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1. 发明专利

TW492156B 用於磁阻隨機存取記憶體之磁通量集中層之製造方法有权
简体标题：用于磁阻随机存取内存之磁通量集中层之制造方法
公开(公告)号：TW492156B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090106479
申请日：2001-03-20
申请人：摩托羅拉公司
发明人：馬克都蘭 , 尤金尤郡陳 , 塞伊德N 泰拉尼 , 約翰麥克史勞特 , 葛羅麗亞克茲耶克瓦斯基 , 凱利威尼凱勒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/222 , B82Y10/00
摘要：一種用於磁性記憶裝置之磁通量集中器的製造方法，包括的步驟有：提供至少一個磁性記憶位元(10)，及形成幾近記憶位元之一定義一包括一磁通量集中層(52)之銅(Cu)鑲嵌位元線(56)之材料堆疊。該方法包括的步驟有：沉積一下介電層(32)、一選項之蝕刻停止層(34)、及一上介電層(36)幾近該磁性記憶位元(10)。一淺槽(38)被蝕刻於該上介電層(36)與該下介電層(32)中。一第一障蔽層(42)沉積於該淺槽(38)中。接著，一金屬系統(29)沉積於該第一障蔽層(42)的表面上。該金屬系統(29)包括一銅(Cu)種子材料(44)、及一電鍍銅(Cu)材料(46)、一第一外障蔽層(50)、一磁通量集中層(52)、及一第二外障蔽層(54)。該金屬系統(29)被圖案化並蝕刻，以定義一銅(Cu)鑲嵌位元線(56)。
简体摘要：一种用于磁性记忆设备之磁通量集中器的制造方法，包括的步骤有：提供至少一个磁性记忆比特(10)，及形成几近记忆比特之一定义一包括一磁通量集中层(52)之铜(Cu)镶嵌比特线(56)之材料堆栈。该方法包括的步骤有：沉积一下介电层(32)、一选项之蚀刻停止层(34)、及一上介电层(36)几近该磁性记忆比特(10)。一浅槽(38)被蚀刻于该上介电层(36)与该下介电层(32)中。一第一障蔽层(42)沉积于该浅槽(38)中。接着，一金属系统(29)沉积于该第一障蔽层(42)的表面上。该金属系统(29)包括一铜(Cu)种子材料(44)、及一电镀铜(Cu)材料(46)、一第一外障蔽层(50)、一磁通量集中层(52)、及一第二外障蔽层(54)。该金属系统(29)被图案化并蚀刻，以定义一铜(Cu)镶嵌比特线(56)。

2. 发明专利

TW504713B 具有絕緣罩之磁性元件及其製造方法失效
简体标题：具有绝缘罩之磁性组件及其制造方法
公开(公告)号：TW504713B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090108916
申请日：2001-04-13
申请人：摩托羅拉公司
发明人：尤金尤郡陳 , 馬克都蘭 , 塞伊德N 泰拉尼 , 馬克迪荷瑞拉 , 葛羅麗亞克茲耶克瓦斯基 , 凱利威尼凱勒
IPC分类号： H01F
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/324 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052 , Y10T428/24917
摘要：一種改良的新式磁性元件裝置及製作方法，特別為具第一組電極(14)、第二組電極(18)，及間隔層(16)之磁性元件(10)。第一組電極(14)及第二組電極(18)包含鐵磁性層(26及28)。間隔層(16)介於第一組電極(14)之鐵磁性層(26)與第二組電極(16)之鐵磁性層(28)之間，以使穿透電流之方向大致與鐵磁性層(26及28)呈垂直。此裝置包含作為隔絕第一組電極(14)與第二組電極(18)之絕緣罩(34)，此絕緣罩(34)包含非磁性及絕緣電介質特性。另外，也提出一種採用氧氣電漿灰化技術，將絕緣罩(34)之導電性質轉變成絕緣性質之磁性元件(10)製作方法。
简体摘要：一种改良的新式磁性组件设备及制作方法，特别为具第一组电极(14)、第二组电极(18)，及间隔层(16)之磁性组件(10)。第一组电极(14)及第二组电极(18)包含铁磁性层(26及28)。间隔层(16)介于第一组电极(14)之铁磁性层(26)与第二组电极(16)之铁磁性层(28)之间，以使穿透电流之方向大致与铁磁性层(26及28)呈垂直。此设备包含作为隔绝第一组电极(14)与第二组电极(18)之绝缘罩(34)，此绝缘罩(34)包含非磁性及绝缘电介质特性。另外，也提出一种采用氧气等离子灰化技术，将绝缘罩(34)之导电性质转变成绝缘性质之磁性组件(10)制作方法。

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