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1. 发明专利

TWI267135B 研磨方法及研磨裝置、以及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：研磨方法及研磨设备、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI267135B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW092113733
申请日：2003-05-21
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 野上毅 NOGAMI, TAKESHI , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 田井香織 KAORI TAI , 佐藤修三 SATO, SHUZO , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23H5/08 , C25D3/02 , C25F7/00 , H01L21/32125
摘要：本發明係提供經由適當控制作用電極的電位，實現高精度，安定的電解研磨方法及研磨裝置。本發明又提供利用該方法之半導體裝置的製造方法。本發明之研磨方法，其特徵係將形成有金屬膜之基板與對向電極對向配置於電解液中，根據上述金屬膜的相對參考電極之電位，經由上述電解液對上述金屬膜通電。同時，與本發明有關之研磨裝置，其特徵係將形成有金屬膜之基板，以特定間隔與上述基板相對向地配置之對向電極，及作為上述金屬膜基準電位的參考電極，配置於電解液中，根據上述金屬膜的相對參考電極之電位，經由上述電解液對上述金屬膜通電。
简体摘要：本发明系提供经由适当控制作用电极的电位，实现高精度，安定的电解研磨方法及研磨设备。本发明又提供利用该方法之半导体设备的制造方法。本发明之研磨方法，其特征系将形成有金属膜之基板与对向电极对向配置于电解液中，根据上述金属膜的相对参考电极之电位，经由上述电解液对上述金属膜通电。同时，与本发明有关之研磨设备，其特征系将形成有金属膜之基板，以特定间隔与上述基板相对向地配置之对向电极，及作为上述金属膜基准电位的参考电极，配置于电解液中，根据上述金属膜的相对参考电极之电位，经由上述电解液对上述金属膜通电。

2. 发明专利

TW200402350A 電解研磨液、電解研磨方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：电解研磨液、电解研磨方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200402350A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092109069
申请日：2003-04-18
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：佐藤修三 SHUZO SATO , 野上毅 TAKESHI NOGAMI , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 田井香織 KAORI TAI , 堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： C09K , B24B , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , C25F3/02 , C25F3/16 , H01L21/32125
摘要：本發明可在不產生研磨粒凝集沈澱下提升導電性。此外，可實現良好的平坦性而不會引起作為研磨對象的金屬膜或配線發生缺陷。一種電解研磨方法，係在電解研磨液E中，利用電解作用將作為研磨對象的金屬膜表面氧化，並在該金屬膜表面滑動研磨墊15而進行平坦化；上述電解研磨液E至少含有研磨粒、及維持上述研磨粒帶電狀態之電解質。由於使用可顯示高導電性的電解研磨液，故可得到高電解電流值，並擴大極間距離。此外，本發明之電解研磨方法中，由於使用研磨粒分散狀態良好的電解研磨液，故研磨後不會發生磨粒殘留或刮傷等缺陷。
简体摘要：本发明可在不产生研磨粒凝集沈淀下提升导电性。此外，可实现良好的平坦性而不会引起作为研磨对象的金属膜或配线发生缺陷。一种电解研磨方法，系在电解研磨液E中，利用电解作用将作为研磨对象的金属膜表面氧化，并在该金属膜表面滑动研磨垫15而进行平坦化；上述电解研磨液E至少含有研磨粒、及维持上述研磨粒带电状态之电解质。由于使用可显示高导电性的电解研磨液，故可得到高电解电流值，并扩大极间距离。此外，本发明之电解研磨方法中，由于使用研磨粒分散状态良好的电解研磨液，故研磨后不会发生磨粒残留或刮伤等缺陷。

3. 发明专利

TWI243729B 研磨裝置及研磨方法失效
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TWI243729B
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：TW092109355
申请日：2003-04-22
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：佐藤修三 SATO, SHUZO , 野上毅 NOGAMI, TAKESHI , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 田井香織 KAORI TAI , 堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： B23H
CPC分类号： B24B53/017 , B24B53/001 , C25F3/16 , H01L21/32125
摘要：本發明係提供一種研磨裝置及研磨方法之相關技術，其目的在於提供能抑制晶圓和對向電極之間之電解液的組成等之變動、同時並可在晶圓面內將電流密度分佈作成大致固定之研磨裝置及研磨方法。
本發明之研磨裝置，其係一種藉由複合電解研磨和機械研磨之電解複合研磨方式，將被研磨面進行平坦化，其特徵在於具備：
電壓施加機構，其係相對向於前述被研磨面配置；以及
排出機構，其係將介於前述電壓施加機構和被研磨對象物之間的異物予以排出。
據此，而能減低電解液的成份不均和電流密度分佈不均之情形。
简体摘要：本发明系提供一种研磨设备及研磨方法之相关技术，其目的在于提供能抑制晶圆和对向电极之间之电解液的组成等之变动、同时并可在晶圆面内将电流密度分布作成大致固定之研磨设备及研磨方法。本发明之研磨设备，其系一种借由复合电解研磨和机械研磨之电解复合研磨方式，将被研磨面进行平坦化，其特征在于具备：电压施加机构，其系相对向于前述被研磨面配置；以及排出机构，其系将介于前述电压施加机构和被研磨对象物之间的异物予以排出。据此，而能减低电解液的成份不均和电流密度分布不均之情形。

