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1. 发明专利

TWI544113B 薄膜高分子層積薄膜電容器的製造方法及薄膜高分子層積薄膜電容器有权
简体标题：薄膜高分子层积薄膜电容器的制造方法及薄膜高分子层积薄膜电容器
公开(公告)号：TWI544113B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104103883
申请日：2015-02-05
申请人：如碧空股份有限公司 , RUBYCON CORPORATION
发明人：富本茂也 , TOMIMOTO, SHIGEYA , 加古智直 , KAKO, TOMONAO
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C14/14 , C08J3/24 , C08F20/18 , B32B15/082 , B32B27/16 , B32B27/30 , H01G4/30 , H01G4/33
CPC分类号： H01G4/306 , C09D135/02 , H01G4/145 , H01G4/18 , H01G13/00

2. 发明专利

TW201531593A 薄膜高分子層積薄膜電容器的製造方法及薄膜高分子層積薄膜電容器审中-公开
简体标题：薄膜高分子层积薄膜电容器的制造方法及薄膜高分子层积薄膜电容器
公开(公告)号：TW201531593A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW104103883
申请日：2015-02-05
申请人：如碧空股份有限公司 , RUBYCON CORPORATION
发明人：富本茂也 , TOMIMOTO, SHIGEYA , 加古智直 , KAKO, TOMONAO
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C14/14 , C08J3/24 , C08F20/18 , B32B15/082 , B32B27/16 , B32B27/30 , H01G4/30 , H01G4/33
CPC分类号： H01G4/306 , C09D135/02 , H01G4/145 , H01G4/18 , H01G13/00
摘要：一種薄膜高分子層積電容器的製造方法，包含層積體製造工序，該層積體製造工序是在真空室內，通過在轉鼓上交替地重複進行對單體進行蒸鍍形成單體層後向該單體層照射電子束使得所述單體層硬化從而形成樹脂薄膜層的樹脂薄膜層形成工序、以及對金屬材料進行蒸鍍從而形成金屬薄膜層的金屬薄膜層形成工序，從而在轉鼓上製造由樹脂薄膜層與金屬薄膜層交替層積而成的層積體。在樹脂薄膜層形成工序中，使用具有以如下化學式（1）表示的脂環烴結構的二甲基丙烯酸化合物作為單體從而形成單體層。【式1】而在化學式（1）中，符號A表示含有脂環烴的有機基團。根據本發明，能夠將所得到的樹脂薄膜層的硬化度充分地提高，因此，能夠製造具有所需性能的薄膜高分子層積電容器。
简体摘要：一种薄膜高分子层积电容器的制造方法，包含层积体制造工序，该层积体制造工序是在真空室内，通过在转鼓上交替地重复进行对单体进行蒸镀形成单体层后向该单体层照射电子束使得所述单体层硬化从而形成树脂薄膜层的树脂薄膜层形成工序、以及对金属材料进行蒸镀从而形成金属薄膜层的金属薄膜层形成工序，从而在转鼓上制造由树脂薄膜层与金属薄膜层交替层积而成的层积体。在树脂薄膜层形成工序中，使用具有以如下化学式（1）表示的脂环烃结构的二甲基丙烯酸化合物作为单体从而形成单体层。【式1】而在化学式（1）中，符号A表示含有脂环烃的有机基团。根据本发明，能够将所得到的树脂薄膜层的硬化度充分地提高，因此，能够制造具有所需性能的薄膜高分子层积电容器。

3. 发明专利

TWI349294B 積層薄膜電容器之製造方法 METHOD FOR PRODUCING A MULTILAYERED FILM CAPACITOR 失效
简体标题：积层薄膜电容器之制造方法 METHOD FOR PRODUCING A MULTILAYERED FILM CAPACITOR
公开(公告)号：TWI349294B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：TW095149284
申请日：2006-12-27
申请人：如碧空股份有限公司
发明人：木下宣之 , 飯澤一之 , 手塚剛典 , 富本茂也 , 加古智直
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/008 , H01G4/18 , H01G9/0029
摘要：本發明係在積層電介質層與含鋁之金屬層而製成之積層薄膜電容器之製造方法中，至少包含以含磷酸化合物之溶液，尤其是以含磷酸、磷酸鹽或磷酸酯化合物中之任一種之溶液，更尤其是以含磷酸氫鋁之溶液處理之步驟。其特徵在於磷酸氫鋁係磷酸一氫鋁(Al2(HPO4)3)或磷酸二氫鋁(Al(H2PO4)3)；在以含前述磷酸氫鋁之溶液處理之步驟後，設置加熱步驟；前述加熱步驟時之電容器元件表面之最高溫度為200℃~280℃。
简体摘要：本发明系在积层电介质层与含铝之金属层而制成之积层薄膜电容器之制造方法中，至少包含以含磷酸化合物之溶液，尤其是以含磷酸、磷酸盐或磷酸酯化合物中之任一种之溶液，更尤其是以含磷酸氢铝之溶液处理之步骤。其特征在于磷酸氢铝系磷酸一氢铝(Al2(HPO4)3)或磷酸二氢铝(Al(H2PO4)3)；在以含前述磷酸氢铝之溶液处理之步骤后，设置加热步骤；前述加热步骤时之电容器组件表面之最高温度为200℃~280℃。

4. 发明专利

TWI425537B 堆疊電容器、堆疊電容器的製造方法、電路板以及電子設備有权
简体标题：堆栈电容器、堆栈电容器的制造方法、电路板以及电子设备
公开(公告)号：TWI425537B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW099135228
申请日：2010-10-15
申请人：紅寶石股份有限公司 , RUBYCON CORPORATION
发明人：手塚剛典 , TEZUKA, TAKENORI , 伊藤千治 , ITO, CHIHARU , 加古智直 , KAKO, TOMONAO
IPC分类号： H01G4/30
CPC分类号： H01G4/30 , H01G2/065 , H01G4/232

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