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1. 发明专利

TW201304177A 太陽能電池之製造方法审中-公开
简体标题：太阳能电池之制造方法
公开(公告)号：TW201304177A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100124955
申请日：2011-07-14
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：林思賢 , LIN, SZU HSIEN , 莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池之製造方法。首先係在一基板上形成一第一電極層，接著在第一電極層上形成一p型半導體層，然後以一二氧化碳電漿處理p型半導體層，接著在p型半導體層上形成一本質層，之後在本質層上形成一n型半導體層，最後在n型半導體層上形成一第二電極層。其中，以二氧化碳電漿處理p型半導體層的過程是通入一二氧化碳氣體，並以一電場激化二氧化碳氣體為二氧化碳電漿，藉以清除在形成p型半導體層時所殘留的p型摻質。
简体摘要：一种太阳能电池之制造方法。首先系在一基板上形成一第一电极层，接着在第一电极层上形成一p型半导体层，然后以一二氧化碳等离子处理p型半导体层，接着在p型半导体层上形成一本质层，之后在本质层上形成一n型半导体层，最后在n型半导体层上形成一第二电极层。其中，以二氧化碳等离子处理p型半导体层的过程是通入一二氧化碳气体，并以一电场激化二氧化碳气体为二氧化碳等离子，借以清除在形成p型半导体层时所残留的p型掺质。

2. 发明专利

TW201334212A 薄膜太陽能電池及薄膜太陽能電池模組的製作方法审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池及薄膜太阳能电池模块的制作方法
公开(公告)号：TW201334212A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101104106
申请日：2012-02-08
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：張智偉 , CHANG, CHIH WEI , 莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG , 張志雄 , CHANG, CHIH HSIUNG , 林昆志 , LIN, KUN CHIH
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種薄膜太陽能電池的製作方法包括提供基板；形成第一電極層於基板上；形成光電轉換層於第一電極層上；形成第二電極層於光電轉換層上；以及進行第一熱處理，以提供熱能予基板、第一電極層、光電轉換層與第二電極層。由於第一熱處理可有效減少製作薄膜太陽能電池時所造成的應力殘留，而改善薄膜太陽能電池的品質，進而提升薄膜太陽能電池的光電轉換效率。
简体摘要：一种薄膜太阳能电池的制作方法包括提供基板；形成第一电极层于基板上；形成光电转换层于第一电极层上；形成第二电极层于光电转换层上；以及进行第一热处理，以提供热能予基板、第一电极层、光电转换层与第二电极层。由于第一热处理可有效减少制作薄膜太阳能电池时所造成的应力残留，而改善薄膜太阳能电池的品质，进而提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。

3. 发明专利

TW201324824A 太陽能電池审中-公开
简体标题：太阳能电池
公开(公告)号：TW201324824A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100146199
申请日：2011-12-14
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG , 張志雄 , CHANG, CHIH HSIUNG , 林昆志 , LIN, KUN CHIH
IPC分类号： H01L31/052
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池，包含一前基板、一第一電極層、一主動層、一第二電極層以及一背散熱模組。第一電極層係設置於前基板上，主動層係設置於第一電極層上，第二電極層係設置於主動層上。背散熱模組包含一設置於第二電極層上之背基板以及一設置於背基板上之散熱構件，且散熱構件包含一具有高導熱係數之散熱材料。
简体摘要：一种太阳能电池，包含一前基板、一第一电极层、一主动层、一第二电极层以及一背散热模块。第一电极层系设置于前基板上，主动层系设置于第一电极层上，第二电极层系设置于主动层上。背散热模块包含一设置于第二电极层上之背基板以及一设置于背基板上之散热构件，且散热构件包含一具有高导热系数之散热材料。

4. 发明专利

TW201306279A 太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201306279A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100125581
申请日：2011-07-20
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：林思賢 , LIN, SZU HSIEN , 吳慶應 , WU, CHING IN , 莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池的製造方法係先在一基板上形成一第一電極層，並且導入一二氧化碳電漿、一氫氣氣體與一矽烷氣體，藉以在第一電極層上形成一緩衝層，使緩衝層主要包含非晶矽、碳化矽與二氧化矽；接著，在緩衝層上依序沉積出一P型非晶矽層、一本質型非晶矽層與一N型非晶矽層，藉以形成一非晶矽主動層，並且在非晶矽主動層上依序沉積出一P型微晶矽層、一本質型微晶矽層與一N型微晶矽層，藉以形成一微晶矽主動層；最後，在微晶矽主動層上形成一第二電極層。此外，本發明還揭露了利用上述方式製造出之太陽能電池的結構。
简体摘要：一种太阳能电池的制造方法系先在一基板上形成一第一电极层，并且导入一二氧化碳等离子、一氢气气体与一硅烷气体，借以在第一电极层上形成一缓冲层，使缓冲层主要包含非晶硅、碳化硅与二氧化硅；接着，在缓冲层上依序沉积出一P型非晶硅层、一本质型非晶硅层与一N型非晶硅层，借以形成一非晶硅主动层，并且在非晶硅主动层上依序沉积出一P型微晶硅层、一本质型微晶硅层与一N型微晶硅层，借以形成一微晶硅主动层；最后，在微晶硅主动层上形成一第二电极层。此外，本发明还揭露了利用上述方式制造出之太阳能电池的结构。