4. 发明专利

TW200405455A 研磨方法及研磨裝置、以及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：研磨方法及研磨设备、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200405455A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092113733
申请日：2003-05-21
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 野上毅 NOGAMI, TAKESHI , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 田井香織 KAORI TAI , 佐藤修三 SATO, SHUZO , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23H5/08 , C25D3/02 , C25F7/00 , H01L21/32125
摘要：本發明係提供經由適當控制作用電極的電位，實現高精度，安定的電解研磨方法及研磨裝置。本發明又提供利用該方法之半導體裝置的製造方法。本發明之研磨方法，其特徵係將形成有金屬膜之基板與對向電極對向配置於電解液中，根據上述金屬膜的相對參考電極之電位，經由上述電解液對上述金屬膜通電。同時，與本發明有關之研磨裝置，其特徵係將形成有金屬膜之基板，以特定間隔與上述基板相對向地配置之對向電極，及作為上述金屬膜基準電位的參考電極，配置於電解液中，根據上述金屬膜的相對參考電極之電位，經由上述電解液對上述金屬膜通電。
简体摘要：本发明系提供经由适当控制作用电极的电位，实现高精度，安定的电解研磨方法及研磨设备。本发明又提供利用该方法之半导体设备的制造方法。本发明之研磨方法，其特征系将形成有金属膜之基板与对向电极对向配置于电解液中，根据上述金属膜的相对参考电极之电位，经由上述电解液对上述金属膜通电。同时，与本发明有关之研磨设备，其特征系将形成有金属膜之基板，以特定间隔与上述基板相对向地配置之对向电极，及作为上述金属膜基准电位的参考电极，配置于电解液中，根据上述金属膜的相对参考电极之电位，经由上述电解液对上述金属膜通电。

5. 发明专利

TW200415260A 研磨方法、研磨裝置及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：研磨方法、研磨设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200415260A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092108661
申请日：2003-04-15
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：佐藤修三 SATO, SHUZO , 野上毅 NOGAMI, TAKESHI , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 田井香織 KAORI TAI , 堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： C25D , H01L
CPC分类号： C25F3/02 , B24B37/042 , B24B37/046 , C25F7/00 , H01L21/30625 , H01L21/3063
摘要：本發明可以安定的電流密度分佈，直到研磨終點為止對被研磨對象進行通電，且可使用先前之電鍍裝置、洗淨裝置及製造過程流程。在電解液中，形成有金屬膜2之基板1係與對向電極3以特定之間隔呈對向配置，並介以電解液，利用與金屬膜2呈非接觸狀態之陽極4，對金屬膜2進行通電，來將金屬膜2進行電解研磨。在進行電解研磨的同時，使研磨墊在金屬膜上滑動，來實施掃淨作業。
简体摘要：本发明可以安定的电流密度分布，直到研磨终点为止对被研磨对象进行通电，且可使用先前之电镀设备、洗净设备及制造过程流程。在电解液中，形成有金属膜2之基板1系与对向电极3以特定之间隔呈对向配置，并介以电解液，利用与金属膜2呈非接触状态之阳极4，对金属膜2进行通电，来将金属膜2进行电解研磨。在进行电解研磨的同时，使研磨垫在金属膜上滑动，来实施扫净作业。

