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1. 发明专利

TW201526321A 磁阻效應元件之製造方法及製造系統审中-公开
简体标题：磁阻效应组件之制造方法及制造系统
公开(公告)号：TW201526321A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103129887
申请日：2014-08-29
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：林真理恵 , HAYASHI, MARIE , 坂本清尚 , SAKAMOTO, KIYOTAKA , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：提供一種磁阻效應元件之製造方法及製造系統，可實現磁阻效應元件的進一步之微細化、亦即積體度的進一步之增大，同時可製造具有高磁性的磁阻效應元件。具有：於基板上，準備具備前述二個磁性層的其中一層、構成前述穿隧勢壘層之層、及前述二個磁性層的另一層之積層體的程序；將前述積層體藉蝕刻而分離成複數個，於前述基板上形成經分離之複數個積層體的程序；對於前述經分離的複數個積層體之側部在可減壓的處理腔室內照射離子束之程序；以及前述離子束的照射後，對於前述處理腔室內導入氧化性氣體或氮化性氣體，於前述複數個積層體之表面形成氧化層或氮化層的程序。
简体摘要：提供一种磁阻效应组件之制造方法及制造系统，可实现磁阻效应组件的进一步之微细化、亦即积体度的进一步之增大，同时可制造具有高磁性的磁阻效应组件。具有：于基板上，准备具备前述二个磁性层的其中一层、构成前述穿隧势垒层之层、及前述二个磁性层的另一层之积层体的进程；将前述积层体藉蚀刻而分离成复数个，于前述基板上形成经分离之复数个积层体的进程；对于前述经分离的复数个积层体之侧部在可减压的处理腔室内照射离子束之进程；以及前述离子束的照射后，对于前述处理腔室内导入氧化性气体或氮化性气体，于前述复数个积层体之表面形成氧化层或氮化层的进程。

2. 发明专利

TW201249262A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201249262A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100143742
申请日：2011-11-29
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：池田真義 , 坂本清尚 , 澤田明宏 , 佐護康實 , 長谷川雅己 , 栗田資三
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32669 , H05H2001/4667
摘要： [課題]提供一種:能夠對於電漿密度分布之偏差作修正並將基板均一地進行處理之電漿處理裝置。[解決手段]具備有對於被配置在減壓容器內之基板進行電漿處理的構成,減壓容器,係在外側周圍處被配置有環狀天線,並由產生電漿之電力供給容器、和與電力供給容器內相通的被配置有基板之處理容器所成。在電力供給容器內,係藉由被供給至環狀天線處之高頻電力而產生電漿。所產生了的電漿,係藉由被配置在環狀天線外周部處之螺旋管線圈的磁場,而朝向處理容器內擴散。藉由用以調整此螺旋管線圈之相對於處理基板的傾斜度之傾斜調整手段,來對於藉由螺旋管線圈所產生之磁場的傾斜度作調整,而進行基板處理。
简体摘要： [课题]提供一种:能够对于等离子密度分布之偏差作修正并将基板均一地进行处理之等离子处理设备。[解决手段]具备有对于被配置在减压容器内之基板进行等离子处理的构成,减压容器,系在外侧周围处被配置有环状天线,并由产生等离子之电力供给容器、和与电力供给容器内相通的被配置有基板之处理容器所成。在电力供给容器内,系借由被供给至环状天线处之高频电力而产生等离子。所产生了的等离子,系借由被配置在环状天线外周部处之螺旋管线圈的磁场,而朝向处理容器内扩散。借由用以调整此螺旋管线圈之相对于处理基板的倾斜度之倾斜调整手段,来对于借由螺旋管线圈所产生之磁场的倾斜度作调整,而进行基板处理。

3. 发明专利

TWI562304B 基板加工方法及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：基板加工方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI562304B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103145276
申请日：2014-12-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 木村和弘 , KIMURA, KAZUHIRO , 神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 豊里智彥 , TOYOSATO, TOMOHIKO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/76865 , C23C14/046 , C23C14/5833 , C23C14/5873 , C23C16/56 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76802 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/7843

4. 发明专利

TWI481317B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI481317B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100143742
申请日：2011-11-29
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 坂本清尚 , SAKAMOTO, KIYOTAKA , 澤田明宏 , SAWADA, AKIHIRO , 佐護康實 , SAGO, YASUMI , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI , 栗田資三 , KURITA, MOTOZO
IPC分类号： H05H1/46 , H05H1/02
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32669 , H05H2001/4667

