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1. 发明专利

TWI574732B 薄膜之成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：薄膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI574732B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104114355
申请日：2015-05-06
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：佐守真悟 , SAMORI, SHINGO , 高瀬慎一 , TAKASE, SHINICHI , 菅原聡 , SUGAWARA, SATOSHI , 長江亦周 , NAGAE, EKISYU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG
IPC分类号： B01J3/04 , B05D1/02 , B05D5/00 , B05D3/00 , B05D7/24
CPC分类号： B05B17/04 , B05B9/04 , B05B13/0221 , B05B14/20 , B05B16/60 , B05D1/02 , B05D3/0493 , B05D5/083 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/15

2. 发明专利

TW201700755A 薄膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：薄膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201700755A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104120674
申请日：2015-06-26
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：佐守真悟 , SAMORI, SHINGO , 高瀬慎一 , TAKASE, SHINICHI , 菅原聡 , SUGAWARA, SATOSHI , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/54 , B05D1/02 , B05D5/00 , B05B9/04 , B05B15/00
摘要：本發明提供一種以低成本成膜出具備耐久性的薄膜的方法。該成膜方法使用成膜裝置(1)。該裝置(1)包括：基板(100)配置於內部下方的真空容器(11)、對該容器(11)內進行排氣的真空泵(15)、設置於容器(11)外部且儲藏成膜劑溶液(21)的儲藏容器(23)、一端具有可以排出成膜劑溶液(21)的排出部(19)的噴嘴(17)。使用由2種以上材料構成的溶液作為成膜劑溶液(21)，上述2種以上材料包括第1材料(S1)和具有高於該S1的蒸汽壓(P1)的蒸汽壓(P2)的第2材料(S2)。將該成膜劑溶液(21)在高於P1且低於P2的壓力氣氛下，排出至基板上。
简体摘要：本发明提供一种以低成本成膜出具备耐久性的薄膜的方法。该成膜方法使用成膜设备(1)。该设备(1)包括：基板(100)配置于内部下方的真空容器(11)、对该容器(11)内进行排气的真空泵(15)、设置于容器(11)外部且储藏成膜剂溶液(21)的储藏容器(23)、一端具有可以排出成膜剂溶液(21)的排出部(19)的喷嘴(17)。使用由2种以上材料构成的溶液作为成膜剂溶液(21)，上述2种以上材料包括第1材料(S1)和具有高于该S1的蒸汽压(P1)的蒸汽压(P2)的第2材料(S2)。将该成膜剂溶液(21)在高于P1且低于P2的压力气氛下，排出至基板上。

3. 发明专利

TW201700183A 薄膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：薄膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201700183A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104120675
申请日：2015-06-26
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：佐守真悟 , SAMORI, SHINGO , 高瀬慎一 , TAKASE, SHINICHI , 菅原聡 , SUGAWARA, SATOSHI , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG
IPC分类号： B05D1/02 , B05B9/04 , B05C5/00
摘要：本發明提供一種以低成本成膜出具備耐久性的薄膜的方法。該成膜方法使用成膜裝置(1)。該裝置(1)包括：基板(100)配置於內部下方的真空容器(11)、對該容器(11)內進行排氣的真空泵(15)、設置於容器(11)外部且儲藏成膜劑溶液(21)的儲藏容器(23)、一端具有成為可排出成膜劑溶液(21)的排出部(19)的噴嘴(17)、加壓儲藏容器(23)內所儲藏的成膜劑溶液(21)的液面的加壓單元(氣體供給源(29)等)。使用由2種以上材料構成的溶液作為成膜劑溶液(21)，上述溶液包含第1材料(S1)和具有高於該S1的蒸汽壓(P1)的蒸汽壓(P2)的第2材料(S2)，且第1材料的濃度為0.01重量%以上。對於該成膜劑溶液(21)，在P2以上的壓力(其中，不包括高於P2一個數量級以上的壓力)的氣氛下，以0.05~0.3MPa的排出壓將其排出至基板上。
简体摘要：本发明提供一种以低成本成膜出具备耐久性的薄膜的方法。该成膜方法使用成膜设备(1)。该设备(1)包括：基板(100)配置于内部下方的真空容器(11)、对该容器(11)内进行排气的真空泵(15)、设置于容器(11)外部且储藏成膜剂溶液(21)的储藏容器(23)、一端具有成为可排出成膜剂溶液(21)的排出部(19)的喷嘴(17)、加压储藏容器(23)内所储藏的成膜剂溶液(21)的液面的加压单元(气体供给源(29)等)。使用由2种以上材料构成的溶液作为成膜剂溶液(21)，上述溶液包含第1材料(S1)和具有高于该S1的蒸汽压(P1)的蒸汽压(P2)的第2材料(S2)，且第1材料的浓度为0.01重量%以上。对于该成膜剂溶液(21)，在P2以上的压力(其中，不包括高于P2一个数量级以上的压力)的气氛下，以0.05~0.3MPa的排出压将其排出至基板上。

