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1. 发明专利

TW201227839A Ｐ型氧化鋅薄膜的製作方法审中-公开
简体标题：Ｐ型氧化锌薄膜的制作方法
公开(公告)号：TW201227839A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099145968
申请日：2010-12-27
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：魏肇男 , 薄慧雲 , 吳振名 , 曹鈞涵 , 陳世偉 , 楊東翰
IPC分类号： H01L , C23C
摘要：本發明係一種P型氧化鋅薄膜的製作方法,其特點係同時使用含鋅、鋁、鎂之氧化物靶材及鋅金屬靶材,利用磁控射頻濺鍍裝置,鍍製氣氛為氬氣與氮氣混合氣體,直接鍍製成P型氧化鋅薄膜,可有效減少製程的繁複性與提升其薄膜電性性質。
简体摘要：本发明系一种P型氧化锌薄膜的制作方法,其特点系同时使用含锌、铝、镁之氧化物靶材及锌金属靶材,利用磁控射频溅镀设备,镀制气氛为氩气与氮气混合气体,直接镀制成P型氧化锌薄膜,可有效减少制程的繁复性与提升其薄膜电性性质。

2. 发明专利

TW201000645A 一種簡易生產高純度ＭｇＮｉ儲氫合金之裝置與方法 METHOD TO PRODUCE HIGH STOICHIOMETRIC MgNi HYDROGEN STORAGE ALLOYS AND APPARATUS FOR THE SAME 审中-公开
简体标题：一种简易生产高纯度ＭｇＮｉ储氢合金之设备与方法 METHOD TO PRODUCE HIGH STOICHIOMETRIC MgNi HYDROGEN STORAGE ALLOYS AND APPARATUS FOR THE SAME
公开(公告)号：TW201000645A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW097124474
申请日：2008-06-30
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：伍員鵬 , 薄慧雲 , 鄭榮瑞
IPC分类号： C22C
摘要：本發明係提供一種可應用於工業上大量且連續生產之高純度Mg2Ni儲氫合金之裝置與方法，該裝置包含一密閉艙體、一第一坩鍋、一加熱裝置、一攪拌裝置及一第二坩鍋。其特徵是不需精確控制形成鎂鎳儲氫合金中鎂與鎳的份量，即可得到高純度鎂鎳儲氫合金，並透過簡易之裝置及方法，回收析出反應後剩餘之富鎂液體，形成一種可連續不斷製造高純度鎂鎳儲氫合金之生產方式。本發明之裝置與方法無須裝設精密之線上檢測與精準控制鎂鎳熔融液之成份，只要所添加之鎳，其添加量佔全部鎂鎳熔融液之重量百分比介於23.5至50.2根據相圖之偏析原理就能保證得到組成為Mg-54.6wt%Ni(也就是鎂與鎳原子比為2：1)完全純的γ相Mg2Ni儲氫合金，而無摻雜有任何其他雜相。
简体摘要：本发明系提供一种可应用于工业上大量且连续生产之高纯度Mg2Ni储氢合金之设备与方法，该设备包含一密闭舱体、一第一坩锅、一加热设备、一搅拌设备及一第二坩锅。其特征是不需精确控制形成镁镍储氢合金中镁与镍的份量，即可得到高纯度镁镍储氢合金，并透过简易之设备及方法，回收析出反应后剩余之富镁液体，形成一种可连续不断制造高纯度镁镍储氢合金之生产方式。本发明之设备与方法无须装设精密之在线检测与精准控制镁镍熔融液之成份，只要所添加之镍，其添加量占全部镁镍熔融液之重量百分比介于23.5至50.2根据相图之偏析原理就能保证得到组成为Mg-54.6wt%Ni(也就是镁与镍原子比为2：1)完全纯的γ相Mg2Ni储氢合金，而无掺杂有任何其他杂相。

3. 发明专利

TWI403491B 一種提昇儲氫合金性能的熔製坩堝處理方法有权
简体标题：一种提升储氢合金性能的熔制坩埚处理方法
公开(公告)号：TWI403491B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW099116939
申请日：2010-05-27
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：伍員鵬 , WU, YUAN PANG , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN , 廖健鴻 , LIAO, JIAN HONG , 劉明浩 , LIU, MING HAU
IPC分类号： C04B41/85 , C01B3/00
CPC分类号： Y02E60/327

