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1. 发明专利

TW200904750A 在低溫下矽金屬或含矽材料之直接氯化作用的製程中用於初始反應之方法 METHOD FOR THE INITIAL START OF REACTION IN A PROCESS FOR THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL OR A SILICON CONTAINING METERIAL AT A LOW TEMPERATURE 审中-公开
简体标题：在低温下硅金属或含硅材料之直接氯化作用的制程中用于初始反应之方法 METHOD FOR THE INITIAL START OF REACTION IN A PROCESS FOR THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL OR A SILICON CONTAINING METERIAL AT A LOW TEMPERATURE
公开(公告)号：TW200904750A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097116566
申请日：2008-05-06
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：柏貝克 BAKKE, PER , 羅伯特吉貝拉 GIBALA, ROBERT , 喬瑞德瑪格雷史瓦雷斯吐恩 SVALESTUEN,JORILD MARGRETE , 格利特維多歐伊 VIDDAL OI,GRETE
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B33/10726 , C01B33/10721
摘要：本發明係關於一種用於在藉由矽金屬、矽鐵、氧化矽及/或碳化矽與氯在流體化床、固定床或隱床反應器中反應製造四氯化矽時起始反應之方法。氯化作用開始(點火)時之溫度係在或接近周圍溫度(室溫),藉由小量之點火或反應起始物,諸如容易在或接近周圍溫度下與氯進行放熱反應之合金及/或化合物,由此將相鄰的矽或含矽材料之溫度提高至該矽或含矽材料之氯化點火溫度以上的溫度。
简体摘要：本发明系关于一种用于在借由硅金属、硅铁、氧化硅及/或碳化硅与氯在流体化床、固定床或隐床反应器中反应制造四氯化硅时起始反应之方法。氯化作用开始(点火)时之温度系在或接近周围温度(室温),借由小量之点火或反应起始物,诸如容易在或接近周围温度下与氯进行放热反应之合金及/或化合物,由此将相邻的硅或含硅材料之温度提高至该硅或含硅材料之氯化点火温度以上的温度。

2. 发明专利

TW200900352A 回收高純度矽金屬的方法 A PROCESS FOR THE RECYCLING OF HIGH PURITY SILICON METAL 审中-公开
简体标题：回收高纯度硅金属的方法 A PROCESS FOR THE RECYCLING OF HIGH PURITY SILICON METAL
公开(公告)号：TW200900352A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097114591
申请日：2008-04-22
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：柏貝克 BAKKE, PER , 羅伯特吉貝拉 GIBALA, ROBERT , 喬瑞德瑪格雷史瓦雷斯吐恩 SVALESTUEN, JORILD MARGRETE , 格利特維多歐伊 VIDDAL OI, GRETE
IPC分类号： C01B
CPC分类号： H01L31/1804 , C01B33/10726 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種再使用來自太陽能電池晶圓或半導體裝置製造之高純度矽之剩餘物或其他殘餘矽(諸如,鋸屑或鋸縫)的方法,其特徵在於來自晶圓製造方法或半導體裝置之乾燥鋸縫、碎片及/或其他殘餘矽與冶金級矽一起用作產生四氯化矽SiCl4之直接氯化反應器(1)中的原料。未反應之鋸縫或其他自反應區逃逸而未反應之小微粒重複地回至反應器以進一步氯化而不考慮其尺寸。該方法中所包括之設備除反應器(1)外還包含:儲存暨混合裝置(2),其用於混合及儲存矽材料/鋸縫;回收裝置(3),其用於分離及回收自反應器之反應區逃逸且藉由反饋構件(9)回至反應器之反應區的含矽微粒;凝聚單元(10),其中自反應器之反應區及回收裝置逃逸之最小尺寸微粒被收集在含有液體SiCl4之漿料中;及混合單元(13),來自晶圓製造方法或半導體裝置之額外鋸縫、碎片及其他殘餘矽添加至其中且與已存在之SiCl4/Si漿料混合,該漿料隨後直接添加至反應器之反應區用於冷卻及溫度控制。
简体摘要：一种再使用来自太阳能电池晶圆或半导体设备制造之高纯度硅之剩余物或其他残余硅(诸如,锯屑或锯缝)的方法,其特征在于来自晶圆制造方法或半导体设备之干燥锯缝、碎片及/或其他残余硅与冶金级硅一起用作产生四氯化硅SiCl4之直接氯化反应器(1)中的原料。未反应之锯缝或其他自反应区逃逸而未反应之小微粒重复地回至反应器以进一步氯化而不考虑其尺寸。该方法中所包括之设备除反应器(1)外还包含:存储暨混合设备(2),其用于混合及存储硅材料/锯缝;回收设备(3),其用于分离及回收自反应器之反应区逃逸且借由反馈构件(9)回至反应器之反应区的含硅微粒;凝聚单元(10),其中自反应器之反应区及回收设备逃逸之最小尺寸微粒被收集在含有液体SiCl4之浆料中;及混合单元(13),来自晶圆制造方法或半导体设备之额外锯缝、碎片及其他残余硅添加至其中且与已存在之SiCl4/Si浆料混合,该浆料随后直接添加至反应器之反应区用于冷却及温度控制。

