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    • 1. 发明专利
    • 咪唑駢╳啶衍生物及其抗潰瘍劑組成物及其製法
    • 咪唑骈╳啶衍生物及其抗溃疡剂组成物及其制法
    • TW138828B
    • 1990-08-01
    • TW076105885
    • 1987-10-02
    • 山之內製藥股份有限公司
    • 小出德雄太田光昭四釜久隆柳槷勳宮田桂司
    • C07DA61K
    • 如下式(Ⅰ)咪唑駢啶衍生物或其製藥容許鹽□ (Ⅰ)式中R1為C4-6烯基或可取代環烷基之C1-10烷基,
      R2為羥基,低烷氧羰基,可取代羥基,低烷氧基或低烷氧羰基之低烷基,可取代低烷氧基之苯基,或可取代低醯氧基之低醯氧烷基,
      R3為氫,低烷基,鹵低烷基,低烷氧烷基,羥低烷基,氰低烷基,單或二低烷胺基-低烷基,胺異,單或二低烷胺,亞硝基,低烷氧羰基,低醯胺基,低烷磺醯胺基,如下式基:□(式中D為NH或S;E為N或CH;R5與R6可相同或相異,各為氫,低烷基,低烷氧羰基或苯基);如下式基:□(式中X為O,S或N-R7而R7為胺磺醯,低醯胺基或低炔基);或如下式基:
      -CH2-Y-R8(式中Y為O或S,R8為氰基-低烷基或低炔基)。
      1986年10月7日在日本申請專利第61-239863號
    • 如下式(Ⅰ)咪唑骈啶衍生物或其制药容许盐□ (Ⅰ)式中R1为C4-6烯基或可取代环烷基之C1-10烷基, R2为羟基,低烷氧羰基,可取代羟基,低烷氧基或低烷氧羰基之低烷基,可取代低烷氧基之苯基,或可取代低酰氧基之低酰氧烷基, R3为氢,低烷基,卤低烷基,低烷氧烷基,羟低烷基,氰低烷基,单或二低烷胺基-低烷基,胺异,单或二低烷胺,亚硝基,低烷氧羰基,低酰胺基,低烷磺酰胺基,如下式基:□(式中D为NH或S;E为N或CH;R5与R6可相同或相异,各为氢,低烷基,低烷氧羰基或苯基);如下式基:□(式中X为O,S或N-R7而R7为胺磺酰,低酰胺基或低炔基);或如下式基: -CH2-Y-R8(式中Y为O或S,R8为氰基-低烷基或低炔基)。 1986年10月7日在日本申请专利第61-239863号