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1. 发明专利

TWI690088B 嵌入式旁路二極體有权
简体标题：嵌入式旁路二极管
公开(公告)号：TWI690088B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW104117268
申请日：2015-05-28
申请人：美商太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：林承範 , RIM, SEUNG BUM , 哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL
IPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/042 , H01L31/044 , H01L31/18

2. 发明专利

TWI618259B 太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI618259B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105123826
申请日：2011-09-28
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL , 史密斯大衛 , SMITH, DAVID , 丹尼斯提姆 , DENNIS, TIM , 沃德華爾安 , WALDHAUER, ANN , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 可森斯彼得 , COUSINS, PETER
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521

3. 发明专利

TWI555219B 製造太陽能電池之方法與結構有权
简体标题：制造太阳能电池之方法与结构
公开(公告)号：TWI555219B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100134983
申请日：2011-09-28
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL , 史密斯大衛 , SMITH, DAVID , 丹尼斯提姆 , DENNIS, TIM , 沃德華爾安 , WALDHAUER, ANN , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 可森斯彼得 , COUSINS, PETER
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521

4. 发明专利

TWI674679B 太陽能電池的以箔為基礎的金屬化有权
简体标题：太阳能电池的以箔为基础的金属化
公开(公告)号：TWI674679B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW104109934
申请日：2015-03-27
申请人：美商太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 希沃理察漢莫頓 , SEWELL, RICHARD HAMILTON , 莫斯麥克 , MORSE, MICHAEL , 史密斯大衛 D , SMITH, DAVID D. , 摩爾斯馬修 , MOORS, MATTHIEU , 馬歇涅爾延斯-德克 , MOSCHNER, JENS-DIRK
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/04

5. 发明专利

TW201626590A 差異化P型與N型架構之太陽能電池射極區域之製備與整合點擴散法审中-公开
简体标题：差异化P型与N型架构之太阳能电池射极区域之制备与集成点扩散法
公开(公告)号：TW201626590A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104130858
申请日：2015-09-18
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：衛斯特伯格史黛芬 , WESTERBERG, STAFFAN , 哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL
IPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/0392 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1872 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：描述以差異化P型與N型架構及整合點擴散法來製備太陽能電池的射極區域的方法、及其所得之太陽能電池。在一實例中，太陽能電池包含具有光接收表面及背面的基板。第一導電型的第一多晶矽射極區域設置在於基板的背面上所設置的第一薄介電層上。相異之第二導電型的第二多晶矽射極區域設置在於基板的背面中複數個非連續溝槽中所設置的第二薄介電層上。
简体摘要：描述以差异化P型与N型架构及集成点扩散法来制备太阳能电池的射极区域的方法、及其所得之太阳能电池。在一实例中，太阳能电池包含具有光接收表面及背面的基板。第一导电型的第一多晶硅射极区域设置在于基板的背面上所设置的第一薄介电层上。相异之第二导电型的第二多晶硅射极区域设置在于基板的背面中复数个非连续沟槽中所设置的第二薄介电层上。

6. 发明专利

TW201505196A 光伏電池和層板金屬化审中-公开
简体标题：光伏电池和层板金属化
公开(公告)号：TW201505196A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103121341
申请日：2014-06-20
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL
IPC分类号： H01L31/0463 , H01L31/048
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0201 , H01L31/0203 , H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/0516 , Y02E10/50
摘要：本發明係揭露一種光伏層板。實施例包含將第一封裝材料置於包含光伏層板之前側之實質透明層上。實施例也包含將第一太陽能電池置於第一封裝材料上。實施例包含將金屬薄片置於第一太陽能電池上，其中金屬薄板均勻地接觸第一太陽能電池之背側。實施例包含形成耦接金屬薄板至第一太陽能電池之金屬接合。在一些實施例中，形成金屬薄板包含使用雷射源而形成金屬接觸區域，其中所形成的金屬接觸區域電性耦接金屬薄片至第一太陽能電池。實施例也包含將襯底材料置於金屬薄片上。實施例更包含形成襯底層於襯底材料上以及固化實質透明層、第一封裝材料、第一太陽能電池、金屬薄片、襯底材料以及襯底層以形成光伏層板。
简体摘要：本发明系揭露一种光伏层板。实施例包含将第一封装材料置于包含光伏层板之前侧之实质透明层上。实施例也包含将第一太阳能电池置于第一封装材料上。实施例包含将金属薄片置于第一太阳能电池上，其中金属薄板均匀地接触第一太阳能电池之背侧。实施例包含形成耦接金属薄板至第一太阳能电池之金属接合。在一些实施例中，形成金属薄板包含使用激光源而形成金属接触区域，其中所形成的金属接触区域电性耦接金属薄片至第一太阳能电池。实施例也包含将衬底材料置于金属薄片上。实施例更包含形成衬底层于衬底材料上以及固化实质透明层、第一封装材料、第一太阳能电池、金属薄片、衬底材料以及衬底层以形成光伏层板。

