专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW573162B 薄膜電晶體液晶顯示裝置及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管液晶显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW573162B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW089108716
申请日：2000-05-05
申请人：奇美電子股份有限公司 CHI MEI OPTOELECTRONICS CORPORATION
发明人：吳炳昇 WU, BIING SENG , 丁景隆 TING, CHIN LUNG , 古橋弘幸 FURUHASHI, HIROYUKI
IPC分类号： G02F
CPC分类号： H01L27/12 , G02F1/136204 , G02F1/136227
摘要：本發明揭露一種可防止金屬層與透明導體層短路之薄膜電晶體液晶顯示裝置及其製程。該薄膜電晶體液晶顯示裝置係利用絕緣層完全覆蓋金屬層，僅保留部分金屬層區域作為導通金屬層之接觸窗口，其利用透明導體層形成像素電極以及形成連接接觸窗口之導電連接線。因此，即使在蝕刻透明導體層時產生殘留，亦不會造成金屬層與透明導體層短路，藉以提高產品良率。另外，本發明薄膜電晶體液晶顯示裝置還在高摻雜半導體層與透明導電層之間沉積第二金屬層，藉由該第二金屬層與透明導體層之接觸，進而降低由透明導體層形成之導電連接線的電阻。
简体摘要：本发明揭露一种可防止金属层与透明导体层短路之薄膜晶体管液晶显示设备及其制程。该薄膜晶体管液晶显示设备系利用绝缘层完全覆盖金属层，仅保留部分金属层区域作为导通金属层之接触窗口，其利用透明导体层形成像素电极以及形成连接接触窗口之导电连接线。因此，即使在蚀刻透明导体层时产生残留，亦不会造成金属层与透明导体层短路，借以提高产品良率。另外，本发明薄膜晶体管液晶显示设备还在高掺杂半导体层与透明导电层之间沉积第二金属层，借由该第二金属层与透明导体层之接触，进而降低由透明导体层形成之导电连接线的电阻。

2. 发明专利

TWI255935B 平面顯示器上具有修補層之定址線的製造方法與結構失效
简体标题：平面显示器上具有修补层之寻址线的制造方法与结构
公开(公告)号：TWI255935B
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW089118679
申请日：2000-09-13
申请人：奇美電子股份有限公司 CHI MEI OPTOELECTRONICS CORPORATION
发明人：吳炳昇 WU, BIING SENG
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/136259 , G02F1/136286 , G02F2001/136272 , G02F2001/13629
摘要：一種平面顯示器上具有修補層之定址線的製造方法與結構，適用於一基材上，其中製造方法之步驟如下。首先於基材上形成第一定址線與第一修補層，此第一修補層與第一定址線電性絕緣，且被第一定址線分隔為不同區段。接著於基材上形成第一絕緣層，其至少覆蓋住第一定址線與第一修補層，再於第一絕緣層上形成第二定址線，此第二定址線位於第一修補層上方，且與第一定址線相互交錯。接下來於基材上形成第二絕緣層，其至少覆蓋住第二定址線，再於第二定址線上方之第二絕緣層上形成第二修補層，此第二修補層跨越過第一定址線上方。
简体摘要：一种平面显示器上具有修补层之寻址线的制造方法与结构，适用于一基材上，其中制造方法之步骤如下。首先于基材上形成第一寻址线与第一修补层，此第一修补层与第一寻址线电性绝缘，且被第一寻址线分隔为不同区段。接着于基材上形成第一绝缘层，其至少覆盖住第一寻址线与第一修补层，再于第一绝缘层上形成第二寻址线，此第二寻址线位于第一修补层上方，且与第一寻址线相互交错。接下来于基材上形成第二绝缘层，其至少覆盖住第二寻址线，再于第二寻址在线方之第二绝缘层上形成第二修补层，此第二修补层跨越过第一寻址在线方。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式