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1. 发明专利

TWI636597B 半導體晶片有权
简体标题：半导体芯片
公开(公告)号：TWI636597B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW105128139
申请日：2016-08-31
申请人：德商歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：佩利馬爾柯賓恩 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡司扎克扎羅卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 霍普路茲
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48

2. 发明专利

TWI505517B 光電半導體晶片及光電半導體晶片之製造方法有权
简体标题：光电半导体芯片及光电半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI505517B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101104509
申请日：2012-02-13
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：英格卡羅 , ENGL, KARL , 茂堤馬庫斯 , MAUTE, MARKUS , 雷莫思伯格史帝芬妮 , RAMMELSBERGER, STEFANIE , 卡斯普薩克薩布羅卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/52 , H01L2933/005

3. 发明专利

TWI589029B 光電組件及製造光電組件的方法有权
简体标题：光电组件及制造光电组件的方法
公开(公告)号：TWI589029B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105123664
申请日：2016-07-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：普茲梅爾可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡斯普薩克沙布拉卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 拉斐爾克利斯汀 , RAFAEL, CHRISTINE , 萊羅克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0058

4. 发明专利

TW201712895A 光電組件及製造光電組件的方法审中-公开
简体标题：光电组件及制造光电组件的方法
公开(公告)号：TW201712895A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105123664
申请日：2016-07-27
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：普茲梅爾可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡斯普薩克沙布拉卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 拉斐爾克利斯汀 , RAFAEL, CHRISTINE , 萊羅克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
摘要：本發明提供一種光電組件(100)，具有：一載體(1)，其具有一電性絕緣的型體(5)；一半導體本體(2)；以及一多層結構(3)，其中，在橫向中該型體(5)至少以區域方式包圍著該半導體本體(2)。該多層結構(3)在橫向中至少以區域方式配置在該半導體本體(2)和該型體(5)之間，且該多層結構具有一金屬層(30)和一非金屬的邊界層(32)，其中-該邊界層(32)在橫向中配置在該半導體本體(2)和該金屬層(30)之間、至少以區域方式鄰接於該半導體本體(2)、橫向地覆蓋該活性層(23)且在與該半導體本體(2)比較下具有較小的折射率，且-該金屬層(30)係用於防止：該組件操作時產生的、經由該邊界層的電磁輻射入射至該型體(5)。此外，本發明提供一種製造一個或多個上述組件的方法。
简体摘要：本发明提供一种光电组件(100)，具有：一载体(1)，其具有一电性绝缘的型体(5)；一半导体本体(2)；以及一多层结构(3)，其中，在横向中该型体(5)至少以区域方式包围着该半导体本体(2)。该多层结构(3)在横向中至少以区域方式配置在该半导体本体(2)和该型体(5)之间，且该多层结构具有一金属层(30)和一非金属的边界层(32)，其中-该边界层(32)在横向中配置在该半导体本体(2)和该金属层(30)之间、至少以区域方式邻接于该半导体本体(2)、横向地覆盖该活性层(23)且在与该半导体本体(2)比较下具有较小的折射率，且-该金属层(30)系用于防止：该组件操作时产生的、经由该边界层的电磁辐射入射至该型体(5)。此外，本发明提供一种制造一个或多个上述组件的方法。

5. 发明专利

TWI601314B 光電半導體組件及用於生產其之方法有权
简体标题：光电半导体组件及用于生产其之方法
公开(公告)号：TWI601314B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105125415
申请日：2016-08-10
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：佩利馬爾柯賓恩 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡司扎克扎羅卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 霍普路茲 , 萊瑞爾克里斯帝恩 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/642

