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1. 发明专利

TW201834084A 半導體裝置及形成具有嵌入式電感或封裝的整合式系統級封裝模組之方法审中-公开
简体标题：半导体设备及形成具有嵌入式电感或封装的集成式系统级封装模块之方法
公开(公告)号：TW201834084A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139939
申请日：2017-11-17
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG , 白蕓在 , BEAK, WOONJAE , 朴利洙 , PARK, YISU , 金五漢 , KIM, OHHAN , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 李喜秀 , LEE, HEESOO
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/552
摘要：一種半導體裝置係具有一基板，其中一第一開口以及第二開口係在該基板中加以形成。一第一半導體構件係被設置在該基板上。該基板係被設置在一載體上。一第二半導體構件係被設置在該基板的該第一開口中的該載體上。一第三半導體構件係被設置在該第二開口中。在某些實施例中，該第三半導體構件是一半導體封裝。一第一屏蔽層可被形成在該半導體封裝之上。一密封劑係被沉積在該基板、第一半導體構件、以及第二半導體構件之上。一屏蔽層可被形成在該密封劑之上。
简体摘要：一种半导体设备系具有一基板，其中一第一开口以及第二开口系在该基板中加以形成。一第一半导体构件系被设置在该基板上。该基板系被设置在一载体上。一第二半导体构件系被设置在该基板的该第一开口中的该载体上。一第三半导体构件系被设置在该第二开口中。在某些实施例中，该第三半导体构件是一半导体封装。一第一屏蔽层可被形成在该半导体封装之上。一密封剂系被沉积在该基板、第一半导体构件、以及第二半导体构件之上。一屏蔽层可被形成在该密封剂之上。

2. 发明专利

TW201903916A 半導體裝置及在膜層上形成系統級模組封裝之方法审中-公开
简体标题：半导体设备及在膜层上形成系统级模块封装之方法
公开(公告)号：TW201903916A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107102626
申请日：2018-01-25
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：金五漢 , KIM, OHHAN , 金京煥 , KIM, KYUNGHWAN , 白蕓在 , BEAK, WOONJAE , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 尹仁相 , YOON, INSANG
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/552 , H01L23/58
摘要：本發明提供一種有半導體晶粒或構件的半導體裝置，包含一整合式被動裝置(IPD)，被設置在一可穿透膜層的貼附區上方，該半導體晶粒或構件的一部分被埋置在該可穿透膜層中。一導體層被形成在該貼附區裡面的該膜層的一部分上方以及該貼附區外面的該膜層的一部分上方。一囊封劑被沉積在該膜層、導體層、以及半導體晶粒或構件的上方。該導體層延伸在該囊封劑外面。一絕緣材料被設置在該半導體晶粒或構件下方。一屏蔽層被形成在該囊封劑上方。該屏蔽層被電連接至該導體層。該可穿透膜層被移除。被設置在該膜層上方且被該囊封劑與屏蔽層遮蓋的半導體晶粒或構件形成一沒有基板的系統級模組封裝。
简体摘要：本发明提供一种有半导体晶粒或构件的半导体设备，包含一集成式被动设备(IPD)，被设置在一可穿透膜层的贴附区上方，该半导体晶粒或构件的一部分被埋置在该可穿透膜层中。一导体层被形成在该贴附区里面的该膜层的一部分上方以及该贴附区外面的该膜层的一部分上方。一囊封剂被沉积在该膜层、导体层、以及半导体晶粒或构件的上方。该导体层延伸在该囊封剂外面。一绝缘材料被设置在该半导体晶粒或构件下方。一屏蔽层被形成在该囊封剂上方。该屏蔽层被电连接至该导体层。该可穿透膜层被移除。被设置在该膜层上方且被该囊封剂与屏蔽层遮盖的半导体晶粒或构件形成一没有基板的系统级模块封装。

3. 发明专利

TW201822284A 半導體裝置及形成３Ｄ中介體系統級封裝模組的方法审中-公开
简体标题：半导体设备及形成３Ｄ中介体系统级封装模块的方法
公开(公告)号：TW201822284A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106142754
申请日：2017-12-06
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：金五漢 , KIM, OHHAN , 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 尹仁相 , YOON, INSANG , 沈一權 , SHIM, IL KWON
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/58 , H01L23/48 , H01L25/00
摘要：一種半導體裝置係具有一第一基板。一第一半導體構件以及第二半導體構件係被設置在該第一基板上。在某些實施例中，一凹處係被形成在該第一基板中，並且該第一半導體構件係被設置在該第一基板的該凹處上。一第二基板係具有穿過該第二基板所形成的一開口。一第三半導體構件係被設置在該第二基板上。該第二基板係被設置在該第一基板以及第二半導體構件之上。該第一半導體構件係延伸穿過該開口。一密封劑係沉積在該第一基板以及第二基板之上。
简体摘要：一种半导体设备系具有一第一基板。一第一半导体构件以及第二半导体构件系被设置在该第一基板上。在某些实施例中，一凹处系被形成在该第一基板中，并且该第一半导体构件系被设置在该第一基板的该凹处上。一第二基板系具有穿过该第二基板所形成的一开口。一第三半导体构件系被设置在该第二基板上。该第二基板系被设置在该第一基板以及第二半导体构件之上。该第一半导体构件系延伸穿过该开口。一密封剂系沉积在该第一基板以及第二基板之上。

4. 发明专利

TW201826404A 半導體裝置與形成具有從囊封物延伸出的電性構件端子的系統級封裝的方法审中-公开
简体标题：半导体设备与形成具有从囊封物延伸出的电性构件端子的系统级封装的方法
公开(公告)号：TW201826404A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106129759
申请日：2017-08-31
申请人：星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：鄭珍熙 , JUNG, JINHEE , 金五漢 , KIM, OHHAN , 尹仁相 , YOON, INSANG
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/552
摘要：一種半導體裝置係具有一載體，一黏著層係被形成在該載體之上。對準標記係被設置以用於將該電性構件拾放在該載體或是黏著層上。一電性構件係藉由將該電性構件的端子壓入該黏著層中而被設置在該黏著層上。該電性構件可以是一半導體晶粒、離散的構件、電子模組、以及半導體封裝。一引線架係被設置在該黏著層之上。一屏蔽層係被形成在該電性構件之上。一囊封物係被沉積在該電性構件之上。該載體以及黏著層係被移除，使得該電性構件的該些端子係從該囊封物延伸出以用於電互連。一基板係包含複數個導電線路。該半導體裝置係被設置在該基板上，其中該電性構件的該些端子係接觸該些導電線路。
简体摘要：一种半导体设备系具有一载体，一黏着层系被形成在该载体之上。对准标记系被设置以用于将该电性构件十放在该载体或是黏着层上。一电性构件系借由将该电性构件的端子压入该黏着层中而被设置在该黏着层上。该电性构件可以是一半导体晶粒、离散的构件、电子模块、以及半导体封装。一引线架系被设置在该黏着层之上。一屏蔽层系被形成在该电性构件之上。一囊封物系被沉积在该电性构件之上。该载体以及黏着层系被移除，使得该电性构件的该些端子系从该囊封物延伸出以用于电互连。一基板系包含复数个导电线路。该半导体设备系被设置在该基板上，其中该电性构件的该些端子系接触该些导电线路。

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