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    • 1. 发明专利
    • 氟甲基衍生物之製造方法
    • 氟甲基衍生物之制造方法
    • TW202003433A
    • 2020-01-16
    • TW108116296
    • 2019-05-10
    • 日商大金工業股份有限公司DAIKIN INDUSTRIES, LTD.國立大學法人佐賀大學SAGA UNIVERSITY
    • 東昌弘HIGASHI, MASAHIRO岸川洋介KISHIKAWA, YOSUKE北村二雄KITAMURA, TSUGIO
    • C07C45/63C07C29/62C07C67/307C07B61/00C07C49/80C07C69/635C07C33/46
    • 本案揭示之課題為提供一種新穎之氟甲基衍生物之製造方法。 前述課題為藉由下述方法而解決,該方法為式(1)之氟化有機化合物之製造方法, [式中, R1為有機基, R2為氫、鹵素或有機基, R3為氫、鹵素或有機基, L為單鍵、烷二基、-CO-、-CONR-、-NRCO-、-O-CO-或 -CO-O-(此等之式中,R在各出現中獨立為氫或有機基), R4為氫、鹵素、羥基或有機基, R3與R4亦可鍵結,及 RX為氫或氟基。 但,R4為氫時,L為-CO-、-CONR-、-NRCO-、-O-CO-或 -CO-O-], 且該方法包含將式(2)之烯烴化合物於超原子價碘芳香環化合物(1a)之存在下,或 在碘芳香環化合物(1b)及氧化劑(A)之存在下,與氟源[該氟源為式:MFn(該式中,M為H、周期表第一族金屬或周期表第二族金屬,及n為1或2)所表示之氟源(3a)]反應來進行氟化之步驟A, [式中,波浪線所示之單鍵表示關於此等鍵結之雙鍵之立體配置為E配置或Z配置或此等之任意比例之混合物,其他記號與前述相同含義]。
    • 本案揭示之课题为提供一种新颖之氟甲基衍生物之制造方法。 前述课题为借由下述方法而解决,该方法为式(1)之氟化有机化合物之制造方法, [式中, R1为有机基, R2为氢、卤素或有机基, R3为氢、卤素或有机基, L为单键、烷二基、-CO-、-CONR-、-NRCO-、-O-CO-或 -CO-O-(此等之式中,R在各出现中独立为氢或有机基), R4为氢、卤素、羟基或有机基, R3与R4亦可键结,及 RX为氢或氟基。 但,R4为氢时,L为-CO-、-CONR-、-NRCO-、-O-CO-或 -CO-O-], 且该方法包含将式(2)之烯烃化合物于超原子价碘芳香环化合物(1a)之存在下,或 在碘芳香环化合物(1b)及氧化剂(A)之存在下,与氟源[该氟源为式:MFn(该式中,M为H、周期表第一族金属或周期表第二族金属,及n为1或2)所表示之氟源(3a)]反应来进行氟化之步骤A, [式中,波浪线所示之单键表示关于此等键结之双键之三維配置为E配置或Z配置或此等之任意比例之混合物,其他记号与前述相同含义]。
    • 2. 发明专利
    • 光阻層合體之形成方法 METHOD OF FORMING LAMINATED RESIST
    • 光阻层合体之形成方法 METHOD OF FORMING LAMINATED RESIST
    • TW200526692A
    • 2005-08-16
    • TW093135671
    • 2004-11-19
    • 大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
    • 荒木孝之 ARAKI, TAKAYUKI高明天佐藤數行大橋美保子岸川洋介
    • C08F
    • G03F7/0046C09D133/16G03F7/091
    • 本發明係形成一種於利用真空紫外線區域光線之光微影製程,具有充分的防反射效果,而且於顯像製程中具有充分的顯像特性之光阻層合體。其為包含(I)於基板上形成光阻層(L1)之步驟、及(II)於光阻層(L1)上藉由塗佈含有具親水性基Y的含氟聚合物(A)之塗覆組成物形成防反射層(L2)之步驟的光阻層合體之形成方法,其特徵為,含氟聚合物(A)含有來自具親水性基Y的含氟乙烯性單體之結構單元,而且該含氟聚合物(A)為(i)親水性基Y含有pKa為11以下的酸性OH基、(ii)氟含有率為50質量%以上、及(iii)含氟聚合物(A)100g中之親水性基Y的莫耳數為0.14以上者。
    • 本发明系形成一种于利用真空紫外线区域光线之光微影制程,具有充分的防反射效果,而且于显像制程中具有充分的显像特性之光阻层合体。其为包含(I)于基板上形成光阻层(L1)之步骤、及(II)于光阻层(L1)上借由涂布含有具亲水性基Y的含氟聚合物(A)之涂覆组成物形成防反射层(L2)之步骤的光阻层合体之形成方法,其特征为,含氟聚合物(A)含有来自具亲水性基Y的含氟乙烯性单体之结构单元,而且该含氟聚合物(A)为(i)亲水性基Y含有pKa为11以下的酸性OH基、(ii)氟含有率为50质量%以上、及(iii)含氟聚合物(A)100g中之亲水性基Y的莫耳数为0.14以上者。
    • 9. 发明专利
    • 光阻層合體之形成方法 METHOD OF FORMING LAMINATED RESIST
    • 光阻层合体之形成方法 METHOD OF FORMING LAMINATED RESIST
    • TWI307346B
    • 2009-03-11
    • TW093135671
    • 2004-11-19
    • 大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
    • 荒木孝之 ARAKI, TAKAYUKI高明天佐藤數行大橋美保子岸川洋介
    • C08FG03F
    • G03F7/0046C09D133/16G03F7/091
    • 本發明係形成一種於利用真空紫外線區域光線之光微影製程,具有充分的防反射效果,而且於顯像製程中具有充分的顯像特性之光阻層合體。其為包含(I)於基板上形成光阻層(L1)之步驟、及(II)於光阻層(L1)上藉由塗佈含有具親水性基Y的含氟聚合物(A)之塗覆組成物形成防反射層(L2)之步驟的光阻層合體之形成方法,其特徵為,含氟聚合物(A)含有來自具親水性基Y的含氟乙烯性單體之結構單元,而且該含氟聚合物(A)為(i)親水性基Y含有pKa為11以下的酸性OH基、(ii)氟含有率為50質量%以上、及(iii)含氟聚合物(A)100g中之親水性基Y的莫耳數為0.14以上者。
    • 本发明系形成一种于利用真空紫外线区域光线之光微影制程,具有充分的防反射效果,而且于显像制程中具有充分的显像特性之光阻层合体。其为包含(I)于基板上形成光阻层(L1)之步骤、及(II)于光阻层(L1)上借由涂布含有具亲水性基Y的含氟聚合物(A)之涂覆组成物形成防反射层(L2)之步骤的光阻层合体之形成方法,其特征为,含氟聚合物(A)含有来自具亲水性基Y的含氟乙烯性单体之结构单元,而且该含氟聚合物(A)为(i)亲水性基Y含有pKa为11以下的酸性OH基、(ii)氟含有率为50质量%以上、及(iii)含氟聚合物(A)100g中之亲水性基Y的莫耳数为0.14以上者。