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1. 发明专利

TWI361449B 微波激勵型電漿處理設備 MICROWAVE- EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS 有权
简体标题：微波激励型等离子处理设备 MICROWAVE- EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TWI361449B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW093134502
申请日：2004-11-11
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：田口洋治 , 吉田麻衣子 , 草場康太 , 篠原己拔 , 松尾宗和 , 渡邊一弘
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192
摘要：一種微波激勵型電漿處理設備由於使用經矩形波導切割出來的多數狹縫，而顯示一寬壓力範圍及可應用之寬電力範圍，以作為放電並具有一分佈，以允許電場及磁場微波直接均勻地形成在微波天線下之微波引入窗下。該微波激勵處理特徵係特徵於具有四個由矩形波導壁面所切割出來之橢圓狹縫，該壁面係被保持與真空室的頂壁微波引入窗接觸，該四個橢圓狹縫係分別被安排沿著大致正方形之四側排列。
简体摘要：一种微波激励型等离子处理设备由于使用经矩形波导切割出来的多数狭缝，而显示一宽压力范围及可应用之宽电力范围，以作为放电并具有一分布，以允许电场及磁场微波直接均匀地形成在微波天线下之微波引入窗下。该微波激励处理特征系特征于具有四个由矩形波导壁面所切割出来之椭圆狭缝，该壁面系被保持与真空室的顶壁微波引入窗接触，该四个椭圆狭缝系分别被安排沿着大致正方形之四侧排列。

2. 发明专利

TW201612341A 絕緣物標靶审中-公开
简体标题：绝缘物标靶
公开(公告)号：TW201612341A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104118161
申请日：2015-06-04
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：小梁慎二 , KOHARI, SHINJI , 山本弘輝 , YAMAMOTO, HIROKI , 田口洋治 , TAGUCHI, YOJI , 難波宏 , NANBA, TAKAHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/082 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/345
摘要：本發明係一種絕緣物標靶，其中，提供：於組裝於濺鍍裝置而投入交流電力時，防止在防磁罩與標靶之間的間隙引起放電之絕緣物標靶。對於絕緣物標靶(2)之濺鍍裝置(SM)之組裝時，加以配置防磁罩(5)於其周圍之本發明的濺鍍裝置用之絕緣物標靶(2)係具備：由防磁罩所圍繞之板狀的標靶材(21)，和作為加以濺鍍標靶材之一方的面之濺鍍面(2a)，加以接合於標靶材之另一方的面之外周緣部，從標靶材的周面加以延伸出於外方之同時，具有從防磁罩保持特定間隔之伸出部(22a)之環狀的支持材(22)，而支持材係投入交流電力於絕緣物標靶而加以濺鍍濺鍍面時，呈具有與標靶材之阻抗同等以上之阻抗地加以構成者。
简体摘要：本发明系一种绝缘物标靶，其中，提供：于组装于溅镀设备而投入交流电力时，防止在防磁罩与标靶之间的间隙引起放电之绝缘物标靶。对于绝缘物标靶(2)之溅镀设备(SM)之组装时，加以配置防磁罩(5)于其周围之本发明的溅镀设备用之绝缘物标靶(2)系具备：由防磁罩所围绕之板状的标靶材(21)，和作为加以溅镀标靶材之一方的面之溅镀面(2a)，加以接合于标靶材之另一方的面之外周缘部，从标靶材的周面加以延伸出于外方之同时，具有从防磁罩保持特定间隔之伸出部(22a)之环状的支持材(22)，而支持材系投入交流电力于绝缘物标靶而加以溅镀溅镀面时，呈具有与标靶材之阻抗同等以上之阻抗地加以构成者。

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