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1. 发明专利

TW351812B 半導體記憶體中內建式自動測試單元之啓動及結束程序失效
简体标题：半导体内存中内置式自动测试单元之启动及结束进程
公开(公告)号：TW351812B
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：TW086105237
申请日：1997-04-23
申请人：德州儀器公司
发明人：鮑舍歐
IPC分类号： G11C
摘要：在半導體記憶體10，進入及離開控制電路20提供執行內建式自動測試(built-in-self-test)的兩個程序。在第一個程序裡，存在位址端的過電壓與電源上昇程序使進入及雜開控制電路20進入BIST待命模式。CS_控制訊號的傳輸會激發進入及離開電路20，進入及離開電路20提供一訊號使內建式自動測試單元30運作。內建式自動測試單元繼續執行測試程序直到CS_控制訊號第二次轉換並傳回其電位狀態。
简体摘要：在半导体内存10，进入及离开控制电路20提供运行内置式自动测试(built-in-self-test)的两个进程。在第一个进程里，存在位址端的过电压与电源上升进程使进入及杂开控制电路20进入BIST待命模式。CS_控制信号的传输会激发进入及离开电路20，进入及离开电路20提供一信号使内置式自动测试单元30运作。内置式自动测试单元继续运行测试进程直到CS_控制信号第二次转换并传回其电位状态。

2. 发明专利

TW338159B 內建自動測試單元之動態隨機存取記憶體中之子陣列測試裝置及方法失效
简体标题：内置自动测试单元之动态随机存取内存中之子数组测试设备及方法
公开(公告)号：TW338159B
公开(公告)日：1998-08-11
申请号：TW086104803
申请日：1997-04-15
申请人：德州儀器公司
发明人：許光華 , 葛丹尼 , 樓沃奇 , 鮑舍歐
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/20
摘要：在內建自動測試單元或記憶體元件中，有一個位址限定單元，在測試程序起始之前起始與停止位址會儲存於其中。內建自動測試單元的測試程序一開始，位址限定單元的起始位址會被傳送至位址計數器單元，在其中起始位址會做為測試起始位址。停止位址會被傳送至位址計數器單元，在其中停止位址會與現在位址比較。當停止位址與現在位址相吻合時，內建自動測試單元執行的測試程序便會終止。以這樣的方法，記憶體元件中的任何子陣列皆可被選擇測試。
简体摘要：在内置自动测试单元或内存组件中，有一个位址限定单元，在测试进程起始之前起始与停止位址会存储于其中。内置自动测试单元的测试进程一开始，位址限定单元的起始位址会被发送至位址计数器单元，在其中起始位址会做为测试起始位址。停止位址会被发送至位址计数器单元，在其中停止位址会与现在位址比较。当停止位址与现在位址相吻合时，内置自动测试单元运行的测试进程便会终止。以这样的方法，内存组件中的任何子数组皆可被选择测试。

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