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1. 发明专利

TW201724547A HBC型結晶系太陽電池及其製造方法审中-公开
简体标题： HBC型结晶系太阳电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201724547A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132207
申请日：2016-10-05
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：田中美和 , TANAKA, MIWA , 酒田現示 , SAKATA, GENJI , 三浦真 , MIURA, SHIN , 山崎嘉文 , YAMAZAKI, YOSHIFUMI , 橫尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 西橋勉 , NISHIHASHI, TSUTOMU , 山口昇 , YAMAGUCHI, NOBORU
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要：本發明之HBC型結晶系太陽電池具備：基板，其具有供光入射之第1面、及位於與上述第1面為相反側之第2面，且包含表現光電轉換功能之第一導電型之結晶系矽；及i型非晶Si層，其以覆蓋上述基板之上述第2面之方式配置。以內置於上述非晶Si層且於上述非晶Si層之外表面側露出一部分之方式，相互隔開地配置有導電型與上述第一導電型相同之第1部位及導電型與上述第一導電型不同之第2部位。
简体摘要：本发明之HBC型结晶系太阳电池具备：基板，其具有供光入射之第1面、及位于与上述第1面为相反侧之第2面，且包含表现光电转换功能之第一导电型之结晶系硅；及i型非晶Si层，其以覆盖上述基板之上述第2面之方式配置。以内置于上述非晶Si层且于上述非晶Si层之外表面侧露出一部分之方式，相互隔开地配置有导电型与上述第一导电型相同之第1部位及导电型与上述第一导电型不同之第2部位。

2. 发明专利

TW201731119A HBC型結晶系太陽電池之製造方法及製造裝置审中-公开
简体标题： HBC型结晶系太阳电池之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TW201731119A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105132205
申请日：2016-10-05
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：田中美和 , TANAKA, MIWA , 酒田現示 , SAKATA, GENJI , 三浦真 , MIURA, SHIN , 山崎嘉文 , YAMAZAKI, YOSHIFUMI , 橫尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 西橋勉 , NISHIHASHI, TSUTOMU , 山口昇 , YAMAGUCHI, NOBORU
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要：本發明之HBC型結晶系太陽電池之製造方法係使用具有非受光面且包含第一導電型之結晶系矽之基板，以覆蓋上述基板之上述非受光面之方式形成i型非晶Si層，對上述非晶Si層，藉由利用遮罩之雜質導入法，於相互隔開之位置形成導電型與上述第一導電型相同之第1部位及導電型與上述第一導電型不同之第2部位，並對導入雜質後之上述非晶Si層實施退火處理。形成上述第1部位及上述第2部位之步驟包含：第1步驟，其形成上述第1部位之指狀部；第2步驟，其形成上述第1部位之匯流排部；第3步驟，其形成上述第2部位之指狀部；及第4步驟，其形成上述第2部位之匯流排部。
简体摘要：本发明之HBC型结晶系太阳电池之制造方法系使用具有非受光面且包含第一导电型之结晶系硅之基板，以覆盖上述基板之上述非受光面之方式形成i型非晶Si层，对上述非晶Si层，借由利用遮罩之杂质导入法，于相互隔开之位置形成导电型与上述第一导电型相同之第1部位及导电型与上述第一导电型不同之第2部位，并对导入杂质后之上述非晶Si层实施退火处理。形成上述第1部位及上述第2部位之步骤包含：第1步骤，其形成上述第1部位之指状部；第2步骤，其形成上述第1部位之总线部；第3步骤，其形成上述第2部位之指状部；及第4步骤，其形成上述第2部位之总线部。

3. 发明专利

TW201218401A 結晶太陽能電池及其製造方法 CRYSTALLINE PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE PHOTOVOLTAIC CELL 审中-公开
简体标题：结晶太阳能电池及其制造方法 CRYSTALLINE PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE PHOTOVOLTAIC CELL
公开(公告)号：TW201218401A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100132892
申请日：2011-09-13
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：田中美和 , 菊地誠 , 片桐弘明 , 小松孝 , 菊地幸男 , 大園修司 , 西方靖 , 高木牧子 , 金澤圭祐 , 坂尾洋介 , 淺利伸 , 齋藤一也 , 太田淳
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/03765 , H01L31/056 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明之結晶太陽能電池包含:平板狀之結晶性基板,其係包含p型或n型之單晶或多晶矽,且具有光電轉換功能;第一半導體層,其係配置於上述結晶性基板之受光面側,且包含非晶或微晶矽;第二半導體層,其係配置於上述結晶性基板之與上述受光面相反之背面側,且包含與上述第一半導體層為相反導電型之非晶或微晶矽;及第一氧化矽層,其係配置於上述結晶性基板與上述第一半導體層之間、及上述結晶性基板與上述第二半導體層之間中之一者。
简体摘要：本发明之结晶太阳能电池包含:平板状之结晶性基板,其系包含p型或n型之单晶或多晶硅,且具有光电转换功能;第一半导体层,其系配置于上述结晶性基板之受光面侧,且包含非晶或微晶硅;第二半导体层,其系配置于上述结晶性基板之与上述受光面相反之背面侧,且包含与上述第一半导体层为相反导电型之非晶或微晶硅;及第一氧化硅层,其系配置于上述结晶性基板与上述第一半导体层之间、及上述结晶性基板与上述第二半导体层之间中之一者。

4. 发明专利

TW201221686A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201221686A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100111650
申请日：2011-04-01
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：田中美和 , 菊地誠 , 中島硏也 , 矢島太郎 , 大橋童吾 , 宮野善識 , 細野浩平
IPC分类号： C23C , H01J
CPC分类号： H01J37/32165 , C23C16/345 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32935
摘要： [課題]提供一種:能夠對於在產生有異常放電的情況下之對於構成腔內部的零件之損傷作抑制,並且能夠得到充分之膜質以及膜厚的成膜裝置。[解決手段]具備有:載置部(12),係被設置在真空腔(11)內,並被載置有成膜對象;和噴淋板(13),係以與被載置於載置部上之成膜對象相對向的方式而被設置,並將成膜氣體導入;和複數之交流電源,係被與噴淋板以及載置部之至少其中一方作連接,複數之交流電源,係至少由供給高頻電力之1個高頻電源(15)、和供給較前述高頻電源更低之低頻電力之1個低頻電源(16)所成,且分別具備有將前述真空腔內之異常放電檢測出來的異常放電檢測手段,各異常放電檢測手段,係構成為:若是檢測出異常放電,則將全部的前述交流電源之電力供給停止。
简体摘要： [课题]提供一种:能够对于在产生有异常放电的情况下之对于构成腔内部的零件之损伤作抑制,并且能够得到充分之膜质以及膜厚的成膜设备。[解决手段]具备有:载置部(12),系被设置在真空腔(11)内,并被载置有成膜对象;和喷淋板(13),系以与被载置于载置部上之成膜对象相对向的方式而被设置,并将成膜气体导入;和复数之交流电源,系被与喷淋板以及载置部之至少其中一方作连接,复数之交流电源,系至少由供给高频电力之1个高频电源(15)、和供给较前述高频电源更低之低频电力之1个低频电源(16)所成,且分别具备有将前述真空腔内之异常放电检测出来的异常放电检测手段,各异常放电检测手段,系构成为:若是检测出异常放电,则将全部的前述交流电源之电力供给停止。

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