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1. 发明专利

TW201712730A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201712730A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105116502
申请日：2016-05-26
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中裕二 , TANAKA, YUJI , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 春本将彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 金山幸司 , KANEYAMA, KOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/30 , H01L21/027
摘要：本發明之基板處理裝置包含：旋轉夾盤，其保持基板；處理液供給單元，其對由基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液與具有第2比重之第2處理液；貯存部，其貯存對基板供給後之使用過之第1及第2處理液；及處理液分離機構，其將貯存於貯存部之第1處理液與第2處理液基於比重而分離。以旋轉夾盤保持基板。在該狀態下，藉由塗佈處理單元對基板之被處理面供給第1及第2處理液。此處，第2處理液之比重小於第1處理液之比重。將對基板供給後之使用過之第1及第2處理液貯存於回收槽。藉由處理液分離機構將貯存於回收槽內之第1處理液及第2處理液基於比重而分離。
简体摘要：本发明之基板处理设备包含：旋转夹盘，其保持基板；处理液供给单元，其对由基板保持部保持之基板之被处理面供给具有第1比重之第1处理液与具有第2比重之第2处理液；贮存部，其贮存对基板供给后之使用过之第1及第2处理液；及处理液分离机构，其将贮存于贮存部之第1处理液与第2处理液基于比重而分离。以旋转夹盘保持基板。在该状态下，借由涂布处理单元对基板之被处理面供给第1及第2处理液。此处，第2处理液之比重小于第1处理液之比重。将对基板供给后之使用过之第1及第2处理液贮存于回收槽。借由处理液分离机构将贮存于回收槽内之第1处理液及第2处理液基于比重而分离。

2. 发明专利

TWI603379B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI603379B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105116502
申请日：2016-05-26
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中裕二 , TANAKA, YUJI , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 春本将彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 金山幸司 , KANEYAMA, KOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/30 , H01L21/027

3. 发明专利

TW201643942A 基板處理裝置、膜形成單元、基板處理方法及膜形成方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法
公开(公告)号：TW201643942A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105116503
申请日：2016-05-26
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中裕二 , TANAKA, YUJI , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 春本将彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 金山幸司 , KANEYAMA, KOJI
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/288
CPC分类号： B05D1/005 , B05C11/08 , B05C11/10 , B05D3/007 , C23F1/00 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , H01L21/68707
摘要：本發明之基板處理裝置包含：塗佈處理單元，其藉由將含有金屬之塗佈液作為含有金屬塗佈液對基板之被處理面供給，而於被處理面形成含有金屬塗佈膜；金屬去除單元，其於藉由塗佈處理單元而形成含有金屬塗佈膜後，以於基板之被處理面之除周緣部以外之區域殘留含有金屬塗佈膜之方式，對基板之周緣部供給使金屬溶解之去除液；及搬送機構，其於藉由塗佈處理單元而形成含有金屬塗佈膜後，將基板搬送至金屬去除單元。藉由利用塗佈處理單元對基板之被處理面供給含有金屬塗佈液，而於被處理面形成含有金屬塗佈膜。藉由搬送機構將形成含有金屬塗佈膜後之基板搬送至金屬去除單元。藉由金屬去除單元，以於基板之被處理面之除周緣部以外之區域殘留含有金屬塗佈膜之方式對基板之周緣部供給去除液。
简体摘要：本发明之基板处理设备包含：涂布处理单元，其借由将含有金属之涂布液作为含有金属涂布液对基板之被处理面供给，而于被处理面形成含有金属涂布膜；金属去除单元，其于借由涂布处理单元而形成含有金属涂布膜后，以于基板之被处理面之除周缘部以外之区域残留含有金属涂布膜之方式，对基板之周缘部供给使金属溶解之去除液；及搬送机构，其于借由涂布处理单元而形成含有金属涂布膜后，将基板搬送至金属去除单元。借由利用涂布处理单元对基板之被处理面供给含有金属涂布液，而于被处理面形成含有金属涂布膜。借由搬送机构将形成含有金属涂布膜后之基板搬送至金属去除单元。借由金属去除单元，以于基板之被处理面之除周缘部以外之区域残留含有金属涂布膜之方式对基板之周缘部供给去除液。

