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1. 发明专利

TWI695435B 場效電晶體有权
简体标题：场效应管
公开(公告)号：TWI695435B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW108107903
申请日：2015-03-12
申请人：日商新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：坂直樹 , SAKA, NAOKI , 岡元大作 , OKAMOTO, DAISAKU , 田中秀樹 , TANAKA, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/78 , H01L29/786

2. 发明专利

TWI663657B 場效電晶體及其製造方法、以及高頻裝置有权
简体标题：场效应管及其制造方法、以及高频设备
公开(公告)号：TWI663657B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104107982
申请日：2015-03-12
申请人：日商新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：坂直樹 , SAKA, NAOKI , 岡元大作 , OKAMOTO, DAISAKU , 田中秀樹 , TANAKA, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/78 , H01L29/786

3. 发明专利

TW201603146A 場效電晶體及其製造方法、以及高頻裝置审中-公开
简体标题：场效应管及其制造方法、以及高频设备
公开(公告)号：TW201603146A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104107982
申请日：2015-03-12
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：坂直樹 , SAKA, NAOKI , 岡元大作 , OKAMOTO, DAISAKU , 田中秀樹 , TANAKA, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/535 , H01L23/4824 , H01L23/5222 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L29/0649 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L29/66568 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之場效電晶體包含：閘極電極；半導體層，其隔著上述閘極電極而具有源極區域及汲極區域；接點插塞，其設置於上述源極區域及上述汲極區域上；第1金屬，其積層於上述接點插塞上；及低介電係數區域，其係於上述半導體層之平面方向上設置於上述第1金屬間之區域，且於積層方向上至少設置於較上述第1金屬之下表面更下方之第1區域。
简体摘要：本发明之场效应管包含：闸极电极；半导体层，其隔着上述闸极电极而具有源极区域及汲极区域；接点插塞，其设置于上述源极区域及上述汲极区域上；第1金属，其积层于上述接点插塞上；及低介电系数区域，其系于上述半导体层之平面方向上设置于上述第1金属间之区域，且于积层方向上至少设置于较上述第1金属之下表面更下方之第1区域。

4. 发明专利

TW201212240A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201212240A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100125687
申请日：2011-07-20
申请人：新力股份有限公司
发明人：石井裕二 , 指宿勇二 , 田中秀樹 , 葛西憲太郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0705 , H01L21/84 , H01L27/1207 , H01L29/78
摘要：本發明揭示一種半導體裝置,其包含:一第一電晶體,其形成於一半導體基板上;及一第二電晶體,其形成於該半導體基板上,一絕緣薄膜插入於其間。該第一電晶體包含一第一體區域,其形成於該半導體基板之一表面上;及一第一源極區域及一第一汲極區域,該等經形成以將該第一體區域夾在中間;該第二電晶體包含一半導體層,其形成於該絕緣薄膜上;一第二體區域,其形成於該半導體層之一部分上;一第二源極區域及一第二汲極區域,該等經形成以將該半導體層中之該第二體區域夾在中間;一閘絕緣薄膜,其形成於該半導體層之該體區域上;及一閘電極,其形成於該閘絕緣薄膜上,且該第二汲極區域係設置於該第一體區域上。
简体摘要：本发明揭示一种半导体设备,其包含:一第一晶体管,其形成于一半导体基板上;及一第二晶体管,其形成于该半导体基板上,一绝缘薄膜插入于其间。该第一晶体管包含一第一体区域,其形成于该半导体基板之一表面上;及一第一源极区域及一第一汲极区域,该等经形成以将该第一体区域夹在中间;该第二晶体管包含一半导体层,其形成于该绝缘薄膜上;一第二体区域,其形成于该半导体层之一部分上;一第二源极区域及一第二汲极区域,该等经形成以将该半导体层中之该第二体区域夹在中间;一闸绝缘薄膜,其形成于该半导体层之该体区域上;及一闸电极,其形成于该闸绝缘薄膜上,且该第二汲极区域系设置于该第一体区域上。

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