5. 发明专利

TW201327878A 薄膜太陽能電池审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池
公开(公告)号：TW201327878A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100148429
申请日：2011-12-23
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG
IPC分类号： H01L31/052
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種薄膜太陽能電池，包括有一基板、一第一光反射層、一光電轉換區塊與一第二光反射層。第一光反射層與第二光反射層係分別配置光電轉換區塊之二側。光電轉換區塊具有多個光電轉換單元，且每一光電轉換單元之間具有至少一溝槽。當基板接收一太陽光時，第一光反射層與第二光反射層係各自用以反射太陽光中具有一第一波長範圍與一第二波長範圍之光線。如此一來，反射光線透過溝槽入射觀視者的眼睛，觀視者在視覺上即可混合第一波長範圍與第二波長範圍對應的色彩，而在混色後產生多元的視覺色彩效果。
简体摘要：一种薄膜太阳能电池，包括有一基板、一第一光反射层、一光电转换区块与一第二光反射层。第一光反射层与第二光反射层系分别配置光电转换区块之二侧。光电转换区块具有多个光电转换单元，且每一光电转换单元之间具有至少一沟槽。当基板接收一太阳光时，第一光反射层与第二光反射层系各自用以反射太阳光中具有一第一波长范围与一第二波长范围之光线。如此一来，反射光线透过沟槽入射观视者的眼睛，观视者在视觉上即可混合第一波长范围与第二波长范围对应的色彩，而在混色后产生多元的视觉色彩效果。

6. 发明专利

TW201327849A 太陽能電池审中-公开
简体标题：太阳能电池
公开(公告)号：TW201327849A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100146767
申请日：2011-12-16
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG , 張志雄 , CHANG, CHIH HSIUNG , 林昆志 , LIN, KUN CHIH
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池，包含一基板、一第一電極層、一第二電極層、一穿隧二極體層以及一主動層。第一電極層係設置於基板上，第二電極層係設置於第一電極層上。穿隧二極體層係設置於第一電極層與第二電極層之間，且穿隧二極體層包含一第一型穿隧層以及一設置於第一型穿隧層之第二型穿隧層。主動層係設置於第一電極層與第二電極層之間，且主動層包含一設置於第二型穿隧層之第二型半導體層以及一設置於第二型半導體層之第一型半導體層。其中，當第一型穿隧層鄰接於第一電極層與第二電極層中之一者時，則第一型半導體層鄰接於第一電極層與第二電極層中之另一者。
简体摘要：一种太阳能电池，包含一基板、一第一电极层、一第二电极层、一穿隧二极管层以及一主动层。第一电极层系设置于基板上，第二电极层系设置于第一电极层上。穿隧二极管层系设置于第一电极层与第二电极层之间，且穿隧二极管层包含一第一型穿隧层以及一设置于第一型穿隧层之第二型穿隧层。主动层系设置于第一电极层与第二电极层之间，且主动层包含一设置于第二型穿隧层之第二型半导体层以及一设置于第二型半导体层之第一型半导体层。其中，当第一型穿隧层邻接于第一电极层与第二电极层中之一者时，则第一型半导体层邻接于第一电极层与第二电极层中之另一者。

