专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201843749A 半導體裝置及藉由鐵磁性材料形成磁場屏蔽的方法审中-公开
简体标题：半导体设备及借由铁磁性材料形成磁场屏蔽的方法
公开(公告)号：TW201843749A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107102718
申请日：2018-01-25
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：曹成源 , CHO, SUNGWON , 崔善弘 , CHOI, SEONHONG , 金昌伍 , KIM, CHANGOH
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/60 , H01L23/28 , H01L23/29
摘要：一種半導體裝置係具有一基板以及一被設置在該基板之上的半導體構件。一離散的電性裝置可被設置在該基板之上。一密封劑係被沉積在該基板以及半導體構件之上。一鐵磁性材料係被設置在該密封劑之上。該鐵磁性材料係包含一或多種鐵氧體類型的材料、或是其它具有一呈現鐵磁性性質的晶體結構的材料。該鐵磁性材料係包含一鐵磁性膜，其係具有一聚對苯二甲酸乙二酯層、鐵氧體層、以及黏著層。該鐵磁性膜係從具有鐵磁性膜的板片來加以提供的。一屏蔽層係被形成在該鐵磁性材料之上以及在該半導體構件的周圍。該鐵磁性材料係提供磁性屏蔽以藉由形成一低磁阻的磁通量迴路以改變磁通量場的方向以遠離該半導體晶粒，來降低磁通量場在包含低頻干擾的所有頻帶上對於該半導體晶粒的影響。
简体摘要：一种半导体设备系具有一基板以及一被设置在该基板之上的半导体构件。一离散的电性设备可被设置在该基板之上。一密封剂系被沉积在该基板以及半导体构件之上。一铁磁性材料系被设置在该密封剂之上。该铁磁性材料系包含一或多种铁氧体类型的材料、或是其它具有一呈现铁磁性性质的晶体结构的材料。该铁磁性材料系包含一铁磁性膜，其系具有一聚对苯二甲酸乙二酯层、铁氧体层、以及黏着层。该铁磁性膜系从具有铁磁性膜的板片来加以提供的。一屏蔽层系被形成在该铁磁性材料之上以及在该半导体构件的周围。该铁磁性材料系提供磁性屏蔽以借由形成一低磁阻的磁通量回路以改变磁通量场的方向以远离该半导体晶粒，来降低磁通量场在包含低频干扰的所有频带上对于该半导体晶粒的影响。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式