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简体标题：发光二极管及其制作方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

公开(公告)号：TWI325641B

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：TW095132634

申请日：2006-09-04

申请人：廣鎵光電股份有限公司

发明人：蔡宗良 , 李玉柱 , 蔡炯棋

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

摘要：本發明提供一種發光二極體元件，包含：透明基板、具有第一部份及第二部份之磊晶堆疊結構設置在透明基板上、五族/二族化合物接觸層設置在該磊晶堆疊結構的第一部份、氮化物結晶層設置在五族/二族化合物接觸層上、透明導電層設置在氮化物結晶層上，並包覆住氮化物結晶層，第一電極設置在部份的透明導電層上以及第二電極設置在磊晶堆疊結構之第二部份，且與設置在磊晶堆疊結構之第一部份上的結構並未直接接觸。藉由氮化物結晶層可以增加發光二極體外部量子效率，因此可以增加發光二極體的發光效益。 The present invention provides a light emitting device, which includes a transparent substrate, an epitaxial stack structure having a first portion and a second portion on the transparent substrate, a II/V group compound contact layer on the first portion of the epitaxial stack structure, a nitride-crystallized layer on the II/V group compound contact layer, a transparent conductive layer covered the nitride-crystallized layer, a first electrode on the portion of the transparent conductive layer, and a second electrode on the second portion of the epitaxial stack structure, and structurally separated from the structure on the first portion of the epitaxial stack structure. Thus, the nitride-crystallized layer can increase the external quantum efficiency of the light emitting device, thereby, the light emitting efficiency of the light emitting device also can be improved. 【創作特點】本發明的目的，係利用五族/二族化合物接觸層取代傳統的歐姆接觸層，並且配合容易在五族/二族化合物接觸層上成長的氮化物結晶層，使得在發光二極體中，增加由發光區域所產生的光源亮度，且可以增加發光二極體之發光效益。
本發明提供一種發光二極體結構，包含：透明基板、具有第一部份及第二部份之磊晶堆疊結構設置在基板上、五族/二族化合物接觸層設置在該磊晶堆疊結構的第一部份、氮化物結晶層設置在五族/二族化合物接觸層上、透明導電層形成並包覆住氮化物結晶層，第一電極設置在透明導電層上，以及第二電極設置在磊晶堆疊結構之第二部份，與設置在磊晶堆疊結構之第一部份上之結構並未直接接觸。藉由氮化物結晶層可以增加發光二極體外部量子效率，因此可以增加發光二極體的發光效益。
配合以下之較佳實施例之敘述與圖式說明，本發明之目的、實施例、特徵、及優點將更為清楚。

简体摘要：本发明提供一种发光二极管组件，包含：透明基板、具有第一部份及第二部份之磊晶堆栈结构设置在透明基板上、五族/二族化合物接触层设置在该磊晶堆栈结构的第一部份、氮化物结晶层设置在五族/二族化合物接触层上、透明导电层设置在氮化物结晶层上，并包复住氮化物结晶层，第一电极设置在部份的透明导电层上以及第二电极设置在磊晶堆栈结构之第二部份，且与设置在磊晶堆栈结构之第一部份上的结构并未直接接触。借由氮化物结晶层可以增加发光二极管外部量子效率，因此可以增加发光二极管的发光效益。 The present invention provides a light emitting device, which includes a transparent substrate, an epitaxial stack structure having a first portion and a second portion on the transparent substrate, a II/V group compound contact layer on the first portion of the epitaxial stack structure, a nitride-crystallized layer on the II/V group compound contact layer, a transparent conductive layer covered the nitride-crystallized layer, a first electrode on the portion of the transparent conductive layer, and a second electrode on the second portion of the epitaxial stack structure, and structurally separated from the structure on the first portion of the epitaxial stack structure. Thus, the nitride-crystallized layer can increase the external quantum efficiency of the light emitting device, thereby, the light emitting efficiency of the light emitting device also can be improved. 【创作特点】本发明的目的，系利用五族/二族化合物接触层取代传统的欧姆接触层，并且配合容易在五族/二族化合物接触层上成长的氮化物结晶层，使得在发光二极管中，增加由发光区域所产生的光源亮度，且可以增加发光二极管之发光效益。本发明提供一种发光二极管结构，包含：透明基板、具有第一部份及第二部份之磊晶堆栈结构设置在基板上、五族/二族化合物接触层设置在该磊晶堆栈结构的第一部份、氮化物结晶层设置在五族/二族化合物接触层上、透明导电层形成并包复住氮化物结晶层，第一电极设置在透明导电层上，以及第二电极设置在磊晶堆栈结构之第二部份，与设置在磊晶堆栈结构之第一部份上之结构并未直接接触。借由氮化物结晶层可以增加发光二极管外部量子效率，因此可以增加发光二极管的发光效益。配合以下之较佳实施例之叙述与图式说明，本发明之目的、实施例、特征、及优点将更为清楚。

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