4. 发明专利

TWI403372B 製作高品質整體鑄造渦輪轉子之方法有权
简体标题：制作高品质整体铸造涡轮转子之方法
公开(公告)号：TWI403372B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW096150680
申请日：2007-12-28
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, ARMAMENTS BUREAU, M.N.D.
发明人：倪國裕 , NIEH, CUO YO , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 洪炎輝 , HON, YEN HWEI , 吳政翰 , WU, CHENG HAN , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN
IPC分类号： B22C9/04 , B22D23/00 , B22D25/02 , F01D5/00

5. 发明专利

TW201224164A 具有改善高溫性質之鈷基合金审中-公开
简体标题：具有改善高温性质之钴基合金
公开(公告)号：TW201224164A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099143890
申请日：2010-12-15
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：倪國裕 , 廖健鴻 , 鮑道文 , 薄慧雲 , 范傳銘
IPC分类号： C22C
摘要：本發明係揭露一種鈷基合金，其具有高溫機械強度及耐高溫氧化性質。藉由鈷基合金中添加鈮及鉭元素，使鈷基合金結構造成大量金屬析出物，產生材料析出強化，進而提升高溫機械強度。
简体摘要：本发明系揭露一种钴基合金，其具有高温机械强度及耐高温氧化性质。借由钴基合金中添加铌及钽元素，使钴基合金结构造成大量金属析出物，产生材料析出强化，进而提升高温机械强度。

6. 发明专利

TW201111520A 一種藉由石墨添加改善鎂合金儲氫量之製程方法 METHOD TO IMPROVE THE HYDROGEN STORAGE CAPACITY OF MAGNESIUM BASED ALLOYS VIA GRAPHITE ADDITIONS 审中-公开
简体标题：一种借由石墨添加改善镁合金储氢量之制程方法 METHOD TO IMPROVE THE HYDROGEN STORAGE CAPACITY OF MAGNESIUM BASED ALLOYS VIA GRAPHITE ADDITIONS
公开(公告)号：TW201111520A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW098132042
申请日：2009-09-23
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：王建義 , 聶若光 , 薄慧雲 , 伍員鵬 , 林新智
IPC分类号： C22C , C01B
CPC分类号： Y02E60/325 , Y02E60/327
摘要：本發明係提供一種可應用於工業上具有高儲氫量之儲氫合金之製程方法，其特徵為可選用一般商用之ZK60鎂合金(Mg-6mass%Zn-0.8mass%Zr)並施以不同程度的塑性變形機制，例如冷軋延及/或結合球磨產生微小晶粒和顆粒細化，同時再添加微量石墨來降低其吸放氫溫度與增加儲氫量。
简体摘要：本发明系提供一种可应用于工业上具有高储氢量之储氢合金之制程方法，其特征为可选用一般商用之ZK60镁合金(Mg-6mass%Zn-0.8mass%Zr)并施以不同程度的塑性变形机制，例如冷轧延及/或结合球磨产生微小晶粒和颗粒细化，同时再添加微量石墨来降低其吸放氢温度与增加储氢量。

7. 实用新型

TWM383113U 以抗彈鋼板製成之外盒以及包含其之抗彈裝置 A BOX MANUFACTURED BY BULLET-PROOF STEEL-PLATE AND BULLET-PROOF APPARATUS COMPRISING THE SAME 有权
简体标题：以抗弹钢板制成之外盒以及包含其之抗弹设备 A BOX MANUFACTURED BY BULLET-PROOF STEEL-PLATE AND BULLET-PROOF APPARATUS COMPRISING THE SAME
公开(公告)号：TWM383113U
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：TW098218771
申请日：2009-10-12
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：薄慧雲 , 魏肇男 , 陳俊雄 , 廖健鴻
IPC分类号： F41H
摘要：本創作揭露一種以抗彈鋼板製成之外盒以及包含其之抗彈裝置，該外盒包含一盒體以及一蓋板。該盒體包含一開口以及由一側壁所定義之一容置空間，供填置一抗彈陶瓷板。該蓋板蓋合於該盒體之該開口上，以將該抗彈陶瓷板固定於該容置空間中。當一子彈射入該抗彈裝置時，該外盒限制該抗彈陶瓷板破裂時不會向外散開，藉此確保該抗彈裝置的抗彈效果。
简体摘要：本创作揭露一种以抗弹钢板制成之外盒以及包含其之抗弹设备，该外盒包含一盒体以及一盖板。该盒体包含一开口以及由一侧壁所定义之一容置空间，供填置一抗弹陶瓷板。该盖板盖合于该盒体之该开口上，以将该抗弹陶瓷板固定于该容置空间中。当一子弹射入该抗弹设备时，该外盒限制该抗弹陶瓷板破裂时不会向外散开，借此确保该抗弹设备的抗弹效果。