4. 发明专利

TW201834011A 基板處理方法及其裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及其设备
公开(公告)号：TW201834011A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106145486
申请日：2017-12-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中裕二 , TANAKA, YUJI , 中山知佐世 , NAKAYAMA, CHISAYO , 春本将彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 福本靖博 , FUKUMOTO, YASUHIRO , 松尾友宏 , MATSUO, TOMOHIRO , 石井丈晴 , ISHII, TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/324
摘要：一種基板處理方法，其對基板於熱處理空間內進行熱處理，且上述方法包含以下步驟：搬入步驟，其使基板載置於支持銷；排氣步驟，其將上述熱處理空間之氣體排氣；惰性氣體供給步驟，其對上述熱處理空間供給惰性氣體；基板下空間氣體排出步驟，其將上述基板與上述熱處理板之上表面之間之基板下空間之氣體排出；及熱處理步驟，其使上述支持銷於上述熱處理板內退出，對載置於上述熱處理板之上表面上之上述熱處理空間內之基板進行熱處理。
简体摘要：一种基板处理方法，其对基板于热处理空间内进行热处理，且上述方法包含以下步骤：搬入步骤，其使基板载置于支持销；排气步骤，其将上述热处理空间之气体排气；惰性气体供给步骤，其对上述热处理空间供给惰性气体；基板下空间气体排出步骤，其将上述基板与上述热处理板之上表面之间之基板下空间之气体排出；及热处理步骤，其使上述支持销于上述热处理板内退出，对载置于上述热处理板之上表面上之上述热处理空间内之基板进行热处理。

5. 发明专利

TWI688027B 基板處理方法有权
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TWI688027B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106145500
申请日：2017-12-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中裕二 , TANAKA, YUJI , 中山知佐世 , NAKAYAMA, CHISAYO , 春本将彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 福本靖博 , FUKUMOTO, YASUHIRO , 松尾友宏 , MATSUO, TOMOHIRO , 石井丈晴 , ISHII, TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324

6. 发明专利

TW201830553A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW201830553A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106145500
申请日：2017-12-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中裕二 , TANAKA, YUJI , 中山知佐世 , NAKAYAMA, CHISAYO , 春本将彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 福本靖博 , FUKUMOTO, YASUHIRO , 松尾友宏 , MATSUO, TOMOHIRO , 石井丈晴 , ISHII, TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
摘要：一種基板處理方法，其係將形成有處理膜之基板載置於熱處理腔室內之熱處理空間進行熱處理，且上述方法包含以下步驟：排氣步驟，其將上述熱處理空間之氣體排氣；惰性氣體供給步驟，其對上述熱處理空間供給惰性氣體；及熱處理步驟，其對上述熱處理空間之基板進行熱處理。
简体摘要：一种基板处理方法，其系将形成有处理膜之基板载置于热处理腔室内之热处理空间进行热处理，且上述方法包含以下步骤：排气步骤，其将上述热处理空间之气体排气；惰性气体供给步骤，其对上述热处理空间供给惰性气体；及热处理步骤，其对上述热处理空间之基板进行热处理。

7. 发明专利

TWI664663B 基板處理方法及其裝置有权
简体标题：基板处理方法及其设备
公开(公告)号：TWI664663B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106145486
申请日：2017-12-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中裕二 , TANAKA, YUJI , 中山知佐世 , NAKAYAMA, CHISAYO , 春本将彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 福本靖博 , FUKUMOTO, YASUHIRO , 松尾友宏 , MATSUO, TOMOHIRO , 石井丈晴 , ISHII, TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/324

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