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1. 发明专利

TWI452319B 磁阻感測元件有权
简体标题：磁阻传感组件
公开(公告)号：TWI452319B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW101146943
申请日：2012-12-12
申请人：宇能電科技股份有限公司 , VOLTAFIELD TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：李乾銘 , LEE, CHIEN MIN , 劉富臺 , LIOU, FU TAI , 汪大鏞 , WONG, TA YUNG
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
CPC分类号： G01R33/096 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093

2. 发明专利

TW201716780A 具有磁性感測機制的運動以及環境感測器审中-公开
简体标题：具有磁性传感机制的运动以及环境传感器
公开(公告)号：TW201716780A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136233
申请日：2015-11-03
申请人：宇能電科技股份有限公司
发明人：傅乃中 , FU, NAI-CHUNG , 施智超 , SHIH, CHIH-CHAO , 劉富臺 , LIOU, FU-TAI , 汪大鏞 , WONG, TA-YUNG
IPC分类号： G01P15/105 , G01N27/72
摘要：本發明提供一種具有磁性感測機制的運動感測器，包括磁場產生部、設置於磁場產生部一側之磁性感測模組以及形成於磁性感測模組上之罩體。罩體內具有流體，與磁場形成一空間磁通密度(magnetic flux density)。當感測器藉由外力產生運動時，罩體內流體的濃度分佈產生改變，進而改變空間磁通密度之分佈而被磁性感測模組偵測。根據磁性感測模組所產生的感測訊號，可以決定出該感測器之至少一維度的運動狀態。在另一實施例中，磁性感測模組上更具有參考結構，以構成具有磁性感測機制的環境感測器，用以偵測相應於參考結構的參考磁場與通過該感測器之流體的磁通密度關係，可以分析流體內含之特定成份。
简体摘要：本发明提供一种具有磁性传感机制的运动传感器，包括磁场产生部、设置于磁场产生部一侧之磁性传感模块以及形成于磁性传感模块上之罩体。罩体内具有流体，与磁场形成一空间磁通密度(magnetic flux density)。当传感器借由外力产生运动时，罩体内流体的浓度分布产生改变，进而改变空间磁通密度之分布而被磁性传感模块侦测。根据磁性传感模块所产生的传感信号，可以决定出该传感器之至少一维度的运动状态。在另一实施例中，磁性传感模块上更具有参考结构，以构成具有磁性传感机制的环境传感器，用以侦测相应于参考结构的参考磁场与通过该传感器之流体的磁通密度关系，可以分析流体内含之特定成份。

3. 发明专利

TWI448714B 磁阻感測元件及其形成方法有权
简体标题：磁阻传感组件及其形成方法
公开(公告)号：TWI448714B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW101117790
申请日：2012-05-18
申请人：宇能電科技股份有限公司 , VOLTAFIELD TECHNOLOGY CORP.
发明人：劉富臺 , LIOU, FU TAI , 汪大鏞 , WONG, TA YUNG , 彭偉棟 , PENG, WEI TUNG , 湯泰郎 , TANG, TAI LANG
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0035 , G01R33/09 , H01L43/08 , Y10T29/413 , Y10T29/49155

4. 发明专利

TW201248177A 磁阻感測元件及其形成方法 MAGNETO-RESISTANCE SENSING DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：磁阻传感组件及其形成方法 MAGNETO-RESISTANCE SENSING DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201248177A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101117790
申请日：2012-05-18
申请人：宇能電科技股份有限公司
发明人：劉富臺 , 汪大鏞 , 彭偉棟 , 湯泰郎
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R33/0035 , G01R33/09 , H01L43/08 , Y10T29/413 , Y10T29/49155
摘要：磁阻感測元件及其形成方法,用以於具有第一介電層之基板上方形成一多功能電路結構與磁阻結構,且多功能電路結構與磁阻結構形成上下交疊之配置。
简体摘要：磁阻传感组件及其形成方法,用以于具有第一介电层之基板上方形成一多功能电路结构与磁阻结构,且多功能电路结构与磁阻结构形成上下交叠之配置。