8. 发明专利

TW201321528A 一種增加鈹銅合金大量塑性加工性能的方法审中-公开
简体标题：一种增加铍铜合金大量塑性加工性能的方法
公开(公告)号：TW201321528A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100141740
申请日：2011-11-16
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：伍員鵬 , WU, YUAN PANG , 林佳詩 , LIN, CHIA SHIH , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN
IPC分类号： C22F1/08
摘要：本發明係針對高強度鈹銅合金，提供一種適合在製作上須大量塑性加工的改善性能方法。其特徵主要在於有別於傳統之熱加工或應力消除退火，而是以冷加工方式直接將加工至其塑性加工上限或上限以內之預設值，再將此塑性加工後之鈹銅合金加溫至700℃至860℃間，並維持至少10分鐘後迅速淬火至常溫，再將此淬火後之鈹銅合金再以冷機械加工方式，直接加工至其塑性加工上限或上限以內之預設值。
简体摘要：本发明系针对高强度铍铜合金，提供一种适合在制作上须大量塑性加工的改善性能方法。其特征主要在于有别于传统之热加工或应力消除退火，而是以冷加工方式直接将加工至其塑性加工上限或上限以内之默认值，再将此塑性加工后之铍铜合金加温至700℃至860℃间，并维持至少10分钟后迅速淬火至常温，再将此淬火后之铍铜合金再以冷机械加工方式，直接加工至其塑性加工上限或上限以内之默认值。

9. 发明专利

TW201225308A 球微影蝕刻玻璃基材的方法审中-公开
简体标题：球微影蚀刻玻璃基材的方法
公开(公告)号：TW201225308A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099141853
申请日：2010-12-02
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：魏肇男 , 薄慧雲 , 方冠榮 , 蔡孟宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C03C15/00 , C03C2204/08
摘要：本發明係一種球微影蝕刻玻璃基材的方法,包含以下步驟:提供一玻璃基板;於該玻璃基板上形成複數作為阻擋層之球體;對該玻璃基板及阻擋層進行反應離子蝕刻;以及將該蝕刻後之玻璃基板進行鍍膜,藉以提高光散射程度,及降低光的反射率,進而提升太陽能電池的效率。
简体摘要：本发明系一种球微影蚀刻玻璃基材的方法,包含以下步骤:提供一玻璃基板;于该玻璃基板上形成复数作为阻挡层之球体;对该玻璃基板及阻挡层进行反应离子蚀刻;以及将该蚀刻后之玻璃基板进行镀膜,借以提高光散射程度,及降低光的反射率,进而提升太阳能电池的效率。

10. 发明专利

TW201224165A 具有改善高溫性質之鈷基合金审中-公开
简体标题：具有改善高温性质之钴基合金
公开(公告)号：TW201224165A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099143891
申请日：2010-12-15
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：倪國裕 , 廖健鴻 , 鮑道文 , 薄慧雲 , 范傳銘
IPC分类号： C22C
摘要：本發明係揭露一種鈷基合金，其具有高溫機械強度及耐高溫氧化性質。藉由鈷基合金中添加鈦及鋁元素，使鈷基合金結構造成大量金屬析出物，產生材料析出強化，進而提升高溫機械強度。
简体摘要：本发明系揭露一种钴基合金，其具有高温机械强度及耐高温氧化性质。借由钴基合金中添加钛及铝元素，使钴基合金结构造成大量金属析出物，产生材料析出强化，进而提升高温机械强度。

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