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1. 发明专利

TWI487115B 溝渠式功率元件及其製造方法有权
简体标题：沟渠式功率组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI487115B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102120293
申请日：2013-06-07
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：李柏賢 , LI, PO HSIEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0638 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811

2. 发明专利

TWI567979B 溝槽式功率半導體元件有权
简体标题：沟槽式功率半导体组件
公开(公告)号：TWI567979B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW105119553
申请日：2016-06-22
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：李柏賢 , LI, PO HSIEN , 楊國良 , YANG, GUO LIANG , 林偉捷 , LIN, WEI CHIEH , 林家福 , LIN, JIA FU
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28273 , H01L29/408 , H01L29/42336 , H01L29/513 , H01L29/515 , H01L29/7827 , H01L29/8725

3. 发明专利

TW201801311A 溝槽式功率半導體元件审中-公开
简体标题：沟槽式功率半导体组件
公开(公告)号：TW201801311A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119553
申请日：2016-06-22
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：李柏賢 , LI, PO HSIEN , 楊國良 , YANG, GUO LIANG , 林偉捷 , LIN, WEI CHIEH , 林家福 , LIN, JIA FU
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28273 , H01L29/408 , H01L29/42336 , H01L29/513 , H01L29/515 , H01L29/7827 , H01L29/8725
摘要：一種溝槽式功率半導體元件。溝槽式功率半導體元件的溝槽閘極結構位於一磊晶層的元件溝槽內，並至少包括遮蔽電極、遮蔽介電層、閘極電極、絕緣間隔層以及閘絕緣層。遮蔽電極設置於元件溝槽的底部，遮蔽介電層設置於元件溝槽下半部並圍繞遮蔽電極，以隔離遮蔽電極與磊晶層，其中遮蔽介電層的頂部具有一孔隙。閘極電極設置於遮蔽電極上，並通過絕緣間隔層和孔隙相隔一預定距離。絕緣間隔層設置於遮蔽介電層與閘極電極之間，以封閉孔隙。閘絕緣層位於元件溝槽的上半部並圍繞閘極電極，以隔離閘極電極與磊晶層。
简体摘要：一种沟槽式功率半导体组件。沟槽式功率半导体组件的沟槽闸极结构位于一磊晶层的组件沟槽内，并至少包括屏蔽电极、屏蔽介电层、闸极电极、绝缘间隔层以及闸绝缘层。屏蔽电极设置于组件沟槽的底部，屏蔽介电层设置于组件沟槽下半部并围绕屏蔽电极，以隔离屏蔽电极与磊晶层，其中屏蔽介电层的顶部具有一孔隙。闸极电极设置于屏蔽电极上，并通过绝缘间隔层和孔隙相隔一预定距离。绝缘间隔层设置于屏蔽介电层与闸极电极之间，以封闭孔隙。闸绝缘层位于组件沟槽的上半部并围绕闸极电极，以隔离闸极电极与磊晶层。

4. 发明专利

TW201448211A 溝渠式功率元件及其製造方法审中-公开
简体标题：沟渠式功率组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201448211A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102120293
申请日：2013-06-07
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：李柏賢 , LI, PO HSIEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0638 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811
摘要：一種溝渠式功率元件包括半導體層、溝渠式閘極結構、溝渠式源極結構、及接觸塞。半導體層包含磊晶層、基體摻雜區、源極/汲極區、及接觸摻雜區；其中，基體摻雜區抵接於磊晶層，源極/汲極區抵接於基體摻雜區，接觸摻雜區抵接於基體摻雜區且位於源極/汲極區正投影於基體摻雜區之部位外側。溝渠式閘極結構埋置於源極/汲極區與基體摻雜區並延伸埋設於磊晶層。溝渠式源極結構埋置於基體摻雜區並延伸埋設於磊晶層且抵接於接觸摻雜區。接觸塞抵接於源極/汲極區及接觸摻雜區。藉此，源極/汲極區相對於接觸塞之電位等同於基體摻雜區與溝渠式源極結構各相對於接觸塞之電位。
简体摘要：一种沟渠式功率组件包括半导体层、沟渠式闸极结构、沟渠式源极结构、及接触塞。半导体层包含磊晶层、基体掺杂区、源极/汲极区、及接触掺杂区；其中，基体掺杂区抵接于磊晶层，源极/汲极区抵接于基体掺杂区，接触掺杂区抵接于基体掺杂区且位于源极/汲极区正投影于基体掺杂区之部位外侧。沟渠式闸极结构埋置于源极/汲极区与基体掺杂区并延伸埋设于磊晶层。沟渠式源极结构埋置于基体掺杂区并延伸埋设于磊晶层且抵接于接触掺杂区。接触塞抵接于源极/汲极区及接触掺杂区。借此，源极/汲极区相对于接触塞之电位等同于基体掺杂区与沟渠式源极结构各相对于接触塞之电位。