7. 发明专利

TW202015251A 光伏組列审中-公开
简体标题：光伏组列
公开(公告)号：TW202015251A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108147231
申请日：2015-09-24
申请人：美商太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：帕斯湯馬斯 P , PASS, THOMAS P. , 哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL , 卡夫雷克大衛弗雷德里克喬爾 , KAVULAK, DAVID FREDRIC JOEL , 希沃理察漢莫頓 , SEWELL, RICHARD HAMILTON
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/05 , H01L31/18 , B23K31/02
摘要：本發明揭露一種光伏組列，包含第一太陽能電池、第二太陽能電池以及一或多個接合點。第一太陽能電池包含第一導電箔，第一導電箔係單層之材料，且具有耦接至第一太陽能電池之背側之半導體區之第一部分，以及延伸出第一太陽能電池之邊緣之第二部分。第二太陽能電池包含第二導電箔，第二導電箔係單層之材料，且具有耦接至第二太陽能電池之背側之半導體區之第一部分，以及延伸出第二太陽能電池之邊緣之第二部分。一或多個接合點係耦接第一導電箔之第二部分及第二導電箔之第二部分。
简体摘要：本发明揭露一种光伏组列，包含第一太阳能电池、第二太阳能电池以及一或多个接合点。第一太阳能电池包含第一导电箔，第一导电箔系单层之材料，且具有耦接至第一太阳能电池之背侧之半导体区之第一部分，以及延伸出第一太阳能电池之边缘之第二部分。第二太阳能电池包含第二导电箔，第二导电箔系单层之材料，且具有耦接至第二太阳能电池之背侧之半导体区之第一部分，以及延伸出第二太阳能电池之边缘之第二部分。一或多个接合点系耦接第一导电箔之第二部分及第二导电箔之第二部分。

8. 发明专利

TW201721895A 太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201721895A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105120074
申请日：2016-06-24
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：希沃理察漢莫頓 , SEWELL, RICHARD HAMILTON , 卡夫雷克大衛費德列克喬 , KAVULAK, DAVID FEDRIC JOEL , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547
摘要：基於留存蝕刻遮罩製造以箔為基底金屬化的太陽能電池之方法、及產生的太陽能電池被描述。在一示例中，一種太陽能電池，其包含具有後表面以及相對的光接收表面的基板。複數個交替的N型和P型半導體區域設置在該基板的後表面上或上方。導電接觸結構設置在複數個交替的N型和P型半導體區域上。導電接觸結構包含與對應的交替的N型和P型半導體區域對準的金屬箔部分。圖案化耐濕式蝕刻聚合物層設置在導電接觸結構上。部分的圖案化耐濕式蝕刻聚合物層設置在金屬箔部分上並與其對準。
简体摘要：基于留存蚀刻遮罩制造以箔为基底金属化的太阳能电池之方法、及产生的太阳能电池被描述。在一示例中，一种太阳能电池，其包含具有后表面以及相对的光接收表面的基板。复数个交替的N型和P型半导体区域设置在该基板的后表面上或上方。导电接触结构设置在复数个交替的N型和P型半导体区域上。导电接触结构包含与对应的交替的N型和P型半导体区域对准的金属箔部分。图案化耐湿式蚀刻聚合物层设置在导电接触结构上。部分的图案化耐湿式蚀刻聚合物层设置在金属箔部分上并与其对准。