4. 发明专利

TW201604310A 薄膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：薄膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201604310A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104114354
申请日：2015-05-06
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：佐守真悟 , SAMORI, SHINGO , 高瀬慎一 , TAKASE, SHINICHI , 菅原聡 , SUGAWARA, SATOSHI , 長江亦周 , NAGAE, EKISYU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： B05B17/04 , B05B9/04 , B05B13/0221 , B05B14/20 , B05B16/60 , B05D1/02 , B05D3/0493 , B05D5/083 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/15
摘要：提供一種以低成本成膜形成具備耐久性的薄膜之方法。該成膜方法係使用成膜裝置1。該裝置1係包括：真空容器11，基板100係被配置在其內部下方；真空泵15，其係用以將該容器11內排氣；儲存容器23，其係儲存成膜劑溶液21且設置在容器11外部；及噴嘴17，其係在一端具有能夠將成膜劑溶液21吐出之吐出部19。作為成膜劑溶液21，係使用由包括第1材料(S1)、及具有比該S1的蒸氣壓(P1)更高的蒸氣壓(P2)之第2材料(S2)之2種類以上的材料所構成之溶液。將該成膜劑溶液21在比P1更高且比P2更低的壓力之環境下吐出至基板。
简体摘要：提供一种以低成本成膜形成具备耐久性的薄膜之方法。该成膜方法系使用成膜设备1。该设备1系包括：真空容器11，基板100系被配置在其内部下方；真空泵15，其系用以将该容器11内排气；存储容器23，其系存储成膜剂溶液21且设置在容器11外部；及喷嘴17，其系在一端具有能够将成膜剂溶液21吐出之吐出部19。作为成膜剂溶液21，系使用由包括第1材料(S1)、及具有比该S1的蒸气压(P1)更高的蒸气压(P2)之第2材料(S2)之2种类以上的材料所构成之溶液。将该成膜剂溶液21在比P1更高且比P2更低的压力之环境下吐出至基板。