5. 发明专利

TW201733112A 溝槽式功率半導體元件审中-公开
简体标题：沟槽式功率半导体组件
公开(公告)号：TW201733112A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105107185
申请日：2016-03-09
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：李柏賢 , LI, PO HSIEN , 林偉捷 , LIN, WEI CHIEH , 林家福 , LIN, JIA FU , 楊國良 , YANG, GUO LIANG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
摘要：一種溝槽式功率半導體元件。溝槽式功率半導體元件的溝槽閘極結構位於一磊晶層的元件溝槽內，並至少包括第一介電層、第二介電層、閘極電極、第三介電層以及遮蔽電極。第二介電層夾設於第一介電層與第三介電層之間，且構成第二介電層的材料與構成第一介電層的材料不同。第二介電層經選擇性蝕刻之後，在第一、第二及第三介電層之間定義出一凹陷區。閘極電極至少包括一位於凹陷區的導電層。遮蔽電極被第三介電層圍繞，並與閘極電極電性絕緣。
简体摘要：一种沟槽式功率半导体组件。沟槽式功率半导体组件的沟槽闸极结构位于一磊晶层的组件沟槽内，并至少包括第一介电层、第二介电层、闸极电极、第三介电层以及屏蔽电极。第二介电层夹设于第一介电层与第三介电层之间，且构成第二介电层的材料与构成第一介电层的材料不同。第二介电层经选择性蚀刻之后，在第一、第二及第三介电层之间定义出一凹陷区。闸极电极至少包括一位于凹陷区的导电层。屏蔽电极被第三介电层围绕，并与闸极电极电性绝缘。

6. 发明专利

TWI588991B 溝槽式功率半導體元件有权
简体标题：沟槽式功率半导体组件
公开(公告)号：TWI588991B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105107185
申请日：2016-03-09
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：李柏賢 , LI, PO HSIEN , 林偉捷 , LIN, WEI CHIEH , 林家福 , LIN, JIA FU , 楊國良 , YANG, GUO LIANG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78

7. 发明专利

TWI455311B 橫向擴散金屬氧化物半導體元件有权
简体标题：横向扩散金属氧化物半导体组件
公开(公告)号：TWI455311B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW099114947
申请日：2010-05-11
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.
发明人：林偉捷 , LIN, WEI CHIEH , 陳和泰 , CHEN, HO TAI , 林家福 , LIN, JIA FU , 李柏賢 , LI, PO HSIEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/088
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/0657 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/7816 , H01L29/7835

8. 发明专利

TW201140824A 橫向擴散金屬氧化物半導體元件 LATERALLY DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：横向扩散金属氧化物半导体组件 LATERALLY DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201140824A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099114947
申请日：2010-05-11
申请人：大中積體電路股份有限公司
发明人：林偉捷 , 陳和泰 , 林家福 , 李柏賢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/0657 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/7816 , H01L29/7835
摘要：本發明之橫向擴散金屬氧化物半導體元件包括一基底、一閘極介電層、一閘極多晶矽層、一源極區、一汲極區、一基體區、一第一汲極接觸插塞、一源極多晶矽層、一絕緣層、以及一源極金屬層。其中，利用於汲極區上方之閘極介電層上設置源極多晶矽層作為場板，用以提升崩潰電壓，並且可以提高汲極與源極間電容。另外，藉由本發明之第一汲極接觸插塞，可以有效的減少汲極與源極間導通電阻與橫向的延伸長度，進而降低功率的耗損且增加元件的積集度。
简体摘要：本发明之横向扩散金属氧化物半导体组件包括一基底、一闸极介电层、一闸极多晶硅层、一源极区、一汲极区、一基体区、一第一汲极接触插塞、一源极多晶硅层、一绝缘层、以及一源极金属层。其中，利用于汲极区上方之闸极介电层上设置源极多晶硅层作为场板，用以提升崩溃电压，并且可以提高汲极与源极间电容。另外，借由本发明之第一汲极接触插塞，可以有效的减少汲极与源极间导通电阻与横向的延伸长度，进而降低功率的耗损且增加组件的积集度。

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