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1. 发明专利

TWI695468B 具有屏蔽之積體電路封裝系統以及其製法有权
简体标题：具有屏蔽之集成电路封装系统以及其制法
公开(公告)号：TWI695468B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105110868
申请日：2016-04-07
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 朴敬熙 , PARK, KYOUNGHEE , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 具敎王 , KOO, KYOWANG , 尹仁相 , YOON, IN SANG , 蔡昇龍 , CHAI, SEUNGYONG , 曺成源 , CHO, SUNGWON , 金成洙 , KIM, SUNGSOO , 李勳擇 , LEE, HUN TEAK , 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28 , H01L23/60

2. 发明专利

TW201834084A 半導體裝置及形成具有嵌入式電感或封裝的整合式系統級封裝模組之方法审中-公开
简体标题：半导体设备及形成具有嵌入式电感或封装的集成式系统级封装模块之方法
公开(公告)号：TW201834084A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139939
申请日：2017-11-17
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG , 白蕓在 , BEAK, WOONJAE , 朴利洙 , PARK, YISU , 金五漢 , KIM, OHHAN , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 李喜秀 , LEE, HEESOO
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/552
摘要：一種半導體裝置係具有一基板，其中一第一開口以及第二開口係在該基板中加以形成。一第一半導體構件係被設置在該基板上。該基板係被設置在一載體上。一第二半導體構件係被設置在該基板的該第一開口中的該載體上。一第三半導體構件係被設置在該第二開口中。在某些實施例中，該第三半導體構件是一半導體封裝。一第一屏蔽層可被形成在該半導體封裝之上。一密封劑係被沉積在該基板、第一半導體構件、以及第二半導體構件之上。一屏蔽層可被形成在該密封劑之上。
简体摘要：一种半导体设备系具有一基板，其中一第一开口以及第二开口系在该基板中加以形成。一第一半导体构件系被设置在该基板上。该基板系被设置在一载体上。一第二半导体构件系被设置在该基板的该第一开口中的该载体上。一第三半导体构件系被设置在该第二开口中。在某些实施例中，该第三半导体构件是一半导体封装。一第一屏蔽层可被形成在该半导体封装之上。一密封剂系被沉积在该基板、第一半导体构件、以及第二半导体构件之上。一屏蔽层可被形成在该密封剂之上。

3. 发明专利

TW201903916A 半導體裝置及在膜層上形成系統級模組封裝之方法审中-公开
简体标题：半导体设备及在膜层上形成系统级模块封装之方法
公开(公告)号：TW201903916A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107102626
申请日：2018-01-25
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：金五漢 , KIM, OHHAN , 金京煥 , KIM, KYUNGHWAN , 白蕓在 , BEAK, WOONJAE , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 尹仁相 , YOON, INSANG
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/552 , H01L23/58
摘要：本發明提供一種有半導體晶粒或構件的半導體裝置，包含一整合式被動裝置(IPD)，被設置在一可穿透膜層的貼附區上方，該半導體晶粒或構件的一部分被埋置在該可穿透膜層中。一導體層被形成在該貼附區裡面的該膜層的一部分上方以及該貼附區外面的該膜層的一部分上方。一囊封劑被沉積在該膜層、導體層、以及半導體晶粒或構件的上方。該導體層延伸在該囊封劑外面。一絕緣材料被設置在該半導體晶粒或構件下方。一屏蔽層被形成在該囊封劑上方。該屏蔽層被電連接至該導體層。該可穿透膜層被移除。被設置在該膜層上方且被該囊封劑與屏蔽層遮蓋的半導體晶粒或構件形成一沒有基板的系統級模組封裝。
简体摘要：本发明提供一种有半导体晶粒或构件的半导体设备，包含一集成式被动设备(IPD)，被设置在一可穿透膜层的贴附区上方，该半导体晶粒或构件的一部分被埋置在该可穿透膜层中。一导体层被形成在该贴附区里面的该膜层的一部分上方以及该贴附区外面的该膜层的一部分上方。一囊封剂被沉积在该膜层、导体层、以及半导体晶粒或构件的上方。该导体层延伸在该囊封剂外面。一绝缘材料被设置在该半导体晶粒或构件下方。一屏蔽层被形成在该囊封剂上方。该屏蔽层被电连接至该导体层。该可穿透膜层被移除。被设置在该膜层上方且被该囊封剂与屏蔽层遮盖的半导体晶粒或构件形成一没有基板的系统级模块封装。

