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1. 发明专利

TWI489003B 具有加熱腔室襯墊的處理室有权
简体标题：具有加热腔室衬垫的处理室
公开(公告)号：TWI489003B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW097103305
申请日：2008-01-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：佛德馬克A , FODOR, MARK A. , 金柏漢 , KIM, BOK HOEN , 督波斯道爾R , DUBOIS, DALE R. , 菲拉斯提古蘇菲雅M , VELASTEGUI, SOPHIA M.
IPC分类号： C23F1/00 , H01L21/306
CPC分类号： C23C16/46

3. 发明专利

TWI482235B 大腳舉升銷有权
简体标题：大脚举升销
公开(公告)号：TWI482235B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW098121222
申请日：2009-06-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 佛德馬克A , FODOR, MARK A. , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 羅拉艾法瑞茲璜卡羅斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742

5. 发明专利

TW200952565A 電漿室中的可調式接地板 TUNABLE GROUND PLANES IN PLASMA CHAMBERS 审中-公开
简体标题：等离子室中的可调式接地板 TUNABLE GROUND PLANES IN PLASMA CHAMBERS
公开(公告)号：TW200952565A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098107031
申请日：2009-03-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：加納基拉曼卡希克 , 諾瓦克湯瑪斯 , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , 佛德馬克A , 督波斯道爾R , 班莎阿米 , 亞尤伯摩哈德 , 裘可艾勒Y , 希發拉馬奎斯南菲斯維斯沃倫 , 姆薩德希肯
IPC分类号： H05H
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J37/32541
摘要：本發明提供一種設備及方法，用於控制電漿腔室中之電漿放電的強度及分佈。在一實施例中，一成形電極嵌入一基板支撐件中，以在該腔室內側提供具有徑向及軸向分量之電場。在另一實施例中，以絕緣體將噴頭組件的面板電極劃分為多個區域，而能將不同電壓施加至不同區域。此外，一或多個電極可嵌入該腔室側壁中。
简体摘要：本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子腔室中之等离子放电的强度及分布。在一实施例中，一成形电极嵌入一基板支撑件中，以在该腔室内侧提供具有径向及轴向分量之电场。在另一实施例中，以绝缘体将喷头组件的皮肤电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或多个电极可嵌入该腔室侧壁中。

6. 发明专利

TWI353004B 基材加熱組件 SUBSTRATE HEATER ASSEMBLY 有权
简体标题：基材加热组件 SUBSTRATE HEATER ASSEMBLY
公开(公告)号：TWI353004B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW093130567
申请日：2004-10-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：佛德馬克A , 菲拉斯提古蘇菲雅M , 珊索弗 , 希發拉馬奎斯南菲斯維斯沃倫 , 李偉文彼得 , 思維堤馬里歐大衛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C16/46 , H01L21/68735
摘要：本案提供一種於基材處理時可支撐具有預定標準化直徑之基材的基材加熱器組件。於一實施例中，基材加熱組件包含一主體，其具有一上表面、一下表面及一內嵌式加熱元件。一基材支撐面係形成在該主體的上表面中並定義出一基材接收袋之一部份。一環形壁係垂直於該上表面且長度至少為該基材厚度的一半。該壁可包圍基材接收袋之外周長且其直徑比該預定基材直徑大但不超過0.5毫米。
简体摘要：本案提供一种于基材处理时可支撑具有预定标准化直径之基材的基材加热器组件。于一实施例中，基材加热组件包含一主体，其具有一上表面、一下表面及一内嵌式加热组件。一基材支撑面系形成在该主体的上表面中并定义出一基材接收袋之一部份。一环形壁系垂直于该上表面且长度至少为该基材厚度的一半。该壁可包围基材接收袋之外周长且其直径比该预定基材直径大但不超过0.5毫米。

