骤。第1步骤系将玻璃载置在具有基板保持用之复数个吸着孔之台座，并且以比中央部更强之吸着压将玻璃之刻划线预定线的终端侧之玻璃端部予以吸着。第2步骤系在玻璃之表面形成初期龟裂。第3步骤系将激光光照射在玻璃之表面并予以加热，并且将加热过之区域予以冷却，并沿着刻划线预定线使龟裂进展而形成刻划线沟。

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