5. 发明专利

TW201448051A 製造鰭狀場效電晶體的方法和製造裝置的方法审中-公开
简体标题：制造鳍状场效应管的方法和制造设备的方法
公开(公告)号：TW201448051A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103102777
申请日：2014-01-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：中川隆史 , NAKAGAWA, TAKASHI , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 中川行人 , NAKAGAWA, YUKITO , 神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 小平吉三 , KODAIRA, YOSHIMITSU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01L29/66795 , H01L29/66803
摘要：於鰭狀場效電晶體(FET)製造中，形成在基板上之半導體鰭片的側壁具有某種粗糙度。使用此等具有粗糙度之鰭片可由於其形狀等而導致電晶體間之特徵中的變動。本發明之一目的係藉由在形成之後輕易地減少鰭片的側壁之粗糙度，提供能夠改善裝置特徵之鰭狀FET製造方法。於本發明的一實施例中，半導體鰭片之側壁被由柵極所擷取的離子束所蝕刻，以減少該等側壁之粗糙度。
简体摘要：于鳍状场效应管(FET)制造中，形成在基板上之半导体鳍片的侧壁具有某种粗糙度。使用此等具有粗糙度之鳍片可由于其形状等而导致晶体管间之特征中的变动。本发明之一目的系借由在形成之后轻易地减少鳍片的侧壁之粗糙度，提供能够改善设备特征之鳍状FET制造方法。于本发明的一实施例中，半导体鳍片之侧壁被由栅极所截取的离子束所蚀刻，以减少该等侧壁之粗糙度。

6. 发明专利

TW337560B 基板溫度控制法及基板溫度控制判定法失效
简体标题：基板温度控制法及基板温度控制判定法
公开(公告)号：TW337560B
公开(公告)日：1998-08-01
申请号：TW086115922
申请日：1997-10-28
申请人：安內華股份有限公司
发明人：池田真義
IPC分类号： G05D , H01L
CPC分类号： C23C16/507 , C23C16/45557 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/67248 , Y10T279/23
摘要：本發明之課題係以提供在基板處理裝置中，提高He氣體等之傳熱氣體之控制性並提高基板溫度之控制性之基板溫度控制法；及監視基板與基板配置面之間隙狀態而判定基板溫度控制狀態之基板溫度控制判定法。
本發明之解決手段係在處理室內予以處理被固定於基板夾具上之基板，而於處理基板之間，將He氣體予以流動於基板與基板配實面之間之間隙，以該當氣體之熱傳達特性來加以控制基板溫度，並於預定溫度將基板予以冷卻之電漿處理裝置之基板溫度控制法，而在壓力設定部5Oa中預先設定He氣體之壓力值，並以壓力計49來測定實際之壓力值，而在壓力控制閥46以可使測定壓力值得以等於設定壓力值來加以控制流量。而且在基板溫度控制判定部5Ob中藉由監視氣體流量來判定基板溫度控制。
简体摘要：本发明之课题系以提供在基板处理设备中，提高He气体等之传热气体之控制性并提高基板温度之控制性之基板温度控制法；及监视基板与基板配置面之间隙状态而判定基板温度控制状态之基板温度控制判定法。本发明之解决手段系在处理室内予以处理被固定于基板夹具上之基板，而于处理基板之间，将He气体予以流动于基板与基板配实面之间之间隙，以该当气体之热传达特性来加以控制基板温度，并于预定温度将基板予以冷却之等离子处理设备之基板温度控制法，而在压力设置部5Oa中预先设置He气体之压力值，并以压力计49来测定实际之压力值，而在压力控制阀46以可使测定压力值得以等于设置压力值来加以控制流量。而且在基板温度控制判定部5Ob中借由监视气体流量来判定基板温度控制。

7. 发明专利

TWI557959B 磁阻效應元件之製造方法及製造系統有权
简体标题：磁阻效应组件之制造方法及制造系统
公开(公告)号：TWI557959B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103129887
申请日：2014-08-29
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：林真理恵 , HAYASHI, MARIE , 坂本清尚 , SAKAMOTO, KIYOTAKA , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12