5. 发明专利

TW201545813A 薄膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：薄膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201545813A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104114355
申请日：2015-05-06
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：佐守真悟 , SAMORI, SHINGO , 高瀬慎一 , TAKASE, SHINICHI , 菅原聡 , SUGAWARA, SATOSHI , 長江亦周 , NAGAE, EKISYU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG
IPC分类号： B01J3/04 , B05D1/02 , B05D5/00 , B05D3/00 , B05D7/24
CPC分类号： B05B17/04 , B05B9/04 , B05B13/0221 , B05B14/20 , B05B16/60 , B05D1/02 , B05D3/0493 , B05D5/083 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/15
摘要：提供一種以低成本成膜形成具備耐久性的薄膜之方法。該成膜方法係使用成膜裝置1。該裝置1係包括：真空容器11，基板100係被配置在其內部下方；真空泵15，其係用以將該容器11內排氣；儲存容器23，其係用以儲存成膜劑溶液21，且係設置在容器11外部；噴嘴17，其係在一端具有能夠將成膜劑溶液21吐出之吐出部19；及加壓裝置(氣體供給源29等)，其係用以將在儲存容器23內所儲存的成膜劑溶液21之液面加壓。作為成膜劑溶液21，係使用由包括第1材料(S1)、及具有比該S1的蒸氣壓(P1)更高的蒸氣壓(P2)之第2材料(S2)之2種類以上的材料所構成，且第1材料的濃度為0.01重量%以上之溶液。將該成膜劑溶液21在P2以上的壓力(但除了比P2更高一個位數以上的壓力以外)的環境下，以0.05~0.3MPa的吐出壓吐出至基板。
简体摘要：提供一种以低成本成膜形成具备耐久性的薄膜之方法。该成膜方法系使用成膜设备1。该设备1系包括：真空容器11，基板100系被配置在其内部下方；真空泵15，其系用以将该容器11内排气；存储容器23，其系用以存储成膜剂溶液21，且系设置在容器11外部；喷嘴17，其系在一端具有能够将成膜剂溶液21吐出之吐出部19；及加压设备(气体供给源29等)，其系用以将在存储容器23内所存储的成膜剂溶液21之液面加压。作为成膜剂溶液21，系使用由包括第1材料(S1)、及具有比该S1的蒸气压(P1)更高的蒸气压(P2)之第2材料(S2)之2种类以上的材料所构成，且第1材料的浓度为0.01重量%以上之溶液。将该成膜剂溶液21在P2以上的压力(但除了比P2更高一个位数以上的压力以外)的环境下，以0.05~0.3MPa的吐出压吐出至基板。

6. 发明专利

TWI599675B 薄膜之成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：薄膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI599675B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104114354
申请日：2015-05-06
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：佐守真悟 , SAMORI, SHINGO , 高瀬慎一 , TAKASE, SHINICHI , 菅原聡 , SUGAWARA, SATOSHI , 長江亦周 , NAGAE, EKISYU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： B05B17/04 , B05B9/04 , B05B13/0221 , B05B14/20 , B05B16/60 , B05D1/02 , B05D3/0493 , B05D5/083 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/15

7. 发明专利

TW201701387A 薄膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：薄膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201701387A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104120676
申请日：2015-06-26
申请人：新柯隆股份有限公司 , SHINCRON CO., LTD.
发明人：佐守真悟 , SAMORI, SHINGO , 高瀬慎一 , TAKASE, SHINICHI , 菅原聡 , SUGAWARA, SATOSHI , 長江亦周 , NAGAE, EKISHU , 姜友松 , JIANG, YOUSONG
IPC分类号： H01L21/67 , G03F7/16
摘要：本發明提供一種以低成本成膜出具備耐久性的薄膜的方法。該成膜方法使用成膜裝置(1)。該裝置(1)包括基板(100)配置於內部下方的真空容器(11)、對該容器(11)內進行排氣的真空泵(15)、設置於容器(11)外部且儲藏成膜劑溶液(21)的儲藏容器(23)、一端具有成為可排出成膜劑溶液(21)的排出部(19)的噴嘴(17)。使用含有2種以上材料的溶液作為成膜劑溶液(21)。將該成膜劑溶液(21)在基於構成該溶液的各材料的蒸汽壓而設定的壓力的氣氛下排出至基板上。
简体摘要：本发明提供一种以低成本成膜出具备耐久性的薄膜的方法。该成膜方法使用成膜设备(1)。该设备(1)包括基板(100)配置于内部下方的真空容器(11)、对该容器(11)内进行排气的真空泵(15)、设置于容器(11)外部且储藏成膜剂溶液(21)的储藏容器(23)、一端具有成为可排出成膜剂溶液(21)的排出部(19)的喷嘴(17)。使用含有2种以上材料的溶液作为成膜剂溶液(21)。将该成膜剂溶液(21)在基于构成该溶液的各材料的蒸汽压而设置的压力的气氛下排出至基板上。

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