7. 发明专利

TW201323840A 太陽光模擬器的校正方法审中-公开
简体标题：太阳光仿真器的校正方法
公开(公告)号：TW201323840A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100146210
申请日：2011-12-14
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG , 張志雄 , CHANG, CHIH HSIUNG , 林昆志 , LIN, KUN CHIH
IPC分类号： G01J3/30 , G01J1/18 , F21S8/00
摘要：一種太陽光模擬器的校正方法，包括：提供至少一校正模組，該校正模組為一多接面太陽能電池，且該校正模組係以一標準太陽光模擬器量測，而具有對應一頻譜範圍的一最小輸出電流；利用一待校正太陽光模擬器對該校正模組進行電流量測，以獲得一量測電流；將該量測電流與該最小輸出電流進行一比對步驟，其中當該校正模組的該量測電流與該最小輸出電流不同時，則判定該待校正太陽光模擬器在所對應的該頻譜範圍的光強度出現變異；以及對出現變異的該頻譜範圍的光強度進行一調整步驟。
简体摘要：一种太阳光仿真器的校正方法，包括：提供至少一校正模块，该校正模块为一多接面太阳能电池，且该校正模块系以一标准太阳光仿真器量测，而具有对应一频谱范围的一最小输出电流；利用一待校正太阳光仿真器对该校正模块进行电流量测，以获得一量测电流；将该量测电流与该最小输出电流进行一比对步骤，其中当该校正模块的该量测电流与该最小输出电流不同时，则判定该待校正太阳光仿真器在所对应的该频谱范围的光强度出现变异；以及对出现变异的该频谱范围的光强度进行一调整步骤。

8. 发明专利

TW201306282A 薄膜太陽能電池及其製作方法审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TW201306282A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100127116
申请日：2011-07-29
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：蔡進耀 , TSAI, CHIN YAO , 張智偉 , CHANG, CHIH WEI , 吳慶應 , WU, CHING IN , 莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG , 張志雄 , CHANG, CHIH HSIUNG , 林昆志 , LIN, KUN CHIH
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03767 , C07C211/04 , C07C211/05 , H01L31/048 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種薄膜太陽能電池包括本體以及高分子層，本體包括第一電極層、光電轉換層與第二電極層，高分子層包括硬化材料與介面材料。光電轉換層配置於第一電極層與第二電極層之間，高分子層包覆光電轉換層的周圍，其中介面材料用以鍵結(bond)硬化材料與光電轉換層。因此，上述薄膜太陽能電池可減少光電轉換層於光電轉換程序中所產生的斯特博勒-朗斯基效應(Staebler-Wronski Effect)，進而提高光電轉換效率。
简体摘要：一种薄膜太阳能电池包括本体以及高分子层，本体包括第一电极层、光电转换层与第二电极层，高分子层包括硬化材料与界面材料。光电转换层配置于第一电极层与第二电极层之间，高分子层包覆光电转换层的周围，其中界面材料用以键结(bond)硬化材料与光电转换层。因此，上述薄膜太阳能电池可减少光电转换层于光电转换进程中所产生的斯特博勒-朗斯基效应(Staebler-Wronski Effect)，进而提高光电转换效率。

9. 发明专利

TW201324809A 太陽能電池缺陷的修補方法审中-公开
简体标题：太阳能电池缺陷的修补方法
公开(公告)号：TW201324809A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100146333
申请日：2011-12-14
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池缺陷的修補方法，包括下列步驟。將一太陽能電池置入一鈍化氣體浸沒製程裝置中。於一預定壓力及一預定溫度下，將一高活性包覆氣體施加於太陽能電池，以進行缺陷修補。藉此，可有效降低光衰減效應。
简体摘要：一种太阳能电池缺陷的修补方法，包括下列步骤。将一太阳能电池置入一钝化气体浸没制程设备中。于一预定压力及一预定温度下，将一高活性包覆气体施加于太阳能电池，以进行缺陷修补。借此，可有效降低光衰减效应。

10. 发明专利

TW201324808A 太陽能電池审中-公开
简体标题：太阳能电池
公开(公告)号：TW201324808A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100146331
申请日：2011-12-14
申请人：宇通光能股份有限公司 , AURIA SOLAR CO., LTD.
发明人：莊凱翔 , CHUANG, KAI HSIANG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池，包括一基板、一前電極層、一第一半導體層、一第二半導體層、一第三半導體層以及一背電極層。前電極層配置於基板上。第一半導體層配置於前電極層上。第二半導體層配置於第一半導體層上，其中第二半導體層的厚度介於5nm至20nm之間，且第二半導體層之材料的能隙小於0.7eV。第三半導體層配置於第二半導體上。背電極層配置於第三半導體層上。
简体摘要：一种太阳能电池，包括一基板、一前电极层、一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层以及一背电极层。前电极层配置于基板上。第一半导体层配置于前电极层上。第二半导体层配置于第一半导体层上，其中第二半导体层的厚度介于5nm至20nm之间，且第二半导体层之材料的能隙小于0.7eV。第三半导体层配置于第二半导体上。背电极层配置于第三半导体层上。

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