6. 发明专利

TW201724585A 半導體晶片审中-公开
简体标题：半导体芯片
公开(公告)号：TW201724585A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128139
申请日：2016-08-31
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：佩利馬爾柯賓恩 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡司扎克扎羅卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 霍普路茲
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/647
摘要：一種光電半導體晶片(1)，具有半導體本體(23)及載體(3)，該半導體本體具有主動區(39)，該載體具有第一載體面(5)及第二載體面(7)，該半導體本體係設置於該第一載體面上，該第二載體面位於背離該半導體本體之側上，其中該載體具有複合體(11,13,15)，該複合體具有至少一個導電引體(11,13)及至少一個電絕緣形成體(15)，其中該引體自該第一載體面延展至該第二載體面並且導電連接至該主動區，以及其中該複合體係以拉伸穩定方式來建構。
简体摘要：一种光电半导体芯片(1)，具有半导体本体(23)及载体(3)，该半导体本体具有主动区(39)，该载体具有第一载体面(5)及第二载体面(7)，该半导体本体系设置于该第一载体面上，该第二载体面位于背离该半导体本体之侧上，其中该载体具有复合体(11,13,15)，该复合体具有至少一个导电引体(11,13)及至少一个电绝缘形成体(15)，其中该引体自该第一载体面延展至该第二载体面并且导电连接至该主动区，以及其中该复合体系以拉伸稳定方式来建构。

7. 发明专利

TW201715755A 光電半導體組件及用於生產其之方法审中-公开
简体标题：光电半导体组件及用于生产其之方法
公开(公告)号：TW201715755A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105125415
申请日：2016-08-10
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：佩利馬爾柯賓恩 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡司扎克扎羅卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 霍普路茲 , 萊瑞爾克里斯帝恩 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/642
摘要：本發明詳述一種光電半導體組件(100)，其包括：半導體本體(1)，該半導體本體(1)包括半導體層序列(2)；載板(10)，該載板(10)包括塑膠及包括第一電鍍導通孔(11)及第二電鍍導通孔(12)；p型接觸層(6)及n型接觸層(8、8A)，該p型接觸層(6)及該n型接觸層(8、8A)為至少區域性配置在該載板(10)及該半導體本體(1)之間；金屬補強層(14)，該金屬補強層(14)為至少區域性配置在該n型接觸層(8、8A)及該載板(10)之間，其中該金屬補強層(14)的厚度為至少5微米；以及至少一個p型接觸通孔(7)，其配置在該第一電鍍導通孔(11)及該p型接觸層(6)之間，其中該p型接觸通孔(7)的厚度為至少5微米並且在側向方向上由該補強層(14)至少區域性圍繞。再者，本發明詳述用於製造此類光電半導體組件(100)之有利的方法。
简体摘要：本发明详述一种光电半导体组件(100)，其包括：半导体本体(1)，该半导体本体(1)包括半导体层串行(2)；载板(10)，该载板(10)包括塑胶及包括第一电镀导通孔(11)及第二电镀导通孔(12)；p型接触层(6)及n型接触层(8、8A)，该p型接触层(6)及该n型接触层(8、8A)为至少局部配置在该载板(10)及该半导体本体(1)之间；金属补强层(14)，该金属补强层(14)为至少局部配置在该n型接触层(8、8A)及该载板(10)之间，其中该金属补强层(14)的厚度为至少5微米；以及至少一个p型接触通孔(7)，其配置在该第一电镀导通孔(11)及该p型接触层(6)之间，其中该p型接触通孔(7)的厚度为至少5微米并且在侧向方向上由该补强层(14)至少局部围绕。再者，本发明详述用于制造此类光电半导体组件(100)之有利的方法。

8. 发明专利

TWI446581B 發光二極體晶片有权
简体标题：发光二极管芯片
公开(公告)号：TWI446581B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW099123071
申请日：2010-07-14
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：阿柏瑞奇特湯尼 , ALBRECHT, TONY , 卡薩札克拉柏拉卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 馬特馬可士 , MAUTE, MARKUS
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0025

9. 发明专利

TWI401822B 光電半導體晶片有权
简体标题：光电半导体芯片
公开(公告)号：TWI401822B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW098123575
申请日：2009-07-13
申请人：歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：魏瑪爾安卓斯 , WEIMAR, ANDREAS , 費奇爾海木特 , FISCHER, HELMUT , 阿柏瑞奇特湯尼 , ALBRECHT, TONY , 卡薩札克拉柏拉卡安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/18
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/44

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