6. 发明专利

TW200403122A 研磨方法及研磨裝置、及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：研磨方法及研磨设备、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200403122A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092109476
申请日：2003-04-23
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 野上毅 NOGAMI, TAKESHI , 佐藤修三 SHUZO SATO , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 田井香織 KAORI TAI , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： B23H
CPC分类号： B24B53/017 , B24B53/001 , C25F3/16
摘要：本發明係在研磨金屬膜使之平坦化之際，可容易且有效除去多餘金屬膜之高精度的研磨方法及研磨裝置。再者，本發明係利用前述研磨方法及研磨裝置之半導體裝置之製造方法。與本發明有關之研磨方法係：在電解液中，使形成有金屬膜之基板與對向電極呈對向配置，並介以上述電解液對上述金屬膜進行通電，同時以硬質研磨墊研磨上述金屬膜表面，來把上述金屬膜研磨者。此外，與本發明有關之研磨裝置係：在電解液中把形成於基板上之金屬膜進行研磨的研磨裝置；其係具備：對向電極，其係與上述基板呈對向配置者；電源，其係以上述基板為陽極、以上述對向電極為陰極，來施加電壓者；及研磨墊，其係在上述基板上滑動來研磨上述金屬膜者。
简体摘要：本发明系在研磨金属膜使之平坦化之际，可容易且有效除去多余金属膜之高精度的研磨方法及研磨设备。再者，本发明系利用前述研磨方法及研磨设备之半导体设备之制造方法。与本发明有关之研磨方法系：在电解液中，使形成有金属膜之基板与对向电极呈对向配置，并介以上述电解液对上述金属膜进行通电，同时以硬质研磨垫研磨上述金属膜表面，来把上述金属膜研磨者。此外，与本发明有关之研磨设备系：在电解液中把形成于基板上之金属膜进行研磨的研磨设备；其系具备：对向电极，其系与上述基板呈对向配置者；电源，其系以上述基板为阳极、以上述对向电极为阴极，来施加电压者；及研磨垫，其系在上述基板上滑动来研磨上述金属膜者。

7. 发明专利

TWI245083B 研磨方法、研磨裝置及半導體裝置之製造方法 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：研磨方法、研磨设备及半导体设备之制造方法 POLISHING METHOD, POLISHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI245083B
公开(公告)日：2005-12-11
申请号：TW092108661
申请日：2003-04-15
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：佐藤修三 SATO, SHUZO , 野上毅 NOGAMI, TAKESHI , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 田井香織 KAORI TAI , 堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： C25D , H01L
CPC分类号： C25F3/02 , B24B37/042 , B24B37/046 , C25F7/00 , H01L21/30625 , H01L21/3063
摘要：本發明可以安定的電流密度分佈，直到研磨終點為止對被研磨對象進行通電，且可使用先前之電鍍裝置、洗淨裝置及製造過程流程。
在電解液中，形成有金屬膜2之基板1係與對向電極3以特定之間隔呈對向配置，並介以電解液，利用與金屬膜2呈非接觸狀態之陽極4，對金屬膜2進行通電，來將金屬膜2進行電解研磨。在進行電解研磨的同時，使研磨墊在金屬膜上滑動，來實施掃淨作業。
简体摘要：本发明可以安定的电流密度分布，直到研磨终点为止对被研磨对象进行通电，且可使用先前之电镀设备、洗净设备及制造过程流程。在电解液中，形成有金属膜2之基板1系与对向电极3以特定之间隔呈对向配置，并介以电解液，利用与金属膜2呈非接触状态之阳极4，对金属膜2进行通电，来将金属膜2进行电解研磨。在进行电解研磨的同时，使研磨垫在金属膜上滑动，来实施扫净作业。

8. 发明专利

TW200403121A 研磨裝置及研磨方法失效
简体标题：研磨设备及研磨方法
公开(公告)号：TW200403121A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092109355
申请日：2003-04-22
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：佐藤修三 SATO, SHUZO , 野上毅 NOGAMI, TAKESHI , 高橋新吾 SHINGO TAKAHASHI , 駒井尚紀 NAOKI KOMAI , 田井香織 KAORI TAI , 堀越浩 HIROSHI HORIKOSHI , 大鳥居英 HIIZU OHTORII
IPC分类号： B23H
CPC分类号： B24B53/017 , B24B53/001 , C25F3/16 , H01L21/32125
摘要：本發明係提供一種研磨裝置及研磨方法之相關技術，其目的在於提供能抑制晶圓和對向電極之間之電解液的組成等之變動、同時並可在晶圓面內將電流密度分佈作成大致固定之研磨裝置及研磨方法。本發明之研磨裝置，其係一種藉由複合電解研磨和機械研磨之電解複合研磨方式，將被研磨面進行平坦化，其特徵在於具備：電壓施加機構，其係相對向於前述被研磨面配置；以及排出機構，其係將介於前述電壓施加機構和被研磨對象物之間的異物予以排出。據此，而能減低電解液的成份不均和電流密度分佈不均之情形。
简体摘要：本发明系提供一种研磨设备及研磨方法之相关技术，其目的在于提供能抑制晶圆和对向电极之间之电解液的组成等之变动、同时并可在晶圆面内将电流密度分布作成大致固定之研磨设备及研磨方法。本发明之研磨设备，其系一种借由复合电解研磨和机械研磨之电解复合研磨方式，将被研磨面进行平坦化，其特征在于具备：电压施加机构，其系相对向于前述被研磨面配置；以及排出机构，其系将介于前述电压施加机构和被研磨对象物之间的异物予以排出。据此，而能减低电解液的成份不均和电流密度分布不均之情形。

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