9. 发明专利

TW201721892A 用於太陽能電池之一維金屬化审中-公开
简体标题：用于太阳能电池之一维金属化
公开(公告)号：TW201721892A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105120088
申请日：2016-06-24
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION , 道達爾行銷服務公司 , TOTAL MARKETING SERVICES
发明人：希沃理察漢莫頓 , SEWELL, RICHARD HAMILTON , 卡夫雷克大衛費德列克喬 , KAVULAK, DAVID FREDRIC JOEL , 阿布拉路易斯 , ABRA, LEWIS , 帕斯湯馬斯 P , PASS, THOMAS P. , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 摩爾斯馬修 , MOORS, MATTHIEU , 夏班傑明伊恩 , HSIA, BENJAMIN IAN , 哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0392 , H01L31/06 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要：揭露一種製造用於太陽能電池的一維金屬化之方法，以及所產生的太陽能電池。在一示例中，太陽能電池包含具有背面以及相對的光接收表面之基板。複數個交替N型以及P型半導體區域設置在基板之背面或背面上方並沿著第一方向平行，以形成用於太陽能電池之一維分佈之放射極區。導電接觸結構設置於複數個交替N型以及P型半導體區域上。導電接觸結構包含對應到交替N型以及P型半導體區域之複數個金屬線。複數個金屬線沿著第一方向平行，以形成用於太陽能電池之一維分佈之金屬化層。
简体摘要：揭露一种制造用于太阳能电池的一维金属化之方法，以及所产生的太阳能电池。在一示例中，太阳能电池包含具有背面以及相对的光接收表面之基板。复数个交替N型以及P型半导体区域设置在基板之背面或背面上方并沿着第一方向平行，以形成用于太阳能电池之一维分布之放射极区。导电接触结构设置于复数个交替N型以及P型半导体区域上。导电接触结构包含对应到交替N型以及P型半导体区域之复数个金属线。复数个金属线沿着第一方向平行，以形成用于太阳能电池之一维分布之金属化层。

10. 发明专利

TW201611321A 太陽能電池的以箔為基礎的金屬化审中-公开
简体标题：太阳能电池的以箔为基础的金属化
公开(公告)号：TW201611321A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104109934
申请日：2015-03-27
申请人：太陽電子公司 , SUNPOWER CORPORATION
发明人：哈利凱柏爾 , HARLEY, GABRIEL , 金泰錫 , KIM, TAESEOK , 希沃理察漢莫頓 , SEWELL, RICHARD HAMILTON , 莫斯麥克 , MORSE, MICHAEL , 史密斯大衛 D , SMITH, DAVID D. , 摩爾斯馬修 , MOORS, MATTHIEU , 馬歇涅爾延斯-德克 , MOSCHNER, JENS-DIRK
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02245 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0475 , H01L31/0512 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：描述太陽能電池的以箔為基礎金屬化的方法及所得之太陽能電池。在一個例子中，太陽能電池包含一基板。複數個交替之N-型及P-型半導體區域設置於基板中或基板上。導電接點結構設置於複數個交替之N-型及P-型半導體區域上。導電接點結構包含提供設置於各交替之N-型及P-型半導體區域上之金屬晶種材料區域之複數個金屬晶種材料區域。金屬箔片設置於複數個金屬晶種材料區域上，金屬箔片具有絕緣與交替之N-型及P-型半導體區域對應之金屬箔片的金屬區域之陽極化部分。
简体摘要：描述太阳能电池的以箔为基础金属化的方法及所得之太阳能电池。在一个例子中，太阳能电池包含一基板。复数个交替之N-型及P-型半导体区域设置于基板中或基板上。导电接点结构设置于复数个交替之N-型及P-型半导体区域上。导电接点结构包含提供设置于各交替之N-型及P-型半导体区域上之金属晶种材料区域之复数个金属晶种材料区域。金属箔片设置于复数个金属晶种材料区域上，金属箔片具有绝缘与交替之N-型及P-型半导体区域对应之金属箔片的金属区域之阳极化部分。

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