7. 发明专利

TW201017812A 大腳頂升銷 BIG FOOT LIFT PIN 审中-公开
简体标题：大脚顶升销 BIG FOOT LIFT PIN
公开(公告)号：TW201017812A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098121222
申请日：2009-06-24
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：督波斯道爾R , 佛德馬克A , 加納基拉曼卡希克 , 羅拉艾法瑞茲璜卡羅斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68742
摘要：這裡所揭露之具體實施方式提供了一種舉升銷組件，可增加放置晶圓的精確度及其可重覆性，並可防止侵蝕。在一具體實施方式中，提供了一種用以相對一基板支座來置放一基板支座的舉升銷組件。這種舉升銷組件包含一舉升銷，其具有一外殼、一用以支撐基板並與該外殼第一端耦接的舉升銷頭部，和一耦接於該外殼第二端的肩部。舉升銷組件更包含一滑動式耦接於外殼的圓柱形主體，和一用以防止此圓柱形主體延著外殼滑落的鎖定銷，其中此肩部具有一通孔，其尺寸可容納鎖定銷。
简体摘要：这里所揭露之具体实施方式提供了一种举升销组件，可增加放置晶圆的精确度及其可重复性，并可防止侵蚀。在一具体实施方式中，提供了一种用以相对一基板支座来置放一基板支座的举升销组件。这种举升销组件包含一举升销，其具有一外壳、一用以支撑基板并与该外壳第一端耦接的举升销头部，和一耦接于该外壳第二端的肩部。举升销组件更包含一滑动式耦接于外壳的圆柱形主体，和一用以防止此圆柱形主体延着外壳滑落的锁定销，其中此肩部具有一通孔，其尺寸可容纳锁定销。

8. 发明专利

TWI360857B 具有夾固電性連接器之基材支撐件 SUBSTRATE SUPPORT WITH CLAMPING ELECTRICAL CONNECTOR 有权
简体标题：具有夹固电性连接器之基材支撑件 SUBSTRATE SUPPORT WITH CLAMPING ELECTRICAL CONNECTOR
公开(公告)号：TWI360857B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：TW095119745
申请日：2006-06-02
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：前原和俊 , 希發拉馬奎斯南菲斯維斯沃倫 , 和田健太郎 , 佛德馬克A , 卡夙巴安德傑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4586 , H01L21/68757
摘要：一基板支撐件包括一具有一電極之陶瓷盤，而電極係可透過一電極接頭而充電。一電性連接器將一外部電源連接至電極接頭，而電極接頭具有一對相對設置之鉗形臂、一按照可適配於電極接頭周圍的尺寸而製造之溝槽，以及一對穿孔，係用以容設一能夠將相對設置之鉗形臂緊固於電極接頭周圍的緊固組件。
简体摘要：一基板支撑件包括一具有一电极之陶瓷盘，而电极系可透过一电极接头而充电。一电性连接器将一外部电源连接至电极接头，而电极接头具有一对相对设置之钳形臂、一按照可适配于电极接头周围的尺寸而制造之沟槽，以及一对穿孔，系用以容设一能够将相对设置之钳形臂紧固于电极接头周围的紧固组件。

9. 发明专利

TW201207975A 侷限製程空間之ＰＥＣＶＤ腔室 CONFINED PROCESS VOLUME PECVD CHAMBER 审中-公开
简体标题：局限制程空间之ＰＥＣＶＤ腔室 CONFINED PROCESS VOLUME PECVD CHAMBER
公开(公告)号：TW201207975A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100116710
申请日：2011-05-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：山卡克里西南蘭普拉卡西 , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , 羅拉艾法瑞茲璜卡羅斯 , 督波斯道爾R , 佛德馬克A , 周建華 , 班莎阿米 , 亞尤伯摩哈德 , 夏可夏西 , 瑞李派翠克 , 帕奇迪尼斯 , 諾瓦克湯瑪士
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/6719 , C23C16/46 , C23C16/5096 , H01J37/32495 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32715
摘要：茲提供用於電漿處理基材的設備。設備包含處理腔室、設於處理腔室內的基材支撐件、設於處理腔室內且在基材支撐件下方的屏蔽構件、以及耦接處理腔室的蓋組件。蓋組件包含耦接功率源的導電氣體分配器、以及電極,電氣絕緣體隔開電極和導電氣體分配器與腔室主體。電極尚耦接電源。基材支撐件製作成具有容許偏離平行甚微的剛性。屏蔽構件熱屏蔽腔室主體下部中的基材傳送開口。泵送氣室位於基材支撐處理位置下方,且泵送氣室彼此隔開。
简体摘要：兹提供用于等离子处理基材的设备。设备包含处理腔室、设于处理腔室内的基材支撑件、设于处理腔室内且在基材支撑件下方的屏蔽构件、以及耦接处理腔室的盖组件。盖组件包含耦接功率源的导电气体分配器、以及电极,电气绝缘体隔开电极和导电气体分配器与腔室主体。电极尚耦接电源。基材支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的基材发送开口。泵送气室位于基材支撑处理位置下方,且泵送气室彼此隔开。

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