5. 发明专利

TWI693418B 校正磁場產生裝置及其具有自我校正磁場能力的磁場感測器與校正方法有权
简体标题：校正磁场产生设备及其具有自我校正磁场能力的磁场传感器与校正方法
公开(公告)号：TWI693418B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108110181
申请日：2019-03-22
申请人：宇能電科技股份有限公司 , VOLTAFIELD TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：傅乃中 , FU, NAI-CHUNG , 郭明諭 , KUO, MING-YU , 汪大鏞 , WONG, TA-YUNG
IPC分类号： G01R35/02 , G01R33/09

6. 发明专利

TWI567392B 具有磁性感測機制的運動以及環境感測器有权
简体标题：具有磁性传感机制的运动以及环境传感器
公开(公告)号：TWI567392B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104136233
申请日：2015-11-03
申请人：宇能電科技股份有限公司
发明人：傅乃中 , FU, NAI-CHUNG , 施智超 , SHIH, CHIH-CHAO , 劉富臺 , LIOU, FU-TAI , 汪大鏞 , WONG, TA-YUNG
IPC分类号： G01P15/105 , G01N27/72

7. 发明专利

TWI449067B 自旋閥磁阻感測器失效
简体标题：自旋阀磁阻传感器
公开(公告)号：TWI449067B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100119286
申请日：2011-06-01
申请人：宇能電科技股份有限公司 , VOLTAFIELD TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳光鏡 , CHEN, KUANG CHING , 汪大鏞 , WONG, TA YUNG , 湯泰郎 , TANG, TAI LANG , 李乾銘 , LEE, CHIEN MIN
IPC分类号： H01F21/04
CPC分类号： G01R33/096 , Y10T428/24942

8. 发明专利

TW201329481A 磁阻感測元件审中-公开
简体标题：磁阻传感组件
公开(公告)号：TW201329481A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101146943
申请日：2012-12-12
申请人：宇能電科技股份有限公司 , VOLTAFIELD TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：李乾銘 , LEE, CHIEN MIN , 劉富臺 , LIOU, FU TAI , 汪大鏞 , WONG, TA YUNG
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
CPC分类号： G01R33/096 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093
摘要：一種磁阻感測元件，包含基材、磁性層、第一電極以及第二電極。基材具有一個基準平面，其中第一電極和第二電極皆位於基準平面上方。磁性層位於基準平面上，並與基準平面夾一個非平角，且具有一個磁化方向以及一個用來導通第一電極與第二電極的電流導通路徑，其中此一電流導通路徑與磁化方向夾一個角度。
简体摘要：一种磁阻传感组件，包含基材、磁性层、第一电极以及第二电极。基材具有一个基准平面，其中第一电极和第二电极皆位于基准平面上方。磁性层位于基准平面上，并与基准平面夹一个非平角，且具有一个磁化方向以及一个用来导通第一电极与第二电极的电流导通路径，其中此一电流导通路径与磁化方向夹一个角度。

9. 发明专利

TW201250730A 自旋閥磁阻感測器 SPIN-VAVLE MAGNETIC SENSOR 失效
简体标题：自旋阀磁阻传感器 SPIN-VAVLE MAGNETIC SENSOR
公开(公告)号：TW201250730A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100119286
申请日：2011-06-01
申请人：宇能電科技股份有限公司
发明人：陳光鏡 , 汪大鏞 , 湯泰郎 , 李乾銘
IPC分类号： H01F
CPC分类号： G01R33/096 , Y10T428/24942
摘要：一種自旋閥磁阻構造,包含第一磁阻層、第二磁阻層。第一磁阻層具有固定之第一磁化方向,第二磁阻層配置於第一磁阻層之一側,其具有第二磁化方向,在外加磁場為零時,第二磁化方向和第一磁化方向間之夾角範圍為30~60度或120~150度,且第二磁化方向因應外加磁場之强弱而產生和第一磁化方向間之夾角變化,進而改變自旋閥磁阻構造之電阻値。
简体摘要：一种自旋阀磁阻构造,包含第一磁阻层、第二磁阻层。第一磁阻层具有固定之第一磁化方向,第二磁阻层配置于第一磁阻层之一侧,其具有第二磁化方向,在外加磁场为零时,第二磁化方向和第一磁化方向间之夹角范围为30~60度或120~150度,且第二磁化方向因应外加磁场之强弱而产生和第一磁化方向间之夹角变化,进而改变自旋阀磁阻构造之电阻値。

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