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    • 2. 发明专利
    • 非揮發性半導體儲存裝置及用以清除其儲存內容之方法
    • 非挥发性半导体存储设备及用以清除其存储内容之方法
    • TW550572B
    • 2003-09-01
    • TW091103599
    • 2002-02-27
    • 夏普股份有限公司
    • 隅谷憲佐藤孝行
    • G11C
    • 本發明揭示一種非揮發性半導體儲存裝置,該非揮發性半導體儲存裝置包括一列解碼器,用以單獨控制複數組列選擇線群組。配合時間偏移,一由一制增壓(debooster)電路產生的負電壓被供應至個別的列選擇線群組。因此,可抑制清除電流(erase current)的峰值,所以可降低電流消耗量。在這個裝置中,增壓電路(booster circuit)的電流限制電路會限制增壓電路的電流消耗量,允許根據供應至個別列選擇線群組的電壓條件,在一指定電流值下產生一範圍內的電壓 。因此,可實現以較小的規模進一步降低電流消耗量。
    • 本发明揭示一种非挥发性半导体存储设备,该非挥发性半导体存储设备包括一列译码器,用以单独控制复数组列选择线群组。配合时间偏移,一由一制增压(debooster)电路产生的负电压被供应至个别的列选择线群组。因此,可抑制清除电流(erase current)的峰值,所以可降低电流消耗量。在这个设备中,增压电路(booster circuit)的电流限制电路会限制增压电路的电流消耗量,允许根据供应至个别列选择线群组的电压条件,在一指定电流值下产生一范围内的电压 。因此,可实现以较小的规模进一步降低电流消耗量。
    • 4. 发明专利
    • 非揮發性半導體記憶體裝置及資訊裝置
    • 非挥发性半导体内存设备及信息设备
    • TW559817B
    • 2003-11-01
    • TW091114345
    • 2002-06-28
    • 夏普股份有限公司
    • 森 康通隅谷憲田中祐慈福井 陽康
    • G11C
    • G11C8/12G11C16/08
    • 本發明揭示一種非揮發性半導體記憶體裝置,其包含複數個記憶庫,其每個包含複數個記憶體單元,一命令辨識段落,用以辨識一外部輸入的命令信號及輸出一識別信號,一內部控制段落,用以產生一控制信號來執行由該識別信號所指定的一命令,一位址控制段落,用以產生一內部位址信號到一記憶體區域,其包含要存取的該複數個記憶庫的任意組合,其係基於該外部輸入位址信號,及一第一位址反轉段落,用以反轉或非反轉該輸入位址信號的至少一特定位元之邏輯數值,並輸出該得到的輸入位址信號到該位址控制段落。預定的記憶體單元係基於該控制信號及該內部位址信號來存取。
    • 本发明揭示一种非挥发性半导体内存设备,其包含复数个记忆库,其每个包含复数个内存单元,一命令辨识段落,用以辨识一外部输入的命令信号及输出一识别信号,一内部控制段落,用以产生一控制信号来运行由该识别信号所指定的一命令,一位址控制段落,用以产生一内部位址信号到一内存区域,其包含要存取的该复数个记忆库的任意组合,其系基于该外部输入位址信号,及一第一位址反转段落,用以反转或非反转该输入位址信号的至少一特定比特之逻辑数值,并输出该得到的输入位址信号到该位址控制段落。预定的内存单元系基于该控制信号及该内部位址信号来存取。