4. 发明专利

TW201822284A 半導體裝置及形成３Ｄ中介體系統級封裝模組的方法审中-公开
简体标题：半导体设备及形成３Ｄ中介体系统级封装模块的方法
公开(公告)号：TW201822284A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106142754
申请日：2017-12-06
申请人：新加坡商星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：金五漢 , KIM, OHHAN , 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG , 李勳擇 , LEE, HUNTEAK , 尹仁相 , YOON, INSANG , 沈一權 , SHIM, IL KWON
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/58 , H01L23/48 , H01L25/00
摘要：一種半導體裝置係具有一第一基板。一第一半導體構件以及第二半導體構件係被設置在該第一基板上。在某些實施例中，一凹處係被形成在該第一基板中，並且該第一半導體構件係被設置在該第一基板的該凹處上。一第二基板係具有穿過該第二基板所形成的一開口。一第三半導體構件係被設置在該第二基板上。該第二基板係被設置在該第一基板以及第二半導體構件之上。該第一半導體構件係延伸穿過該開口。一密封劑係沉積在該第一基板以及第二基板之上。
简体摘要：一种半导体设备系具有一第一基板。一第一半导体构件以及第二半导体构件系被设置在该第一基板上。在某些实施例中，一凹处系被形成在该第一基板中，并且该第一半导体构件系被设置在该第一基板的该凹处上。一第二基板系具有穿过该第二基板所形成的一开口。一第三半导体构件系被设置在该第二基板上。该第二基板系被设置在该第一基板以及第二半导体构件之上。该第一半导体构件系延伸穿过该开口。一密封剂系沉积在该第一基板以及第二基板之上。

5. 发明专利

TW201712821A 具有屏蔽之積體電路封裝系統以及其製法审中-公开
简体标题：具有屏蔽之集成电路封装系统以及其制法
公开(公告)号：TW201712821A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105110868
申请日：2016-04-07
申请人：星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC PTE. LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 朴敬熙 , PARK, KYOUNGHEE , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 具敎王 , KOO, KYOWANG , 尹仁相 , YOON, IN SANG , 蔡昇龍 , CHAI, SEUNGYONG , 曺成源 , CHO, SUNGWON , 金成洙 , KIM, SUNGSOO , 李勳擇 , LEE, HUN TEAK , 梁悳景 , YANG, DEOKKYUNG
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28 , H01L23/60
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2221/68327 , H01L2224/13111 , H01L2224/16227 , H01L2224/97 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/01029 , H01L2224/81
摘要：一種積體電路封裝系統及其製法包括：基板，其係具有在基板頂面、基板底面及數個垂直面之間的內部電路；積體電路，其係耦合至該內部電路；模造封裝體，其係直接形成於該積體電路及該基板之基板頂面上；以及導電保形屏蔽結構，其係直接鋪設至該模造封裝體、該等垂直面上且在耦合至該內部電路之該基板底面下面延伸。
简体摘要：一种集成电路封装系统及其制法包括：基板，其系具有在基板顶面、基板底面及数个垂直面之间的内部电路；集成电路，其系耦合至该内部电路；模造封装体，其系直接形成于该集成电路及该基板之基板顶面上；以及导电保形屏蔽结构，其系直接铺设至该模造封装体、该等垂直面上且在耦合至该内部电路之该基板底面下面延伸。

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