3. 发明专利

TW200927650A 於流體床及固定床反應器之矽金屬直接氯化反應中延長可操作時間及改良溫度控制之方法 METHOD FOR EXTENDING UP-TIME AND IMPROVING TEMPERATURE CONTROL IN THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL IN A FLUIDISED BED AND FIXED BED REACTORS 审中-公开
简体标题：于流体床及固定床反应器之硅金属直接氯化反应中延长可操作时间及改良温度控制之方法 METHOD FOR EXTENDING UP-TIME AND IMPROVING TEMPERATURE CONTROL IN THE DIRECT CHLORINATION OF SILICON METAL IN A FLUIDISED BED AND FIXED BED REACTORS
公开(公告)号：TW200927650A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097139471
申请日：2008-10-15
申请人：挪斯克海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：柏貝克 BAKKE, PER , 羅伯特吉貝拉 GIBALA, ROBERT , 格利特維多歐伊 OI, GRETE VIDDAL , 歐德蒙瓦勒維克 WALLEVIK, ODDMUND
IPC分类号： C01B , B01J , B01D
CPC分类号： C01B33/10726 , B01J8/22
摘要：於流體床或固定床反應器之矽金屬直接氯化反應中改良溫度控制及延長可操作時間的方法。反應器包括反應區、用來供應矽與氯的裝置和用來移除反應產物的裝置。液態氯化物吸收材料、矽膠、矽土、以二氧化矽為基礎、或其他具大表面積且在操作溫度下不與反應物產生化學反應的等效材料被添加到氯化反應器的反應區,藉以間歇或連續方式從反應區移除富含氯化物的材料。
简体摘要：于流体床或固定床反应器之硅金属直接氯化反应中改良温度控制及延长可操作时间的方法。反应器包括反应区、用来供应硅与氯的设备和用来移除反应产物的设备。液态氯化物吸收材料、硅胶、硅土、以二氧化硅为基础、或其他具大表面积且在操作温度下不与反应物产生化学反应的等效材料被添加到氯化反应器的反应区,借以间歇或连续方式从反应区移除富含氯化物的材料。

4. 发明专利

TW200813237A 鑄造方法和合金組成之組合 COMBINATION OF CASTING PROCESS AND ALLOY COMPOSITION 审中-公开
简体标题：铸造方法和合金组成之组合 COMBINATION OF CASTING PROCESS AND ALLOY COMPOSITION
公开(公告)号：TW200813237A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096129804
申请日：2007-08-13
申请人：挪斯克‧海德羅公司 NORSK HYDRO ASA
发明人：哈肯威斯登真 , 柏貝克 BAKKE, PER , 艾曼達柏立斯 BOWLES, AMANDA
IPC分类号： C22C
CPC分类号： B22D21/007 , B22D17/00 , C22C23/02 , C22C23/04
摘要：一種用以鑄造鎂合金之方法,該鎂合金由下列物種構成:10.00-13.00重量%鋁,0.00-10.00重量%鋅,或5.00-13.00重量%鋁,10.00-22.00重量%鋅,亦含有0.10-0.5重量%錳,餘者是鎂和無法避免的雜質,雜質總含量低於0.1重量%,其中‧合金在溫度控制在150-340℃的範圍內之鑄模中鑄造,‧模具充填的時間(以毫秒表示)等於介於2和300之間的數字乘以平均零件厚度(以毫米表示)所得的乘積,‧鑄造期間內,金屬靜壓維持介於20-70MPa且之後可强化高至180MPa。
简体摘要：一种用以铸造镁合金之方法,该镁合金由下列物种构成:10.00-13.00重量%铝,0.00-10.00重量%锌,或5.00-13.00重量%铝,10.00-22.00重量%锌,亦含有0.10-0.5重量%锰,余者是镁和无法避免的杂质,杂质总含量低于0.1重量%,其中‧合金在温度控制在150-340℃的范围内之铸模中铸造,‧模具充填的时间(以毫秒表示)等于介于2和300之间的数字乘以平均零件厚度(以毫米表示)所得的乘积,‧铸造期间内,金属静压维持介于20-70MPa且之后可强化高至180MPa。

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