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    • 3. 发明专利
    • 氣體精製方法
    • 气体精制方法
    • TW201244802A
    • 2012-11-16
    • TW101111290
    • 2012-03-30
    • 大陽日酸股份有限公司
    • 足立貴義橋本幸惠
    • B01DB01J
    • B01D53/0462B01D53/02B01D2253/108B01D2255/50B01D2256/10B01D2256/12B01D2256/16B01D2256/18B01D2256/245B01D2257/504B01D2257/80B01D2259/402B01J20/18Y02C10/04Y02C10/08
    • 本發明之氣體精製方法係於吸附去除含於精製對象氣體中之作為雜質之二氧化碳或水時,可減少吸附劑之量,使吸附筒大幅度小型化,並可減少再生氣體量,從而可削減運轉成本者,其係使含有分壓為35 Pa以下之二氧化碳作為雜質之精製對象氣體,接觸將加熱再生溫度設定為160℃以上、240℃以下之包含陽離子為鈉之八面沸石(faujasite)型沸石的吸附劑,從而吸附去除上述二氧化碳。又,本發明之氣體精製方法係使精製對象氣體接觸包含於300℃以上之溫度下進行了初期活化之陽離子為鋰之八面沸石型沸石的吸附劑,從而吸附去除二氧化碳,且於240℃以下之溫度下進行加熱再生。
    • 本发明之气体精制方法系于吸附去除含于精制对象气体中之作为杂质之二氧化碳或水时,可减少吸附剂之量,使吸附筒大幅度小型化,并可减少再生气体量,从而可削减运转成本者,其系使含有分压为35 Pa以下之二氧化碳作为杂质之精制对象气体,接触将加热再生温度设置为160℃以上、240℃以下之包含阳离子为钠之八面沸石(faujasite)型沸石的吸附剂,从而吸附去除上述二氧化碳。又,本发明之气体精制方法系使精制对象气体接触包含于300℃以上之温度下进行了初期活化之阳离子为锂之八面沸石型沸石的吸附剂,从而吸附去除二氧化碳,且于240℃以下之温度下进行加热再生。