8. 发明专利

TWI532103B 製造鰭狀場效電晶體的方法和製造裝置的方法有权
简体标题：制造鳍状场效应管的方法和制造设备的方法
公开(公告)号：TWI532103B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103102777
申请日：2014-01-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：中川隆史 , NAKAGAWA, TAKASHI , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 中川行人 , NAKAGAWA, YUKITO , 神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 小平吉三 , KODAIRA, YOSHIMITSU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01L29/66795 , H01L29/66803

9. 发明专利

TW201532220A 基板加工方法及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：基板加工方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201532220A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145276
申请日：2014-12-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 木村和弘 , KIMURA, KAZUHIRO , 神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 豊里智彥 , TOYOSATO, TOMOHIKO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/76865 , C23C14/046 , C23C14/5833 , C23C14/5873 , C23C16/56 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76802 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/7843
摘要：本發明是以提供一種可一面使堆積膜殘存至構成通孔(Through Hole)或貫孔(Via Hole)等之凹部的底部、側壁部及上端部，且一面在凹部內充分地埋入材料之基板加工方法及半導體裝置的製造方法為目的。本發明之一實施形態的基板加工方法係具有：第1照射工程，其係對形成於基板的凹部的開口部的堆積膜，由第1角度的方向來對基板面內方向照射粒子束，而除去堆積膜的厚度方向的一部分；及第2照射工程，其係於第1照射工程之後，由對於基板面內方向比第1角度更接近垂直的第2角度的方向來照射粒子束，而除去殘存的堆積膜的厚度方向的一部分。
简体摘要：本发明是以提供一种可一面使堆积膜残存至构成通孔(Through Hole)或贯孔(Via Hole)等之凹部的底部、侧壁部及上端部，且一面在凹部内充分地埋入材料之基板加工方法及半导体设备的制造方法为目的。本发明之一实施形态的基板加工方法系具有：第1照射工程，其系对形成于基板的凹部的开口部的堆积膜，由第1角度的方向来对基板面内方向照射粒子束，而除去堆积膜的厚度方向的一部分；及第2照射工程，其系于第1照射工程之后，由对于基板面内方向比第1角度更接近垂直的第2角度的方向来照射粒子束，而除去残存的堆积膜的厚度方向的一部分。

10. 发明专利

TW200301001A 靜電吸盤模組及冷卻系統失效
简体标题：静电吸盘模块及冷却系统
公开(公告)号：TW200301001A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091135192
申请日：2002-12-04
申请人：東陶機器股份有限公司 , 安內華股份有限公司 , 長州產業股份有限公司
发明人：建野範昭 , 宮地淳 , 佐護康實 , 池田真義 , 金子一秋 , 高村富夫 , 平山唯志 , 池村芳之 , 田丸正彥
IPC分类号： H01L , F28D
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , Y10T279/23
摘要：本發明的技術課題係在於：提供一種無貫穿洩漏問題之半導體製造裝置用的可水冷之高精度靜電吸盤模組。本發明之用以解決這種技術課題之手段係就Cu系複合材料，藉由將熱膨脹率大的Cu及Ni和熱膨脹率小的W、Mo依適切的組成比，可以獲得和靜電吸盤用氧化鋁素材之膨脹率一致的高熱傳導素材。這種複合材料係有貫穿洩漏的問題，雖然在真空裝置中不能使用，但是利用鍛造加工，可以防止貫穿洩漏，又，使用於水冷板的情況，對水的耐蝕性很重要，此處，可利用電鍍、濺鍍等，藉由附加Ni、Cr、Cu薄膜而予以改善耐蝕性。
简体摘要：本发明的技术课题系在于：提供一种无贯穿泄漏问题之半导体制造设备用的可水冷之高精度静电吸盘模块。本发明之用以解决这种技术课题之手段系就Cu系复合材料，借由将热膨胀率大的Cu及Ni和热膨胀率小的W、Mo依适切的组成比，可以获得和静电吸盘用氧化铝素材之膨胀率一致的高热传导素材。这种复合材料系有贯穿泄漏的问题，虽然在真空设备中不能使用，但是利用锻造加工，可以防止贯穿泄漏，又，使用于水冷板的情况，对水的耐蚀性很重要，此处，可利用电镀、溅镀等，借由附加Ni、Cr、Cu薄膜而予以改善耐蚀性。

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